|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种适用于交流保护的柔性直流双极短路解析分析方法
本发明公开了一种适用于交流保护的柔性直流双极短路解析分 析方法，应用于交流保护技术领域，将 MMC-HVDC 闭锁后换流站不 控整流分为四个临界状态，分别是三相环流、两相环流、单相环流和 无环流状态；建立这四个临界状态的电流微分方程与边界条件方程， 得出对应的电流与临界电阻解析表达式；通过线性化拟合，得出任意 短路电阻下的故障电流解析表达式，以对 MMC-HVDC 直流双极短路 故障进行分析。通过本发明可实现任意短路电阻下的交流电流计算， 弥补了交流保护整定计算无法计及 MMC-HVDC 直流双极短
华中科技大学
2021-04-14
一种集成式交流发光二极管光引擎和基板
本实用新型公开了一种集成式交流发光二极管光引擎和基板，该光引擎包括基板、在所述基板上焊接设置的单相全波桥式整流电路、分段线性恒流驱动电路和多个交流发光二极管，所述基板由印刷电路层、导热绝缘层和散热体组成，所述散热体具有散热结构，所述导热绝缘层为石墨烯-环氧树脂复合材料层。本实用新型由散热体代替了原先的散热器、导热硅脂和导热基板，简化了LED灯具构造，石墨烯－环氧树脂复合材料的导热效率大幅提高，使得光引擎的可靠性、散热效果、寿命均大幅提高，本实用新型对光引擎的生产流程进行整合、简化，缩短了灯具生产的时
安徽建筑大学
2021-01-12
关于印发《山东省科技合作与交流活动管理办法》的通知
为进一步规范我省科技合作与交流活动管理，拓宽交流合作渠道、集聚高端创新资源，按照国家、省关于活动管理方面有关规定，结合我省实际，制定本办法。
山东省科学技术厅
2025-01-01
第五届教创赛同期活动预告：教师教学能力提升系列交流活动之五 生成式人工智能驱动的高等教育教学模式创新学术活动
教育大模型与教学智能体的创新应用
高等教育博览会
2025-08-04
基于DSPIC30F系列的机电控制系统的开发
快速，实时性强，可靠性高已成为现代机电控制系统的主要研究对象，其主要依赖于数字控制系统的发展，因而数字化控制（NC）是当今机电控制技术发展的主流，是电力电子技术与运动控制学科中的一项重要技术，而DSP已成为这项技术的核心。dsPIC30F系列单片机为Microchip公司开发的一款集单片机（MCU）控制功能与数字信号处理器（DSP）的计算能力和数据吞吐能力于一身的??位微控制系统。其具有快速、复杂和灵活的中断处理，丰富的数字和模拟外设，电源管理等功能。以伺服冲床控制系统为例。
华东理工大学
2021-04-11
中国机电产品出口占比增至近六成
记者近日从商务部例行新闻发布会上了解到，今年以来，围绕“外贸创新发展年”，商务部会同各有关部门和地方，积极实施优进优出、贸易产业融合和贸易畅通“三大计划”，推动外贸创新发展，为加快构建新发展格局作出贡献。
人民网－人民日报海外版
2021-12-13
有机电荷转移分子调控二维材料电学特性研究
已有样品/n使用有机电荷转移分子F4TCNQ与MoS2结合形成范德华界面，通过F4TCNQ与MoS2之间的电荷转移来降低沟道内无栅压情况下的载流子浓度。MoS2晶体管的开启电压（Von）从负数十伏被调制至0伏附近，F4TCNQ并未导致MoS2晶体管包含迁移率在内的任何电学性能的下降，其亚阈值摆幅（SS）反而明显提升。团队成员通过第一性原理计算以及扫描开尔文探针显微镜表征证实了范德华界面处电荷转移的存在性，并研究了F4TCNQ对Mo
中国科学院大学
2021-01-12
一种基于电机电流的铣削刀具碰撞快速辨识方法
本发明公开了一种基于电机电流的铣削刀具碰撞快速辨识方法， 该方法包括如下步骤:利用刀具进行试切，监测电机电流信号，提取 表征刀具状态的电流特征量 IRMS 值;对获得的 IRMS 值进行平滑处 理，以去除干扰信号;然后根据平滑处理后的 IRMS 值标定出各工况 下的幅值、斜率;利用刀具进行实际切削，实时获取刀具在实际切削 加工过程中的经平滑处理后的 IRMS 的实测值 A 和波动周期内的最大 斜率&n
华中科技大学
2021-04-14
基于网络的大型机电装备远程运行监视和故障诊断
重点围绕实施大型机电设备预测性的状态检修需要，建立设备状态劣化监测模型，在线评价设备健康状态。采用自动逻辑推理的自主故障诊断方法，结合专家人机交互方式进行观察、推理的人工诊断方式，形成更准确全面的故障原因分析和故障定位。根据状态评价和故障定位结果，自动给出设备维修建议的方法。利用长期积累的设备试验、运行、故障前后的各种状态数据，进行设备状态劣化模型、故障诊断模型的更新和修正方法。基于Internet的远程协作诊断机制，遇到疑难问题时邀请多领域专家进行在线会商。可以用于机电设备、水电机组、风力发电机组
扬州大学
2021-04-14
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准 IC 工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封
华中科技大学
2021-04-14