芯片是信息科技的基础与推动力。然而，现有的硅基芯片制造技术即将触碰其极限，碳纳米管技术被认为是后摩尔技术的重要选项。相对于传统的硅基CMOS晶体管，碳纳米管晶体管具有明显的速度和功耗综合优势。IBM的理论计算表明，若完全按照现有二维平面框架设计，碳纳米管技术相较硅基技术具有15代、至少30年以上的优势。此外，Stanford大学的系统层面的模拟表明，碳纳米管技术还有望将常规的二维硅基芯片技术发展成为三维芯片技术，将目前的芯片综合性能提升1000倍以上，从而将物联网、大数据、人工智能等未来技术提升到一个全新高度。

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近些年LED照明技术革命引起世界各国的普遍重视，市场潜力巨大，其中LED封装胶是LED应用的关键材料之一，其主要功能在于负载荧光粉并为供芯片提供足够的保护，使其发光更亮、更持久。封装胶材料对LED芯片的功能发挥具有重要的影响，散热不畅或出光率低均会导致芯片的功能失效，目前市场上高端LED封装胶主要由道康宁、信越等国外公司垄断。 本项目研制了新一代LED封装胶，并建立了新的胶联理论和方法，解决了以往封装胶合成过程中需要金属催化剂而引起的金属残留问题，提高了封装胶材料的性能和寿命，相对于现用的市场上的国外标杆产品，北航自主开发的新一代LED封装胶在耐老化性能、抗黄变性能方面通过了更为苛刻的实验测试，且原材料成本低廉，极具市场竞争力。

本实用新型提供一种可充电 LED 台灯，包括 LED 灯、降压变压器 T、电池 E、电池充电电路、电 池放电电路、电量检测电路、市电供电电路、控制电路；控制电路接收来自市电和电池的工作状态电信 号，并向自动切换开关发送控制信号。插头插电情况下，选择市电供电电路，若此时电量检测电路监测 到电池电量不足，市电通过电池充电电路、控制电路与电池接通，市电为电池充电，电量检测电路监测 到电池电量已满，控制电路断开市电与电池的连接。当市电故障时，控制自动切

成果简介对于大电流注入下的高功率 LED 而言， 光衰是 LED 普遍存在的问题。 主要原因有载流子在多量子阱（MQW） 上的溢出（overflow）； LED 芯片的晶体内部的缺陷导致的非辐射复合； 在大注入条件下， 载流子分布的不均匀； 以及 LED 结构设计合理性等原因； 这些因素在 LED 材料生长过程中（采用 MOCVD 技术） 就已经决定。 而大功率 LED 在实际应用过程中另外一个瓶颈就是芯片的热输运处理问题。 在大注入条件下， 过高的 pn 结结温， 导致

项目 参数 输入电压 AC90～245V 频率范围 50/60Hz 功率因数 ≥0.95 认证符合 CCC 电路保护 短路保护，过流保护，过电压保护，抗浪涌，防雷及过温保护 光源 Osram/COB 功率 100W-1000W 配光曲线 Refer to "light distribution curve" 光斑 对称/非对称配光 相关色温 3000-6500K 灯具光效 ≥100lm/W 显色指数 ≥70 材质及表面处理 高强度铝合金电泳防腐 反射器 高纯铝(99.98%)阳极氧化反射器，反射率＞94% 防护玻璃 厚度5mm钢化玻璃 外形尺寸 详见尺寸图 净重 祥见重量图 防护等级 IP 65 工作湿度 10%～95%R.H. 工作温度 -30℃～+50℃ 储存温度 -40℃～50℃ 外壳温度 ＜60°(Ta=25℃) 寿命Ta=25℃ 50000H 维护系数 0.9

灯具采用整体式铝合金结构设计，造型简洁、易于安装； 灯罩采用优质pc扩散材料,有效减少嫁光； 釆用优质高效的隔离恒流驱动，高p无频闪； 密封式设计、防尘、防蚊虫；技术性能指标符合国家强制认证标准；

产品详细介绍

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