中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等

在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用

本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优

这是一种基于非晶硅面阵探测器的射线数字成像技术，具有实时射线成像（RTR）、数字射线成像（DR）和三维层析（3D-CT）成像功能，可覆盖国防和国民经济各行业大、中、小型结构的高、低能（0.02-9MeV)工业射线数字检测需求，并可根据用户要求进行定制设计开发，特点如下：1. 集成度高、功能强大：以一套系统实现RTR、DR和3D-CT三种功能，实现构件RTR/DR/3D-CT快速检测技术的开拓；2. 性价比高，软件功能强大，可定制开发。 本技术已较为成熟，已为航空、航天、能源、核工业和特种设备行业开发多套此种设备，均已投入实际使用，获得了良好的应用效果。市场应用前景良好，可解决发动机缸体、机匣、叶片、轮胎、轮毂、管道等产品的无损检测与质量控制问题。 透度灵敏度优于GJB1187A-2001规定的B级像质；空间分辨率在5lp/mm以上；成像帧频1-30f/s可调，检测速度快。

该仪器符合GB/T 20104-2006《煤自燃倾向性色谱吸氧鉴定法》。 产品介绍及应用领域： 气相色谱仪是一种多组分混合物的分离、分析工具，它主要利用物质的物理性质对混合物进行分离，测定混合物的各个组分，并对混合物中的各个组分进行定性、定量分析。 最早色谱法被应用于分离植物的叶绿素。将植物的石油醚抽取液倒入一根装有粉状碳酸钙吸附剂的玻璃   柱管内，再加入纯的石油醚，任其自由流下，结果在柱管中出现了不同颜色的谱带，因而有了“色谱”之名。 后来这种方法逐渐被应用于无色物质的分离。在色谱分析中用的“色谱 ”名称并没有颜色特殊含意，但是“色谱”这个名称还是保留了下来，沿用到现在。 由于该分析方法有分离效能高、分析速度快、样品用量少等特点，因此目前已广泛地应用于石油化工、生物化学、医药卫生、卫生检疫、食品检验、环境保护、食品工业、医疗临床等部门。气相色谱法在这些领域中解决了工业生产的中间体和工业产品的质量检验、科学研究、公害检测、生产控制等等问题。 工作原理： 气相色谱仪是以气体作为流动相（载气）。当样品被送入进样器后由载气携带进入填充色谱柱或毛细管色  谱柱。由于样品中各个组份在色谱柱中的流动相（气相）和固定相（液相或固相）之间分配或吸附系数的差  异。在载气的冲洗下，各个组份在两相间作反复多次分配，使各个组份在色谱柱中得到分离，然后由接在色  谱柱后的检测器根据组份的物理化学特性，将各个组份按顺序检测出来。再由二次仪表（如记录仪式、积  分仪、色谱工作站等）将各个组份的检测结果以图形方式记录下来，积分仪或色谱工作站还可以直接打印包  括各个组份检测结果数据的分析报告。 煤自燃倾向性测定气相色谱仪就是根据上述原理制造的分析仪器。    技术参数： 温控指标 柱箱 温度控制范围：室温上（6～399）℃ 温度控制精度：在200℃以内精度为±0.1℃；在（200～399）℃以内精度为±0.2℃ 程序升温范围：室温上（6～399）℃ 程升阶数：三阶 程升速率：（0.1～39.9）℃/min（注：原文此处表述可能存在格式问题，推测应为0.1～39.9℃/min，并可能附带不同温度段的速率说明，如室温上（6～200）℃为0.1～20℃/min，≥200℃时速率范围未明确，建议以仪器实际参数为准） 进样器 温度控制范围：室温上（6～399）℃ 检测器 氢火焰离子化检测器（FID）温度控制范围：室温上（6～399）℃ 热导池检测器（TCD）温度控制范围：室温上（6～399）℃ 检测器技术指标 氢火焰离子化检测器（FID） 检测限：DFID≤5×10⁻¹¹g/s（正十六烷） 基线噪声：≤1×10⁻¹³A 基线漂移：≤2×10⁻¹²A/30min 热导池检测器（TCD） 灵敏度：STCD≥2000mV·mL/mg（苯甲苯） 基线噪声：≤0.050mV 基线漂移：≤0.15mV/30min   注：（用户自备：氮气和氧气，纯度要求均为99. 99%以上）

可以量产/nInP、GaSb 单晶片主要作为衬底材料外延生长各种微波器件用微结构外延材料 （如 HEMT、HBT）、大功率激光器等的多量子阱材料，中长波红外探测器材料等， 其主要应用领域包括移动通信、卫星通信、导航、光纤通信、高效太阳能电池、夜 视、大气监测、国防技术等。主要技术：2-4 英寸化合物半导体磷化铟(InP)、锑化 镓（GaSb）和砷化铟（InAs）单晶生长和晶片加工技术。

宁波大学晶体材料实验室在国际上首次成功开发钨酸镉(CWO)闪烁单晶的坩埚下降法生长技术，自主掌握CWO单晶材料制备专利技术。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 闪烁单晶是广泛应用于高能射线探测成像技术的光学功能材料。宁波大学晶体材料实验室在国际上首次成功开发钨酸镉(CWO)闪烁单晶的坩埚下降法生长技术，自主掌握CWO单晶材料制备专利技术。近年来所制备闪烁单晶性能完全达到射线探测器制造所要求实用化指标，CWO闪烁单晶材料可广泛应用于安检设备、集装箱检查系统、CT诊疗仪等技术领域。迄今已经形成单晶原坯、多规格晶片和单晶阵列的批量生产能力，相关材料产品已销往国内外相关射线探测成像设备制造厂商。 

本项目共包括10项授权专利，其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术，同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等，共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。（1）建成了我国第一条大尺寸磁

新型光电器件中载流子传输层与金属卤化物钙钛矿单晶异质原位集成的关键问题，在无机电子传输层上异质原位生长高质量全无机金属卤化物钙钛矿单晶方面取得研究进展 在全无机电子传输层

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