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纳米
能源材料
通过“二维限制效应(two-dimensional confinement, 2DC)”能够使无催化活性的非晶态材料转变成为高性能的光催化分解水制氢材料即二维非晶光催化剂。他们采用自己发展的“金属氧化物纳米晶LAL(laser ablation in liquids, LAL)非晶化”技术,在纯水中将Ni纳米晶转化为二维非晶NiO纳米片,并且证实了其在不添加任何贵金属助催化剂的情况下可以实现高效光
中山大学
2021-04-14
一种
单晶
石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷,提出了一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法,缓解了衬底与薄膜之间的应力产生,得到的单晶石榴石厚膜可作为磁光或微波厚膜应用,该方法制得的磁光厚膜的厚度可达100µm以上。
电子科技大学
2021-02-01
基于 Bi 基四元卤化物
单晶
的半导体辐射探测器及制备方法
本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法,涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层,电子选择性接触选择层,空穴选择性接触层,分别贴合在所述 吸光层的两面,两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触,作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度,环境友 好,稳定等优点。
华中科技大学
2021-04-14
过度氧化诱发的非晶合金
纳米
管超弹性研究获进展
为剖析非晶合金纳米管超弹性的结构起源,该团队综合利用三维原子探针技术(3D-APT)、电子能量损失谱(EELS)、X射线光电子能谱(XPS)、导电原子力显微分析技术,解析了Zr基非晶合金纳米管及纳米片中氧的形态和分布。
中国科学院物理研究所
2024-01-08
一种基于光学天线的
片
上无线光通信系统
本发明公开了一种基于光学天线的片上无线光通信系统,现有关于光学频段天线的发明与研究多是基于诸如透镜、反射镜等传统光学器件,这些设计只适用于较大的光学范围。本发明利用金属光学天线自身的定向辐射特性,采用片上系统集成的方式,将光学天线发射基站、反射单元、光学天线中继单元以及光学天线接收终端构成基于光学天线的片上无线光通信系统。该系统能够大大降低通信网络中器件的串扰与功耗,同时使得系统空间响应大大减小达到亚波长量级,进而提高整个光纤通信网络的传输带宽与响应速度。
浙江大学
2021-04-11
一种汽车刹车
片
厚度实时检测系统及其检测方法
简介:本发明公开了一种汽车刹车片厚度实时检测系统及其检测方法,属于汽车刹车系统领域。本发明的刹车卡钳上均设置有两个涡流传感器,用于实时检测刹车片的厚度信号,涡流传感器与采样电阻、传感器电源开关依次串联后接入传感器电源两侧,通过采样电阻将涡流传感器采集的电流信号转换为电压信号,并将采样电阻接入信号处理模块的输入端,信号处理模块用于计算刹车片的厚度,显示模块与信号处理模块相连接,用于显示刹车片的厚度信息,且信号处理模块的输出端接有声光警报装置。本发明结构简单,测量精度高,相比接触式开关原理的刹车片磨损检测系统,能够提供更多的关键信息,而且实施方便,通用性高,增加了驾驶员的安全掌控能力。
安徽工业大学
2021-04-13
一种微机电系统的圆
片
级真空封装工艺
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺,属于微机电系统的封装方法,解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小,容易损坏,以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括:淀积吸气剂步骤;淀积薄牺牲层步骤;淀积缓冲腔牺牲层步骤;淀积厚牺牲层步骤;制作封装盖步骤;刻蚀释放孔步骤;去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短,密封质量低,封装尺寸大,工艺与标准 IC 工艺不兼容,成本高的问题,从而保证最里面的腔体气压;同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封
华中科技大学
2021-04-14
芊生缘牌沙棘绿豆排铅咀嚼
片
(暂定名)
我国保健食品发展很迅速,与铅中毒―防重于治‖发展趋势吻合的 排铅消食保健食品将成为新经济增长点。该产品经具有国家保健食品评价资质的湖南疾病预防控制中心 动物功能评价结果提示对动物具有促进排铅的功能,人体试食提示具 有促进排铅功能,安全性评价提示 30 天喂养对大鼠未见明显毒副作 用。该产品除了具有排铅的功能还有消食的功能。该产品 2015 年已经报国家保健食品审评中心评审,根据 2018 年 5&nbs
兰州大学
2021-04-14
芊生缘牌沙棘绿豆排铅咀嚼
片
(暂定名)
该产品经具有国家保健食品评价资质的湖南疾病预防控制中心动物功能评价结果提示对动物具有促进排铅的功能,人体试食提示具 有促进排铅功能。
兰州大学
2021-01-12
抗工艺涨落的自修调集成电路
片
上振荡器
本发明公开了一种抗工艺涨落的自修调集成电路片上振荡器,包括集成于同一芯片的用于产生基准脉冲的基准振荡单元,用于产生输出脉冲的待修调振荡单元,以及用于接收基准脉冲和输出脉冲,并根据接收到的基准脉冲和输出脉冲向待修调振荡单元发出相应的修调信号,控制待修调振荡单元对输出脉冲进行频率修调的自修调逻辑控制单元。由可片内集成的基准振荡单元提供频率调修所需的基准脉冲,并在修调完成后关闭基准振荡单元,实现了输出频率的片内自修调,避免片外修调,有利于降低芯片制备成本。且硬件结构简单,容易实现,并在不修调时,关闭基准振荡单元,降低芯片的功耗。
浙江大学
2021-04-13
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