本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件，该存 储器件由芯壳型纳米线作为 NAND 串组成，所述 NAND 串垂直于衬 底。利用芯壳型纳米线作为 NAND 串制作存储器件，不仅使器件的结 构更加简单，也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤，简 化了制备过程，对降低制造成本有积极作用

本发明公开了一种传输线和漏波天线复用器件及其波束扫描方法，所述器件包括介质基板，分别位于介质基板上下表面的金属条带和金属地板，以及通过过孔连接金属地板和金属条带的周期性交替排列的电容和变容二极管。金属条带包括两端的渐变微带线结构和中间的人工表面等离激元结构。当变容二极管的容值与固定电容的容值一致时，该器件的表面阻抗一致，实现传输线的功能；当变容二极管的容值与固定电容的容值不一致时，该器件的表面阻抗得到周期性调制，实现漏波天线辐射功能。采用电压作为调节手段，随着电压的改变能够实现波束定频扫描； 该器件制造简单、操作方便、容易集成，只需要一步光刻过程，不仅节省造价，而且避免了多层结构引发的加工误差。

本发明涉及一种白光LED用含氮硅酸盐绿色发光材料及制备方法。该发光材料的化学组成可表示为：Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+，0.003≤x≤0.06，0.1≤y≤0.8。其制备过程为：（1）以硝酸钙（CaN2O6·4H2O）、硝酸铕（EuN3O9·6H2O）正硅酸乙酯（C8H20O4Si）、氮化硅（Si3N4）为原料，采用溶胶凝胶法，获得前驱体，（2）将所得前驱体与氮化硅粉体混合均匀，在非还原性气氛下于1000~1200℃焙烧2~4小时，获得Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+荧光粉。所得发光材料，发光性能显著，在近紫外到紫光波长范围（300~400nm）有宽带吸收，发射出强度高的绿色光（500~504nm）。通过氮化硅与前驱体的混合焙烧，在不需要任何还原气氛下，将Eu3+还原为Eu2+，制备方法简单、安全。

本实用新型公开一种基于分段线性恒流驱动器的LED路灯，它包括路灯外壳、路灯底板和光引擎模块。本实用新型采用分段线性恒流驱动芯片驱动发光二极管，路灯的功率因素可以达到0.97以上，电流谐波总失真可以小于25％。本实用新型具有电路结构简单、制造成本低等优点。

本发明属于量子点 LED 封装领域，具体涉及一种高发光效率的量子点白光 LED，其中，LED 芯片固定设置在基板表面，量子点硅纳米球附着在 LED 芯片表面，荧光粉胶将量子点硅纳米球和 LED 芯片完全包裹住，所透光壳体直接安装在基板上或通过一模塑料固定在基板上方，并将荧光粉胶、LED 芯片和量子点硅纳米球密封在内，透光壳体内的空隙处填充有封装胶。本发明还公开了一种高发光效率的量子点白光 LED 的制备方法。本发明的量子点 LED 能够显著提高白光LED 的发光效率，在生产中能够更加便捷地控制量子点与荧光粉各自的发光光谱，从而得到所需的理想型发光，且可显著减少量子点的用量，节约生产成本。

本发明公开了一种基于激光诱导的 LED 荧光粉涂覆装置及方法，包括激光阵列产生系统、固定件、 三维移动平台、实时监控系统、紫外固化装置和控制中心，其中：激光阵列产生系统，用来产生单束或 多束的激光阵列，且产生的激光阵列照射至透明基板上表面；固定件，用来将透明基板固定于三维移动 平台上方；三维移动平台，用来放置 LED 芯片并使 LED 芯片三维移动；实时监控系统，用来实时监控 LED 芯片位置数据以及涂覆于 LED 芯片周围的荧光粉层的形貌和分

针对现有的LED照明系统普遍采用LED灯具与驱动电源一体化的“一灯一电源”供电模式，导致LED驱动电源寿命较短，与LED的寿命不匹配，以及效率低、功率因数低，无冗余、可靠性较差的共性问题，该专利在国际上首次提出LED照明集中式直流供电新技术，并采用冗余并联技术、软开关技术与集中调光技术等措施，实现LED照明系统的长寿命、高效、高功率因数、高可靠性、具有统一线性调光的功能，大大降低了系统的生产成本与维护成本，使得LED照明得以大规模推广和应用。该专利以普通许可方式许可东莞市石龙富华电子有限公司等企业实

本实用新型公开了一种用于可见近红外光谱检测的LED光源装置。包括驱动电源、LED发光源、套筒、支架、和螺纹圈，套筒安装在支架上，套筒左端内安装有LED发光源，套筒右端内设置有光路组件，并在右端内壁设有内螺纹，LED发光源与驱动电源相连；光路组件包括沿光轴依次布置在套筒右端的阶梯孔端内并通过连接在套筒右端内螺纹上螺纹圈轴向固定的左平凸透镜、光阑和右平凸透镜。本实用新型发射的光线直接照射被测对象，然后再采集透射光谱，能够适应静态透射检测和在线动态检测，本实用新型具有节能环保的优点。

本实用新型提供了一种LED紫外耦合等离子体的果蔬保鲜库，由果蔬保鲜库、冷风机、等离子体发生装置、等离子体发射器、LED紫外光源、鼓风机、气体输送管路、搁物架组成。启动保鲜库总电源，打开LED紫外光、等离子体发射器，通过调节等离子体发射器的发射功率和时间，对保鲜库内气体进行处理，处理后气体通过输送风机、输送管路、输送风口送入保鲜库，对搁物架盛放的果蔬产品进行处理。本实用新型保鲜库结构简单，操作方便，利用该保鲜库进行果蔬贮藏保鲜不仅能够高效、快速地杀灭微生物，而且能够降解果蔬农药残留，降解乙烯，诱导果蔬气孔缩小，抑制果蔬的生理代谢，且保持果蔬原有的色、香、味及营养成分，增加果蔬的贮藏期。