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全三维电磁粒子模拟软件CHIPIC3D研制
该项目主要技术指标如下:1.CHIPIC3D全三维电磁粒子模拟软件在直角及圆柱坐标系下实现了三维FDTD及粒子算法,能对各种对称、非对称结构的高功率微波源及太赫兹波源器件进行三维粒子模拟,模拟结果与实验吻合。2.采用基于消息交换与共享内存相结合的并行计算方法,使加速比达到30以上;3.采用分段建模并行计算的方法,能对30米以上大尺度精细结构进行三维粒子建模及模拟;4.将蒙特卡洛及Vaughan模型算法应用于三维粒子模拟软件,使其能模拟介质表面二次电子倍增、气体放电及介质表面击穿等复杂物理问题;5.采取面向对象的方法,能提供友好的图形化的输入界面及多窗口输出界面。
电子科技大学 2021-04-10
新品上市瑞士徕卡手持激光测距仪D3a 100米
产品详细介绍新品上市瑞士徕卡(Leica)手持激光测距仪---D3a(100米) 所属类型:迷你精准性---适用于室内测量专家,也可用于室外,可测悬高 产品用途:本产品适用于家庭装修、工程装潢、建筑施工、房地产开发管理、房产测绘、房地产评估、卫生监督、城市监察、交通管理、电力、电信、气象、林业、农业等各行各业,可以简单、快速、精确地测量室内、室外及难于接近部位的距离,可以精确地测量建筑物的高度及室外较长距离。 产品特点: ◆小巧机身,特殊材质打造,符合工效学的外形及柔软的握把,保证了握把时的良好手感 ◆角度传感器,无需水平气泡呈现绝对水平距离;间接、简单测量不易接触距离;还可实现小角度的测量,最大优势可测悬高,全球首创 ◆优异的防尘防水性能,能够应付各种复杂环境 ◆自动识别多功能后座,适应各种环境;三角架接口,使远程更加精确和容易 ◆勾股定理的测距程序,方便地测量出物体的高度 ◆延时测量;最小及最大测量、持续测量;空间计算;存储常数 ◆多项应用程序设计,完全的多面手仪器 ◆激光自动关闭 3分钟;仪器自动关闭 6分钟,更加省电和设计人性化 技术指标: ◆典型测量精度: ±1mm;激光束精度:±0.3°;机架精度:±0.3° ◆测量范围: 0.05至100m ◆角度测量范围:±45° ◆测量单位:0.000m,0.00m,0mm0.00ft,0.001/32ftin0’00”1/32,0.0in,1/32in ◆调用最后测量数值个数: 20 ◆激光等级 II;激光类型 635nm,小于1mW ◆每电池组可测量 至5000次 ◆电池 型号AAA2×1.5V ◆防雨/防尘:IP 54 ◆尺寸 :127×49×27.3mm ◆重量 :149g ◆工作温度范围 -10℃至+50℃ 标准配置: 主机D3ax1台; 外包套x1个; 手腕带x1条; 7号碱性电池x2节; 中文说明书x1份; 正品保修卡x1张; 包装盒x1个; 软盘x1张; 外文说明书x1份;   十字反射板x1套 (function() {if (typeof desc === 'undefined') {setTimeout(arguments.callee, 100);return;}document.getElementById('J_DivItemDesc').innerHTML = desc;})();
连云港金升科技有限公司 2021-08-23
一种固态盘闪存芯片阈值电压感知方法及系统
本发明公开了一种固态盘内部闪存芯片阈值电压感知优化方法, 主要用于多层单元闪存芯片使用低密度奇偶校验码纠错时的一种优化 方法。该系统结构主要由 LDPC 编码模块、闪存芯片存储模块、非均 匀阈值电压感知模块、对数似然比计算模块和 LDPC 译码模块组成。 LDPC 编码模块主要对原始数据利用 LDPC 生成矩阵编码生成码字; 闪存芯片存储模块主要存储数据;非均匀阈值电压感知模块主要对闪 存芯片进行非均匀阈值电压感知;
华中科技大学 2021-04-14
高精度小型化三维重建系统(Hi3D)
高精度小型化三维重建系统(Hi3D)采用被动式的重建算法为现实物体建立三维模型。该系统形成一套包含硬件系统、算法实现和交互界面的完整三维重建系统。拍摄时,Hi3D系统协调转台转动和相机,自动完成多视点图像拍摄。算法部分包括相机标定、深度初始化、立体匹配、点云优化、网格化、上色,构成一套完整的三维重建流程。该系统还具有友好的PC端用户界面,具有高精度、小型化、全自动、低成本的优点。
南京大学 2021-04-10
基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法
本发明属于半导体存储器技术领域,具体为一种基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法。本发明通过原子级薄层沟道和栅叠层设计降低特征长度,从而促进器件尺寸微缩;该器件通过能带设计和范德华堆叠高质量界面降低隧穿势垒,实现十纳秒级编程/擦除速度和非易失特性;器件的短沟道通过垂直沉积和倾斜沉积两步法工艺实现,且沟道长度能够通过改变电极厚度和沉积角度来调控。本发明能在不使用先进光刻技术前提下,实现亚10nm沟道长度,突破硅基闪存器件的沟道长度微缩瓶颈,为新型高速非易失存储器的高密度集成提供新解决方案。
复旦大学 2021-01-12
跨境电商爆款BM3D钻石无线蓝牙音箱迷你音箱
深圳市天雁电子有限公司 2021-08-23
良田办事大厅高拍仪H620A3D活体识别高拍仪
深圳市新良田科技股份有限公司 2021-08-23
良田教学高拍仪V800A3D高清数据采集扫描仪
深圳市新良田科技股份有限公司 2021-08-23
一种芯壳型纳米线三维 NAND 闪存器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件,该存 储器件由芯壳型纳米线作为 NAND 串组成,所述 NAND 串垂直于衬 底。利用芯壳型纳米线作为 NAND 串制作存储器件,不仅使器件的结 构更加简单,也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤,简 化了制备过程,对降低制造成本有积极作用
华中科技大学 2021-04-14
E-3/L-3
适用于装载机、推土机,在松软、泥泞鲁米那能发挥极大的牵引力,并具有良好的自洁性能。
山东玲珑轮胎股份有限公司 2021-08-31
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