单晶机器人

该研究在微纳尺度下对单晶智能材料（二氧化钒）进行相畴结构的工程化有序调控，是目前为止最为简化的驱动器件结构设计。这一成果也使得高性能、高稳定性的微纳单晶机器人成为可能。

南方科技大学 2021-04-14

蓝宝石衬底及窗口片

蓝宝石衬底晶片及其窗口片● 照明类：高端照明、智慧路灯、各种背光源、植物光照、医疗应用等● 消费显示电子窗口：手机屏幕、背光源Mini-LED技术、相机镜头等● 军工应用：导弹头整流罩、机载雷达光电设备窗口片、高性能激光武器、防弹玻璃等● 专用窗口：大型望远镜、潜望镜、科研考察设备等

青岛嘉星晶电科技有限公司 2021-08-30

AlGaN/GaN合金欧姆接触新途径

AlGaN/GaN HEMT器件具有较高的电子迁移率二维电子气2DEG，在射频以及功率器件中有极大的应用前景。由于降低金属半导体的欧姆接触电阻对降低器件源漏电极寄生电阻起到关键作用，直接影响到器件的源漏输出电流、导通电阻、击穿电压等性能参数，高质量的低欧姆接触在AlGaN/GaN射频器件的开发中尤为重要。 于洪宇课题组访问学生范梦雅介绍，传统的Ti/Al多层膜常被应用到无金欧姆接触工艺

南方科技大学 2021-04-14

大尺寸蓝宝石单晶

蓝宝石单晶作为一种优良的透波材料，在紫外、可见光、红外波段、微波都具有良好的透波率，可以满足多模式复合制导（如电视等）的要求；同时蓝宝石单晶具有优良的机械性能、化学稳定性和耐高温性能高，强度高、硬度大、可在2000℃的恶劣环境下工作。由于蓝宝石电绝缘、透明、易导热、硬度高，在民用领域得到广泛应用，作为集成电路的衬底材料，替代了高价氮化硅衬底而被广泛用于超高速微电子电路；是发光二极管（LED）衬底的首选材料，采用蓝宝石衬底材料制成的发光二极管，其光源无灯丝、工作电压低，使用寿命可达5万到10万小时，

哈尔滨工业大学 2021-04-14

单晶LaB6空心阴极

北京工业大学 2021-04-14

超大尺寸单晶铜箔库制备

在超大尺寸单晶金属箔库的制备领域再次取得重要进展，研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。 发现氧化物衬底释放的游离氧可以把石墨烯单晶畴的生长速率提高150倍（Nature Nanotech

南方科技大学 2021-04-14

蓝宝石衬底抛光液及应用

一、 项目简介本项目是为了解决光电器件最好衬底材料之一蓝宝石衬底材料抛光液在抛光过程中存在的衬底片表面去除速率低、粗糙度高、易划伤等问题，而研发一种化学作用强、去除速率快、表面粗糙度低、无划伤、成本低，且不污染环境及腐蚀设备的蓝宝石衬底材料抛光液及制备方法。本项目采用具有自主知识产权的多功能螯合剂作为pH调节剂,同时又可起到缓冲剂、磨料稳定剂、络合及螯合的作用，实现反应剂一剂多用，降低成本。二、 项目技术成熟程度经20多家中外企业使用表明，该抛光液性能稳定、速率快，可一次或循环使用，目前可批量生产和应用。三、 技术指标（包括鉴定、知识产权专利、获奖等情况）加工去除速率>5μm/h，表面粗糙度可降至Ra:0.1～0.3nm。天津市科学技术委员会鉴定结论：国际领先，已获国家发明专利授权6项，美国发明专利1项。四、 市场前景（应用领域、市场分析等）随着光电技术的飞速发展，光电产品对蓝宝石衬底需求量日益增加，开发新型的抛光液及抛光技术，提高光电器件用衬底加工质量，以推进冷光源的应用进程及节能减排的有效实施，并可用于国防、仪器仪表、红外窗口等领域，因此，市场前景广泛，也可为国家光电子工业发展起到很好的促进作用。五、 规模与投资需求（资金需求、场地规模、人员等需求）年产量5000吨的生产规模投资为约3000万元，需千级以上超净化厂房。六、 生产设备低压真空系统、百级超净车间、去离子水系统等七、 效益分析随着国家对节能减排任务的提出及对LED产业的大力支持，蓝宝石衬底片需求量越来越大，CMP超精密表面加工抛光液的需求量也越来越大，因此此项目具有很大的经济和社会效益潜力，价格仅为进口产品的1/3，效益显著。八、 合作方式以产学研用的合作模式，把研发出的产品与技术转化为生产力，如可提供技术服务与支持、经销公司代销售等。九、 项目具体联系人及联系方式（包括电子邮箱）刘玉岭，13602103962，liuyl@jingling.com.cn十、高清成果图片2-3张      

河北工业大学 2021-04-11

Si基GaN功率半导体及其集成技术

随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。

电子科技大学 2021-04-10

Si基GaN功率半导体及其集成技术

电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器

电子科技大学 2021-04-10

高频高功率密度GaN栅驱动电路

作为第三代半导体代表性器件.硅基GaN开关器件由于具有更小的FOM.能够把开关频率推到MHz应用范围，突破了传统电源功率密度和效率瓶颈(功率密度提高5-10倍).且具有成本优势，满足未来通信、计算电源、汽车电子等各方面需求,开展相关领域的研究对我国在下一代电力电子器件产业的全球竞争中实现弯道超车,具有重要意义。然而,器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略，最大程度提高GaN开关应用的可靠性,发挥其高频优势。

电子科技大学 2021-04-10