低噪声放大器
一、 项目简介采用0.18 CMOS工艺进行设计了一个应用于3~5 GHz超宽带低噪声放大器,其中电路由二阶切比雪夫滤波器,电阻并联反馈,两级共源共栅结构,源级跟随器组成低噪声放大器。二、 项目技术成熟程度设计出电路原理图和集成电路版图,完成电路仿真和版图绘制三、 技术指标(包括鉴定、知识产权专利、获奖等情况)设计的低噪声放大器在中心频率上噪声系数为0.71dB,增益为25.767 dB,输入输出反射系数均小于-20dB,电路总功耗为14.76 mW。四、 市场前景(应用领域、市场分析等)设计的超宽带放大器在噪声系数、增益、功耗等方面都有着较大优势五、 规模与投资需求(资金需求、场地规模、人员等需求)一百万元完成集成电路设计,场地100平方米,30左右专业人才,集成电路设计软件使用平台,流片渠道。六、 效益分析形成集成电路产业链,预计年收入一百万以上。七、 合作方式河北工业大学技术指导,技术转让等形式,企业联系流片和测试八、 项目具体联系人及联系方式(包括电子邮箱)项目负责人:赵红东, 电话: 022-60435744,联系人:赵红东,电话:022-60435744 邮箱:zhaohd@hebut.edu.cn。九、高清成果图片2-3张LNA的噪声系数 LNA的IIP3
河北工业大学
2021-04-11