4-5 台式低速离心机 产品特性: ◎7寸3D高清液晶全触摸屏加多功能旋钮Home键，可单独设置修改参数，3D界面简洁清晰，所有参数一目了然。 ◎满足多种离心要求运行中转速、离心力、温度曲线同屏显示，变化关系清晰可见。 ◎密码锁定功能，用户可设置密码对主机或参数进行密码锁定，防止误操作。 ◎可选15种升降速档位、可设置自由停车时间。 ◎超大存储空间，可存储多达99个程序组，99条使用记录和故障记录可追溯。 ◎2种计时模式可选，启动计时、到达转速计时。 ◎人性化设计操作方便快捷，参数设定直接数字输入，精确到个位智能状态提示。 ◎离心力自动换算，同屏显示，无需转换，并设有瞬时离心功能。 ◎自我诊断功能声音文字同时提示并显示解决方案，更加稳定可靠自带电子说明书，永不遗失，方便使用。 ◎双锁扣式电子门锁，全钢制门盖保护，优于同行标准。 ◎高品质液压杆，进口阻尼密封，液压阻尼十年不衰减。 ◎食品级一体式硅胶密封圈，终身保用，密封性更贴合。 ◎磁性转子全自动识别系统，自动匹配对应转子程序，防止误操作，确保离心安全。 ◎独特的降噪系统，运行时更安静。 ◎具有门盖，超速，超温、过流、过压、过热等多种保护功能，声音文字 同示并显示解决方案，更加稳定。 ◎外排式散热设计，主机内部电路高效散热，腔体内温升优于行业标准，确保样品的安全性。 ◎采用大力矩变频电机，更快的加减速，提高使用效率。 技术参数 转子参数

产品详细介绍BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉（箱式实验电炉)详细介绍 BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉炉体采用美国陶瓷纤维材料，此材料具有保温性能好（升到1000℃炉体表面温度只有60℃,国家标准是100℃）左右，重量轻的特点。BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉加热丝采用全球最顶级瑞典康泰尔公司的合金材料。BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉加热温度均匀、升温速度快，升到1000℃只要20分钟（化学行业非常适用），传统马弗炉需要80分钟左右，节能性能好，BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉是普通马弗炉能耗的40%左右，不掉粉尘、不掉渣不会影响做试验的效果。1.BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉采用美国高纯陶瓷纤维材料，保温耐火层共50mm2.BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉采用瑞典康泰尔电热元件，很少断裂；同样的电阻，均匀性完全不同。3.国际产品的质量，国内的价格4.先进的温度控制系统5.设有防止断电、故障停机后来电误启动功能,炉体表面超温断电保护、及多项安全防护措施防止意外发生,炉门设有可靠的开门断电开关，确保操作人员安全BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉可应用于高校、研究所常规实验室：用于进行对各种物理、化学材料、生物、电子等学科实验室的常规教学和试验研究。 如：（1）热加工、水泥、建材行业：进行小型工件的热加工或处理，例如加热小型精密陶瓷，新材料开发等；（2）医药行业：用于药品的检验、医学样品的预处理等。（3）分析化学行业：作为水质分析、环境分析等领域的样品处理。也可以用来进行石油及其分析。（4）煤质分析：用于测定水分、灰份、挥发份、灰熔点分析、灰成分分析、元素分析。也可以作为通用灰化炉使用。BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉（箱式实验电炉)技术参数 1、工作室尺寸：300*200*120（7L）2、设计温度：1000℃3、控温精度：±1℃4、控温形式：PID智能控温仪5、升温速率：≥60℃6、传感器：镍铬—镍硅 分度号：K7、电源电压：AC-220V（二相）8、功率：4KW10、电流：12A11、加热元件：瑞典康泰尔电热元件

产品详细介绍产品名称:  V4系列Flotect® 防爆流量开关产品型号:  V4用途：泵，水冷系统，锅炉及其它设备提供流量变动时的安全保证和过程控制特点：防漏防爆设计，有UL和CSA认证，提供FM保证适用管径：1.5-20"适用介质：液体，气体流量范围：定制叶片由用户指定；万能叶片见详细资料工作压力：铜质 6.9MPa；316不锈钢13.8MPa工作温度：普通型-20~135℃；高温型最大205℃ 连接:1-1/2"外螺纹封装:NEMA 4重量：1.96Kg 认证：UL，CSA，CE，FM，SAA，ATEX 选型表:  型号 描述  V4-2-U 铜体, 通用叶片  V4-SS-2-U 316SS 不锈钢体, 通用叶片  V4 铜体, 定制叶片  V4-SS 316SS 不锈钢体, 定制叶片 可选项:-D：DPDT输出-MV：镀金触点-MT：高温型-TRI（流量增加），-TRD（流量下降）：延时继电器-316：316SS磁体-SAA：认证-V：垂直向上流量-AT：ATEX认证

产品详细介绍产品名称:  ITT流量开关(FS4-3J) 产品型号:  FS4-3J                       应用广泛,如空调,供暖,流水系统,生产程序等,性能可靠 输出:SPDT,7.4A@120VAC,3.7A@240VAC 流体温度范围:0-149°C 环境温度:0-49°C 最大压力：11.3Kg/cm2 最大流速:3m/s 适合管径：1"-8"以上 连接：1" BSPT 电防护等级:NEMA 1(IP21) 认证:UL,CSA   其它型号:FS4-3(1" NPT连接),FS4-3D,FS4-3F,FS4-3S,FS4-3DS,FS4-3RP,FS4-3-5R,FS4-3-20   流量动作值：   Flow Rates 　 Mode of Operation 　 Pipe Size NPT in. Settings Flow gpm No Flow gpm Max. Flow Rate gpm w/o paddle damage 1 Factory or minimum 6 3.6 27 Maximum 10.2 9.2 1 1/4 Factory or minimum 9.8 5.6 47 Maximum 16.8 15 1 1/2 Factory or minimum 12.7 7 63 Maximum 23 198.5 2 Factory or minimum 18.8 9.4 105 Maximum 32.8 24 2 1/2 Factory or minimum 24.3 11.6 149 Maximum 42.4 37.5 3 Factory or minimum 30 12 230 Maximum 52.1 46.1 4 Factory or minimum 39.7 19.8 397 Maximum 73.5 64.2 5 Factory or minimum 58.7 29.3 654 Maximum 115 92 6 Factory or minimum 79.2 39.6 900 Maximum 166 123                 型  号 描  述 FS4-3 General purpose flow switch FS4-3J FS4-3 w/BSPT connections FS4-3-RPT FS4-3 w/test button FS4-3Z FS4-3 w/ANSI terminal connections FS4-3A FS4-3 w/tamper-proof cover screws FS4- 3D FS4-3 w/2 SPDT switches FS4-3S FS4-3 w/SS body, monel bellows FS4-3SJ FS4-3S w/BSPT connections FS4-3DS FS4-3S w/2 SPDT switches FS4-3-5R FS4-3 w/5 second DOB FS4-3-20 FS4-3 w/20 second DOM FS4-3J-E FS4-3J-CE conformance rated FS4-3D-E FS4-3D-CE conformance rated FS4-3S-E FS4-3S-CE conformance rated FS4- 3F FS4-3 for fire sprinkler service FS4-3F-20 FS4-3F w/20 second DOM FS4-3DF FS4-3F w/2 SPDT switches FS4-3DF-20 FS4-3F w/20 second DOM, 2 SPDT switches FS4-3T1-3⁄4 3⁄4" NPT body - high flow rate FS4-3T2-3⁄4 3⁄4" NPT body - medium flow rate FS4-3T3-3⁄4 3⁄4" NPT body - low flow rate FS4-3T1- 1 1" NPT body - high flow rate FS4-3T2- 1 1" NPT body - medium flow rate FS4-3T3- 1 1" NPT body - low flow rate FS4-3T3-3⁄4-E FS4- 3T3-3⁄4 -CE conformance rated FS4-3T3-1-E FS4-3T3-1 -CE conformance rated FS5-3⁄4 General purpose flow switch 3⁄4" NPT FS5-D-3⁄4 FS5-3⁄4 w/2 SPDT switches FS5-J-3⁄4 FS5-3⁄4 w/BSPT connections FS5-1 General purpose flow switch 1" NPT FS5-D-1 FS5-1 w/2 SPDT switches FS5-J-1 FS5-1 w/BSPT connections FS5-S-1 FS5-1 w/SS body FS5-DS-1 FS5-1 w/SS body, 2 SPDT switches FS5-J-3⁄4-E FS5- J-3⁄4 - CE conformance rated FS5-J-1-E FS5- J-1 - CE conformance rated FS8-W General purpose flow switch w/NEMA 4X enclosure FS8-WJ FS8-W w/BSPT connections FS8-WG FS8-W w/gold plated switch contacts FS8-WG-SL FS8-W w/gold plated switch contacts, sealed leads FS8- WZ FS8-W w/ANSI terminal connections FS8- WJA FS8-WJ w/adjusting indicator FS8- WJA- E FS8-WJA- CE conformance rated

本发明提出用于防治假禾谷镰刀菌的病毒粒子及其防治小麦茎基腐病的主要病原菌假禾谷镰刀菌的方法，解决了现有技术中小麦茎基腐病的防治问题。本发明通过提取FpgMBV1病毒粒子，对室内接种假禾谷镰孢菌WZ2‑8A菌株（小麦茎基腐强致病株）的小麦幼苗进行生物防治处理，以确定FpgMBV1病毒粒子的生物防治潜力；通过将FpgMBV1病毒粒子与假禾谷镰孢菌WZ2‑8A菌株共培养，验证FpgMBV1病毒粒子的体外侵染能力。结果表明，FpgMBV1病毒粒子可以使WZ2‑8A菌株侵染的小麦茎基腐病的发病率从88.9%降到63.90%，病情指数从36.73降低到7.10，防治效果为80.67%具有生物防治潜力。

混凝土结构因其脆性大的弱点，在工程应用中往往不可避免产生开裂。混凝土结构 因开裂导致混凝土结构水密性下降、渗漏，影响工程的使用寿命，甚至无法正常使用。 这是建筑界普遍存在的问题。水工、道路、桥梁等工程中混凝土结构受损后，需要进行 快速修补。从混凝土结构产生开裂的原因与环境条件分析，开发新型高性能修补材料具 有重要意义。 本发明技术根据不同现代混凝土工程的修补需求，开发出系列高性能快速修补材料， 包括超快硬修补材料、快硬早强修补材料、高性能快速修补材料。 高性能水泥基系列快速修补材料的主要特点是早期强度高、无收缩、与基面粘接强 度高、长期稳定性好、耐久性优越等特点。还具有耐磨性好、抗冲击性能优越、高抗冻 性等特殊功能。更重要的是通车时间可从 3 小时到 24 小时内调节。 高性能水泥基系列快速修补材料可广泛适用于道路、机场跑道、钢筋混凝土、轻集 料混凝土、桥梁、建筑、水工和路面等混凝土结构物（构筑物）等裂缝或缺陷的修补， 也适合于路面的大面积修补，尤其适合于北方严寒、盐冻地区的工程应用。 

项目涉及的产品是钛基合金，具体包括钛铁合金、钛铝合金以及钛铝钒合金等，其广泛用于冶金、国防、军工、航空、航天以及生物医学等领域。目前，现有的钛及钛合金等钛材的利用流程仍全是高钛渣/金红石-高温氯化-真空还原-精制-海绵钛-破碎-真空熔炼-钛材这一高能耗、高污染的高成本生产工艺。东北大学在国家973、国家自然科学基金以及企业重大科技攻关等项目的联合资助下，针对现有金属热还原法直接制备钛基合金存在的钛氧化物还原不彻底等技术难题，发明了基于喷吹金属蒸气深度多级还原直接冶炼钛基合金的新技术，并突破了其喷吹金属蒸气深度还原装备的技术难题，建成了吨级规模的基于喷吹深度多级还原装备。成功制备出氧含量低于0.6%的低氧高钛铁；氧含量低于0.1%，氮含量低于200ppm的钛铝合金及钛铝钒合金，目前已完成20kg规模的放大试验，建成了吨级规模的基于喷吹深度多级还原核心装备，进入产业化和推广应用阶段。核心成果已获得国家发明专利６项，整体技术及装备水平世界领先。 项目研究形成了从方法-产品-装备的原始创新，突破直接热还原法制备钛基合金的技术难题，实现了钛合金的短流程清洁制备，为国家安全建设和社会经济建设提供了战略物质保障社会经济效益显著。未来5年，我国特种钢精炼用高钛铁合金用量可达30万吨，若投资建立一条深度多级还原直接冶炼低氧高钛铁的生产线，可实现年产量5000吨的规模，其总产值可达2.5亿元以上，年均创造效益约5000万元。建设一条1000吨规模的钛铝基钛合金生产，其总产值可达2亿元以上，年均创造效益约5000~8000万元。因此项目建设将极大地拉动地方经济。

依托“湖南大学碳材料研究所”，建成国内沥青基碳纤维生产基地，逐步用碳纤维复合材料取代铝合金、钢筋等，促进建筑行业、汽车行业的“产业革命”，打造百亿、千亿的产业集群，把湖南长沙打造成全球第四家拥有整套高性能沥青基碳纤维制备技术的生产基地，确立长沙中国“碳谷”地位。目前已研发出高性能沥青基连续长丝炭纤维。 相关研究成果已应用于航天、航天、承载一体化、冲击载荷下微结构、兵器材料等，为我国武器装备发展和国防科技工业进步提供了基础支撑。合作单位包括国防科工局、中科院近代物理所、中国兵器工业第二0一研究所、中国工程物理研究院、航天科工集团、航天科技集团、中国兵器集团等国防军工单位。

传统的CCD、CMOS硅基成像器件都不能响应紫外波段的光信号，这是因为紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年来随着紫外探测技术的日趋发展，人们越来越需要对紫外波段进行更深的探测分析与认识。紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是应用最广泛的光电探测器件。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。 在技术发达国家,宽光谱响应范围、高分辨率、高灵敏度探测器CCD已经广泛应用于高档光谱仪器中。上世纪中叶美国Varian公司开发的Varian700 ICP-AES所使用的宽光谱CCD检测器分辨率达0.01nm,光波长在600nm和300nm时QE分别达到了84%和50%；美国热电公司开发的CAP600 系列ICP所用探测器光谱响应范围更是达到165～1000nm，在200nm时的分辨率达到0.005nm.法国Johinyvon的全谱直读ICP，其所用的CCD探测器像素分辨率达0.0035nm,紫外响应拓展到120nm的远紫外波段。德国斯派克分析仪器公司的全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪一维色散和22个CCD检测器设计，其光谱响应范围为120－800nm。德国耶拿JENA 连续光源原子吸收光谱仪contrAA采用高分辨率的中阶梯光栅和紫外高灵敏度的一维CCD探测器，分辨率达0.002nm,光谱响应范围为189—900 nm。总而言之，发达国家在宽光谱响应和高分辨率高灵敏度探测器件的研制领域已取得相当的成就。主要技术指标和创新点（1）  我们在国内首次提出紫外增强的硅基成像器件，并在不改变传统硅基成像探测器件的结构的基础上，利用镀膜的方法增强成像探测器件CCD、CMOS的紫外响应，使其光谱响应范围拓宽到190—1100nm，实现对190nm以上紫外光的探测。（2）  提高成像探测器的紫外波段灵敏度，达到0.1V/lex.s。（3）  增强成像探测器件的紫外响应的同时，尽量不削弱探测器件对可见波段的响应。（4）  选用适合的无机材料，克服有机材料使用寿命短的缺陷。 紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件，该设计与传统CCD、CMOS结合，能满足宽光谱光谱仪器所需的紫外响应探测器的需要。能提高光谱仪器光谱响应范围，在科学实验和物质分析和检测中具有很广的市场前景。 该设计样品能取代传统CCD、CMOS，应用于大型宽光谱光谱仪器上，作为光谱仪的探测器件。将传统光谱仪器的光谱检测范围拓宽到190—1100nm. 实现紫外探测和紫外分析。具有较强的市场推广应用价值。

北京大学物理学院“极端光学创新研究团队”王剑威研究员和龚旗煌院士领导的课题组，与英国、丹麦、奥地利和澳大利亚的学者合作，实现了硅基集成光量子芯片上的多体量子纠缠和芯片-芯片间的量子隐形传态功能，为芯片上光量子信息处理和计算模拟的应用，奠定了坚实的基础。相关研究成果于近日发表在国际顶级物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技术，结合了量子物理、量子信息和集成光子学等前沿学科，通过半导体微纳加工制造高性能且大规模集成的光量子器件，实现对光量子信息的高效处理、计算和传输等功能。其中，利用硅基平面光波导集成技术的光量子芯片具有诸多独特优势，包括集成度高、稳定性好、编程操控性优越和可单片集成核心光量子器件等，因此被认为是一种实现光量子信息应用的重要手段之一。 A. 硅基量子隐形传态和多光子量子纠缠芯片的示意图，左上角为集成量子光源的电子显微镜图；B. 量子隐形传态的量子线路图；C. 量子纠缠互换的量子线路图；D. GHZ纠缠制备的量子线路图 北京大学研究团队与布里斯托尔大学、丹麦科技大学、奥地利科学院、赫瑞-瓦特大学和西澳大利亚大学科研人员密切合作，在硅基光量子芯片技术和应用方面取得了突破性进展。研究团队发展了一种基于微环谐振腔的高性能集成量子光源，通过硅波导的强四波混频非线性效应，实现了光子全同性优于90%、无需滤波后处理的50%触发效率的单光子对源，达到了对4组微腔量子光源阵列的相干操控，片上双光子量子纠缠源的保真度达到了92%。团队实现了关键的可编程片上双比特量子纠缠门，可以按照功能需要切换贝尔投影测量和量子比特焊接操作，通过量子态层析实验确认了高保真的双比特纠缠操作。 研究团队在单一硅芯片上实现了高性能量子纠缠光源、可编程双比特量子纠缠门，以及可编程单量子比特测量的全功能集成，进而实现了三种核心量子功能模块——芯片上四光子真纠缠、量子纠缠互换、芯片-芯片间的高保真量子隐形传态。通过对两对纠缠光子对进行量子比特焊接操作，团队实现并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子纠缠的存在；通过对两对纠缠光子中各一个光子进行贝尔投影操作，实现了量子纠缠互换功能，使来自不同光子源的光子间产生了量子纠缠；利用两个芯片间的量子态传输和量子纠缠分布技术，实现了两个芯片间任意单量子比特的量子隐形传态，达到了近90%的隐形传态保真度。 团队研制的硅基多光子量子芯片尺寸仅占几平方毫米，比传统实现方法小了约5-6个数量级，不仅达到了器件的微型化，同时具备了单片全功能集成、器件编程可控、系统性能优越等特点，其中量子隐形传态保真度优于已报道的其它物理实现方法。多体量子纠缠体系的片上制备与量子调控技术，为片上量子物理基础研究和片上光量子信息处理传输、量子计算模拟的应用提供了重要基础。