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解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材,其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs(可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比),并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后,在超高真空条件下,研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理,并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱(ARPES)获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息,测得了电子有效质量(~0.14 m0)、费米速度(~1.69*106 m/s,约光速的1/180)及禁带宽度(~0.8 eV)等关键物理参量。
北京大学 2021-04-11
纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
研发阶段/n内容简介:纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺,构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点,广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利,专利号:200510018701.9。
湖北工业大学 2021-01-12
半导体设备超洁净流控系统及其受制约流控零部件
浙江大学聚焦超洁净流控系统基础研究、技术攻关和产品研发,攻克了影响光刻分辨率、良品率与产率的1mk级温度测控、5ppt级金属离子测控、20μm级气泡测控、50nm级残留液膜测控等关键核心技术 一、项目分类 关键核心技术突破 二、技术分析 如何通过超洁净流控技术降低流控污染,减少曝光缺陷,提升曝光良率,是国产高端半导体制造装备研制面临的重大挑战,直接关乎整机产品的产线应用性能与市场竞争力。此外,作为各类半导体制造装备的共性核心零部件,超洁净流控部件市场被美国、日本等国垄断,使我国半导体制造装备产业面临核心零部件“卡脖子”风险。浙江大学流体动力与机电系统国家重点实验室启尔团队所承担的高端半导体制造装备核心分系统之一的超洁净流控系统,自2004年以来在国家863计划和国家02专项支持,聚焦超洁净流控系统基础研究、技术攻关和产品研发,攻克了影响光刻分辨率、良品率与产率的1mk级温度测控、5ppt级金属离子测控、20μm级气泡测控、50nm级残留液膜测控等关键核心技术,完成了超洁净流控系统九大组件的研制和集成测试,为半导体制造设备扫描速度与产能的提高提供基础理论与方法依据,同时自主研发的半导体机台核心超洁净流控零部件实现了产品化,突破了国外技术的封锁,为我国半导体制造的发展与自主创新提供了基础支撑。
浙江大学 2022-07-22
探针台 高低温真空磁场型探针台 高精度半导体测试实验台
产品概述: 锦正茂高低温真空磁场探针台是具备提供高低温、真空以及磁场环境的高精度实验台,它的诸多设计都是专用的。因此,高低温磁场探针台的配置主要是根据用户的需求进行选配及设计。例如,要求的磁场值,均匀区大小、均匀度大小、样品台的尺寸等,均于磁力线在一定区域内产生的磁通密度相关联;位移台还可与磁流体密封搭配,实现水平方向二维移动和样品台360度转动;除此之外,该探针台和我司自主研发的高精度双极性恒流电源搭配使用户,可以磁场的高稳定性。因此,该类型的探针台主要依据客户的使用情况进行设计优化。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 锦正茂高低温真空磁场探针台探针台配备4个(可选6个或8个)拥有高精度位移的探针臂,同时配有高精度电子显微镜,便于微小样品的观察操作。探针可通过直流或者低频交流信号,用来测试芯片、晶圆片、封装器件等,广泛应用于半导体工业、MEMS 、超导、电子学、铁电子学、物理学、材料学和生物医学等领域。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 应用范围: 磁特性测试、微波特性测试、直流、RF特性测试,微电子机械系统,超导电性测试,纳米电路的光电属性,量子点和线,高低温真空环境下的芯片测试,材料测试,霍尔测试,电磁输运特性等。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 可选附件: þ 各类DC探针、高频探针、主动式探针、电缆线 þ CCD或C-MOS视频成像装置 þ Chuck运动装置 þ 电磁铁系统/超导磁铁系统 þ 1Mpa正压系统升级 þ 超高温升级选件 þ 超高真空升级选件 þ 各类探针夹具 þ 屏蔽箱 þ 防振桌 þ 转接头 þ 静音真空泵 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速!
北京锦正茂科技有限公司 2022-01-22
大尺寸蓝宝石单晶
蓝宝石单晶作为一种优良的透波材料,在紫外、可见光、红外波段、微波都具有良好的透波率,可以满足多模式复合制导(如电视等)的要求;同时蓝宝石单晶具有优良的机械性能、化学稳定性和耐高温性能高,强度高、硬度大、可在2000℃的恶劣环境下工作。由于蓝宝石电绝缘、透明、易导热、硬度高,在民用领域得到广泛应用,作为集成电路的衬底材料,替代了高价氮化硅衬底而被广泛用于超高速微电子电路;是发光二极管(LED)衬底的首选材料,采用蓝宝石衬底材料制成的发光二极管,其光源无灯丝、工作电压低,使用寿命可达5万到10万小时,
哈尔滨工业大学 2021-04-14
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低,可反向导通,dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为: ? 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ? 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ? 高端浮动电压轨到100V ? 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ? 快速的延迟时间 (28ns typ) ? 非常优越的延时匹配(1.5ns typ)
电子科技大学 2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。
电子科技大学 2021-04-10
基于半导体异质结概念,提出利用晶相共生现象可控合成异质结 光催化材料
基于半导体异质结概念,首次通过工艺简单,成本低廉熔融盐法合成一系列 钽酸钙基半导体异质结复合材料,发现了两元及多元半导体复合物组分及其含量 可通过改变前驱物比例简单调控,证明该异质结复合物晶相,组分变化与光催化 制氢性能有着密切关系,阐明不同钽酸钙晶相界面异质结形成促进光生电荷有效分离机制,极大地提高光催化制氢性能。
上海理工大学 2021-01-12
基于II-VI族半导体纳米异质结光探测器内在物理机制和性能研究
主要作了以下几方面探索: 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面,长期从事纳米光电器件的研究与开发,已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构,如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等,并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件,测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道,被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次;发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道,被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中,观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用,并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内,使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布,进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰,这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象,是自旋相关的界面散射的实验证据;另外,我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化,其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应,这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次,利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测,观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况,为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应,导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论,我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷,由此形成强钉扎中心,使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次,通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析,观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。
上海电力大学 2021-04-29
单晶LaB6空心阴极
北京工业大学 2021-04-14
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