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有机染（颜）料清洁生产及浓盐水处理关键技术
染（颜）料及医药中间体是国民经济和国计民生密切相关的重要产业，我国染（颜）料生产能力、产量及出口量已远超其他国家。然而生产技术的相对滞后、生产效率低下及污染严重等问题已成为严重影响行业发展、危害人体健康和生态安全的瓶颈问题。我国“十一五”至“十三五”发展规划、天津市中长期发展规划以及2015年国务院最新发布的《水污染防治行动计划》均把染（颜）料行业清洁生产以及加快行业结构调整，向绿色化、高端化发展提升到国家经济发展战略高度。在这一背景下，本项目组以天津城建大学和天津大学研发、天津炜杰科技有限公司和山
天津城建大学
2021-01-12
高温固体散料自均衡热量蓄存及余热分级提取技术
工业中大部分高温固体散料是宽粒径分布（0.1-20mm）的混合物料，微细粉体填充在块料的空隙，冷却气体既吹不起散料，也穿不透散料，难以直接从散料取走热量；移动床内间接换热过程中管间距过大换热不充分，管间距过小颗粒易堵塞，热回收效率低；高温散料的粒度覆盖范围宽、产率及温变跨度大，余热回收难度大、效率低，技术不成熟。针对现有的余热回收工艺适用性差、回收效率低，对于含微细粉体且粒度分布宽、产率及温变跨度大的余热散料难以有效回收的现状，设计开发适应粒度、产率和温度宽范围变化的高温散料均匀布料装置和自均衡连续出料装置；研发以散料侧多频喘动及流体侧强化换热为特征的间壁式换热技术；提出适用于粒度、温度和产率宽阈度变化的热质自均衡蓄存技术与热量分级提取方法，形成组合式散料蓄存与余热分级提取工艺。
北京科技大学
2021-04-13
粉煤灰等固体废弃物的塑料填料/母料技术
上海交通大学
2021-04-13
应力吸收层沥青混合料贯入试验数值分析与试验评价
技术创新性：采用灰关联分析法，提出了沥青高温黏度和软化点是影响应力吸收层沥青混合料高温抗剪变形能力的两个主要因素。
技术依托单位：天津第三市政公路工程有限公司、天津城建大学
技术性能特点：明确了粗细集料分布均匀的应力吸收层混合料级配范围；提出了破坏荷载、破坏模量等评价应力吸收层沥青混合料抗剪性能的主要指标；可进行应力吸收层沥青混合料的级配设计和应力吸收层复合式路面结构高温抗剪性能的评价。
天津城建大学
2021-01-12
超声引发溶液聚合制备纳米铁聚合物复合材 料
本发明涉及超声引发溶液聚合制备纳米铁聚合物复合材料的方法。将三氯化铁、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、甲苯和偶氮二异丁腈混合均匀，在氮气保护条件下超声辐射，得到反应后溶液；向反应后溶液中加入无水甲醇进行沉淀，过滤得到沉淀物，将沉淀物洗涤、真空烘干并研磨得纳米铁聚合物复合材料，聚合物复合材料为灰黑色固体粉末。本发明在使用氮气保护、不加入还原剂的条件下，超声辐射，铁离子被还原成纳米铁颗粒，同时 MMA、St原位聚合，一步直接合成了纳米铁聚合物复合材料，这是一种相对绿色、节能又环保的方法。
安徽理工大学
2021-04-13
运动系统模型
1、参照典型人体标本及国内外经典权威教材及图谱制作，如人卫出版社丁文龙主编的《系统解剖学》、人卫出版社南京医学院主编的《人体解剖学图谱》、江苏科学技术出版社姜同喻编著的《连续层次解剖图谱》、山东科学技术出版社丁自海主译《格式解剖学》、广东科技出版社胡耀民主编的《人体解剖学标本彩色图谱》等，造型自然准确、颜色自然，满足教学需要；
张家港市华亿科教设备有限公司
2024-12-23
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
提高金属零件上耐蚀性能的高温镒系磷化技术
该项目针对 30CrMnMoTiA, 30CrNi3A、25Cr2Ni4WA 和 Nil9Co9Mo5 四种含铭、線合金钢难磷 化及磷化膜耐蚀性能低的实际生产难题，深入研究磷化膜的形成过程和磷化机理, 探讨含铭、線合金钢难磷化的内在原因；通过工艺优化，开发出了解决上面4 种合金难磷化问题的高温镒系黑色磷化新技术，开发了新工艺，应用于某厂，建 成了年处理各类零件1200万件的磷化生产线一条，使废品率由原来的8~10%降 低为现在的0.5%以内。每年产生直接经济效益近600万元，节约成本150万元。
重庆大学
2021-04-11
植物乳杆菌产细菌素研究及其在发酵香肠上的应用
一、成果简介 该课题受北京市自然科学基金项目“植物乳杆菌素对肉源李斯特氏病原菌作用机理研究”的资助，鉴于化学防腐剂在食品防腐应用中的不安全性，重点开展了新型生物防腐剂乳酸菌细菌素产生菌株的筛选，活性细菌素的分离纯化，细菌素及其产生菌株的应用研究。二、技术指标 从传统宣威火腿中分离筛选出一株高产
中国农业大学
2021-04-14
抗工艺涨落的自修调集成电路片上振荡器
本发明公开了一种抗工艺涨落的自修调集成电路片上振荡器，包括集成于同一芯片的用于产生基准脉冲的基准振荡单元，用于产生输出脉冲的待修调振荡单元，以及用于接收基准脉冲和输出脉冲，并根据接收到的基准脉冲和输出脉冲向待修调振荡单元发出相应的修调信号，控制待修调振荡单元对输出脉冲进行频率修调的自修调逻辑控制单元。由可片内集成的基准振荡单元提供频率调修所需的基准脉冲，并在修调完成后关闭基准振荡单元，实现了输出频率的片内自修调，避免片外修调，有利于降低芯片制备成本。且硬件结构简单，容易实现，并在不修调时，关闭基准振荡单元，降低芯片的功耗。
浙江大学
2021-04-13