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宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14
基于射线数字成像的产品无损检测与质量控制
这是一种基于非晶硅面阵探测器的射线数字成像技术，具有实时射线成像（RTR）、数字射线成像（DR）和三维层析（3D-CT）成像功能，可覆盖国防和国民经济各行业大、中、小型结构的高、低能（0.02-9MeV)工业射线数字检测需求，并可根据用户要求进行定制设计开发，特点如下：1. 集成度高、功能强大：以一套系统实现RTR、DR和3D-CT三种功能，实现构件RTR/DR/3D-CT快速检测技术的开拓；2. 性价比高，软件功能强大，可定制开发。 本技术已较为成熟，已为航空、航天、能源、核工业和特种设备行业开发多套此种设备，均已投入实际使用，获得了良好的应用效果。市场应用前景良好，可解决发动机缸体、机匣、叶片、轮胎、轮毂、管道等产品的无损检测与质量控制问题。 透度灵敏度优于GJB1187A-2001规定的B级像质；空间分辨率在5lp/mm以上；成像帧频1-30f/s可调，检测速度快。
北京航空航天大学
2021-04-13
皓白电机-X2
了解更多产品详情，请与我们联系 180 6798 3675
公司官网：https://www.lierda.com
浙江利尔达客思智能科技有限公司
2021-08-23
骇氪X680
骇氪系列教学训练无人机专为教学、比赛、开发、应用扩展而设计;当有任务需求时，又可随时投入到应用中，实现一机多用。在空间、体积、重量受到严格控制的前提下，完成了功能模块化、接口标准化、载荷模组化等功能的实现。
X680是整合了我司多年在无人机研发、维修、应用、培训、教学的经验设计的用于教培领域开创性的产品，可以直接在本机实现结构原理讲解、常规故障、隐性故障的设置，现场快速检测、判断故障、快速恢复等特点，教学内容及故障设置贴合实战应用场景，贴合关键原理，适用于各类院校及培训机构的实用人才的培养，以及市场上很难实现的维修维保专业人才的培养。
X680在教学的同时，也可以快速用于各类无人机赛事中的专业比赛器具，可通过统一标准，对不同需求，设置相应难度等级，并通过可量化的标准对结构组装、飞机调试、故障检测、航线规划、飞行等各项比赛结果进行判断，实现一机完成教学和比赛。
X680的设计之初就考虑到教、用结合，整体飞机结构设计和地面站设计的时候就充分考虑了实际应用的需求，即x680在用于教学的同时也可以灵活的用于实际应用，预留的各种设计后期可实现双rtk、毫米波雷达、激光传感器等扩展应用。
旭日蓝天（武汉）科技有限公司
2023-02-27
松叶横切(40X)
产品详细介绍
张家港市浪花生物制片有限公司
2021-08-23
威布三维Wiiboox Reeyee Pro 2X 3d扫描仪
产品详细介绍
1.扫描模式：手持精细扫描，手持快速扫描
★2.尺寸精度：手持精细扫描模式：±0.05mm，各方向误差≤0.3mm/m；手持快速扫描模式：±0.1mm，各方向误差≤0.3mm/m；
3.扫描速度：线扫描模式：1,000,000点/秒；面扫描模式：1,500,000点/秒；
★4.可变分辨率：≥0.2mm，扫描时分辨率可以通过系统软件在扫描后根据需要调整，无须通过更换硬件镜头来实现
5.单幅扫描范围：135*100mm——225*170mm
6.工作中心距离：400mm
7.景深：200mm
★8.光源：三色LED（非激光，不污染环境及危害人身健康）
★9.拼接模式：标志点拼接，特征拼接，手动拼接，混合拼接
10. 输出数据是否可直接打印： 无须借助第三方软件，软件自带修补孔，标志点修补，平滑，锐化，缩放，简化，数据编辑等功能，直接输出融合后的完整STL模型，直接进行3D打印
11.移动终端实时显示功能：在扫描过程中，借助移动终端设备，可实现扫描状态在计算机与移动终端的同步分屏显示，实时监测扫描进程，更便利地观察扫描实况。
12.数据输出格式：STL，ASC，OBJ，PLY，3MF
13.系统支持： Win7,Win8,Win10,64bit
14.电脑要求：显卡：NVIDIA GTX1060及以上，显存：>4G，处理器：I7及以上，内存：16G及以上
15.扫描头含数据线重量：≤1.13kg
★16.素材支持：配备一个3d素材库，素材库数量须大于2万个，素材涵盖人物、卡通、教育、建筑、时尚、玩具、动物、植物、家居、工具、动漫游戏等类别，素材拥有25个以上特色专题，每个专题包含至少5个以上同类别优质素材。素材库包含网站及APP，APP同步支持安卓及IOS下载，素材库系统须取得电脑终端与iphone移动终端及Android移动终端《计算机软件著作权登记证书》。
2. 提供生产厂商对本项目的原厂项目授权委托书及售后服务承诺书原件。（须加盖生产厂商单位公章）
3. 投标单位配备的3D模型库需提供《软件著作权登记证书》。（复印件并加盖软件供应商单位公章）
南京威布信息科技中心（有限合伙）
2021-08-23
批量生产的 InP、GaSb、InAs 开盒即用单晶片
可以量产/nInP、GaSb 单晶片主要作为衬底材料外延生长各种微波器件用微结构外延材料 （如 HEMT、HBT）、大功率激光器等的多量子阱材料，中长波红外探测器材料等， 其主要应用领域包括移动通信、卫星通信、导航、光纤通信、高效太阳能电池、夜 视、大气监测、国防技术等。主要技术：2-4 英寸化合物半导体磷化铟(InP)、锑化 镓（GaSb）和砷化铟（InAs）单晶生长和晶片加工技术。
中国科学院大学
2021-01-12
钨酸镉闪烁单晶材料的制备技术与器件应用
宁波大学晶体材料实验室在国际上首次成功开发钨酸镉(CWO)闪烁单晶的坩埚下降法生长技术，自主掌握CWO单晶材料制备专利技术。
一、项目分类
关键核心技术突破
二、成果简介
闪烁单晶是广泛应用于高能射线探测成像技术的光学功能材料。宁波大学晶体材料实验室在国际上首次成功开发钨酸镉(CWO)闪烁单晶的坩埚下降法生长技术，自主掌握CWO单晶材料制备专利技术。近年来所制备闪烁单晶性能完全达到射线探测器制造所要求实用化指标，CWO闪烁单晶材料可广泛应用于安检设备、集装箱检查系统、CT诊疗仪等技术领域。迄今已经形成单晶原坯、多规格晶片和单晶阵列的批量生产能力，相关材料产品已销往国内外相关射线探测成像设备制造厂商。
宁波大学
2022-08-16