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LED防雨显示屏箱体
产品详细介绍河北沧州青县合力达电器设备有限公司是一家专业致力于生产LED显示屏箱体的厂家。我公司生产的显示屏箱体外壳:标准、非标准、简易、防水、磁吸、条屏、弧形屏、前维护屏等,尺寸自定、结构强度大、平整度好、易拼接。P10/P16的简易箱体有库存,能当天发货。P10/P16/P25室外全防护箱体和P6/P7.62的室内磁吸表贴小框5-7天内发货。我公司承接设计加工各种异型LED显示屏箱体,只要您提供模组数量和排列,就能为您设计出让您满意的箱体。显示屏防水箱体,适于户外显示屏安装,通风、防水,强度大,平整度好,采用A3冷轧钢板制作,户外粉末静电喷涂耐腐蚀、耐老化。 加工贸易形式 任何形式 ,电话13463173267李永梅
青县合力达电器设备有限公司 2021-08-23
LED显示屏简易箱体
产品详细介绍河北沧州青县合力达电器设备有限公司是一家专业致力于生产LED显示屏箱体的厂家。我公司生产的显示屏箱体外壳:标准、非标准、简易、防水、磁吸、条屏、弧形屏、前维护屏等,尺寸自定、结构强度大、平整度好、易拼接。P10/P16的简易箱体有库存,能当天发货。P10/P16/P25室外全防护箱体和P6/P7.62的室内磁吸表贴小框5-7天内发货。我公司承接设计加工各种异型LED显示屏箱体,只要您提供模组数量和排列,就能为您设计出让您满意的箱体。显示屏防水箱体,适于户外显示屏安装,通风、防水,强度大,平整度好,采用A3冷轧钢板制作,户外粉末静电喷涂耐腐蚀、耐老化。 加工贸易形式 任何形式 ,电话13463173267
青县合力达电器设备有限公司 2021-08-23
LED型光照培养箱
LED型光照培养箱微电脑全自动控制,触摸开关,操作简便;可编程多段控制方式,白天、黑夜均可单独设置温度、湿度、光照度和时间等。风道式通风,工作室风速柔和,温度均匀;中空反射钢化渡膜玻璃,绝热性能好,美观大方。全封闭不透光灯罩,选装工作室电源,消毒装置等。   LED型光照培养箱使用说明   1、接通电源,合上电源开关,整机通电,开关内的电源指示灯亮。   2、控温设定请参考智能型数字温度控制器说明书。   3、如需照明打开照明开关。   4、此种培养箱有断点保护功能及一分半钟左右延时功能,压缩机停机后再次启动要达一分半钟左右。   LED型光照培养箱维护和培养   1、培养箱外壳应可靠接地。   2、培养箱要放置在阴凉、干燥、通风良好、远离热源和日晒的地方。放置平稳,以防震动发生噪音。   3、为保障冷凝器有效地散热,冷凝器与墙壁之间距离应大于100mm。箱体侧面应有50mm间隙,箱体顶部至少应有300mm空间。   4、培养箱在搬运、维修、保养时,应避免碰撞,摇晃震动;大倾斜度小于45度。   5、仪器突然不工作,请检查熔丝管(箱后)是否烧坏,检查供电情况。   6、培养箱制冷工作时,不宜使箱内温度与环境温度之差大于25度。   LED型光照培养箱技术参数   1. 主要型号:GDN-300D-4   2. 温控范围: 0~50℃   3. 外形尺寸(宽*深*高):595*565*1900mm   4. 内胆尺寸(宽*深*高):515*460*1320mm   5. 容积:300升   6. 光源:顶置LED光照板式,竖直光照。   7. 光照度:0~20000LX   8. 光照层数:4层   9. 温度波动度:±0.5~±1.0℃ (0℃以下为±1.5℃)   10. 光照度调节范围:0~100%Emax无级调光   11. 工作仓内风向及风速:近水平0.1m/s~0.3m/s   12. 压缩机工作方式:间歇运行   13. LED光照板使用寿命:50000h   14. 仪器运行方式:全年连续运行   15. 电源:50HZ,220V ±10%
宁波东南仪器有限公司 2022-05-25
双数码管LED式
产品详细介绍  特点:  ■单路输出  ■双数码管LED分别显示输出电压和输出电流值  ■稳压稳流状态自动转换,并由发光管指示  ■采用电流限制保护方式,限流点任意调节  ■全塑面框,外型精致实用   ■纹波与躁音:CV≤1mvrms CC≤5mAms  ■电源效应: CV≤1×10-4+0.5mv CC≤2×10-3+1mA  ■负载效应: CV≤1×10-4+2mv CC≤2×10-3+3mA   ■体积与重量: 285×155×133  
乐清苹果仪器有限公司 2021-08-23
磁性固定器件应用及其产业化
未来装配式建筑构件若实现工业化、标准化和智能化制造,关键环节是要求构件成型模具拆装灵活,便捷高效,可重复使用,并具通用性。高性能磁性固定器件就是为简化预制混凝土构件模具安装而设计开发的一种新型无损模具固定装置,旨在解决传统螺栓锚定对生产平台的破坏性、难拆卸、通用性差的技术难题。
南京大学 2021-04-10
新型多门控超导纳米线逻辑器件
为了追求极限性能,越来越多的电子系统需要在低温条件下工作。例如,在量子计算机、高性能传感器、深空观测以及一些经典信息处理系统中,通常使用工作温度为2K甚至是mk温区的低温器件,从而在噪声、速度和灵敏度等方面实现接近量子极限的性能。对于这一类低温系统,信号读取与处理通常采用两种方式:第一种是采用超导数字电路SFQ(单磁通量子技术)来实现高性能计算和处理;第二种是将信号传送至几十K的温区,再采用低温CMOS技术对进行信号处理。然而,不论采用何种技术路径,数字电路的功耗都必须控制在极小范围之内,从而保持极低温的工作环境,维持低温器件的高性能。随着应用需求的提高和低温阵列器件规模的扩大,低温电子系统性能受到信号处理和传输技术的制约,急切需要新的方案进行解决。 图1. (a) 采用超导纳米线结构实现的12门控或逻辑门;(b) 超导纳米线数字编码器芯片照片。针对此问题,南京大学吴培亨院士领导的超导电子学研究所团队,赵清源教授和康琳教授课题组设计出新型多门控超导纳米线逻辑器件(superconducting nanowire cryotron, nTron),并利用此器件搭建经典二进制数字编码器;在1.6K的温度下,成功实现数字信息编码,总功耗小于1微瓦(10-6瓦)。同时,他们还利用此编码器对超导纳米线单光子探测器阵列实现数字化读出,为低温阵列探测器的信号读出和处理提供第三种解决方案。图2. 超导纳米线逻辑芯片实现对单光子探测器阵列的数字化读取。半导体数字电路,经历了从电子管、晶体管、混合集成电路至大规模集成电路的发展过程。每一代技术的升级变革,其核心推力都是基础逻辑器件的更新换代。前沿技术领域对超导电子器件的应用需求,也正将超导电子技术推向数字化的发展时代。南京大学吴培亨院士团队基于超导纳米线技术,开展了新型超导逻辑器件(nTron)的研究工作。nTron为单层平面器件,利用局部超导相变,实现高速低功耗的开关逻辑。
南京大学 2021-04-11
分子基光催化产氢器件多相化
在利用太阳能分解水制取氢气的催化剂研究上取得新进展。该研究工作借鉴自然界光合作用,在多个光敏中心多个催化中心产氢器件构筑的基础上,进一步将其植入到金属有机框架材料中,模拟自然界酶催化环境中质子和电子的传输与转移,在有效规避分子基催化剂稳定性差的同时,极大地提高了光催化产氢性能,为人工模拟光催化剂的设计和构筑提供了新的思路。 人工模拟光合作用,利用太阳能在催化剂作用下分解水制取氢气,是实现将太阳能转化为清洁的化学能,解决人类社会面临的能源危机和环境污染问题的理想途径。在早期,我校化学学院苏成勇教授和石建英副教授研究团队发展了空间上相互独立、功能上相互等价,集合8个光敏金属有机钌中心和6个催化Pd2+中心于一体的金属-有机分子笼产氢器件[Pd6(RuL3)8]28+(MOC-16),在单一分子笼内构筑出多个相互独立的能量传递和电子转移通道,获得了高达380 μmol h-1的初始产氢速率和635的TON(48h) [Nature Communications, 2016, 7: 13169]。虽然金属有机分子笼提高了分子基催化剂的产氢性能,但光照条件下的稳定性仍然是制约其进一步应用的决定因素。       最近,我校化学学院苏成勇教授和石建英副教授研究团队又基于配位组装策略实现了Au25(SG)18纳米簇在金属有机ZIF-8主体框架内部和外表面的可控组装[Advanced Materials, 2018, 30,1704576]。采用相似策略,他们将MOC-16植入到ZIF-8主体内,进一步将ZIF-8转化为Znx(MeIm)x(CO3)x (CZIF),获得了MOC-16@CZIF催化剂。
中山大学 2021-04-13
新型硅基环栅纳米线MOS 器件
已有样品/n在主流硅基FinFET集成工艺基础上,通过高级刻蚀技术形成体硅绝缘硅Fin和高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀SiO2相结合,最终形成全隔离硅基环栅纳米线MOS器件的新方法。并在取代栅中绝缘硅Fin释放之后,采用氧化和氢气退火两种工艺分别将隔离的“多边形硅Fin”转化成“倒水滴形”和“圆形”两种纳米线结构。
中国科学院大学 2021-01-12
氮化镓高压电力电子器件
已有样品/n基于AlGaN/GaN异质结材料体系,通过采用导电机制融合和能带分区调控的先进技术路线改变传统氮化镓肖特基二极管正向电压与反向电流等参数之间的经典调控规律,采用无损伤工艺,提升了器件的均匀性和可靠性,进一步提升了氮化镓肖特基二极管的性能。测试结果达到1700V反向耐压,正向开启电压达到0.38V以及高防浪涌能力,为肖特基二极管器件市场提供了一种新选择。
中国科学院大学 2021-01-12
阳离子基阻变器件电流-保持特性
已有样品/n通过石墨烯缺陷工程控制活性电极离子向阻变功能层中注入的路径尺寸和数量,集中化/离散化阳离子基阻变器件中导电通路的分布来调控其稳定性,此工作是该领域首次在相同结构阻变器件中实现电流-保持特性的双向调控,这种通用的基于二维材料阻挡概念的离子迁移调控方法,也能够移植应用到离子电池,离子传感等研究领域。
中国科学院大学 2021-01-12
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