纳米荧光显影剂

研发阶段/n虽然具有荧光性能和磁响应性能的稀土类纳米材料可作为性能优良的显影剂，但是它们的生物毒性限制了其临床使用。羟基磷灰石（HAP）具有良好的生物相容性和生物活性，并且其晶体结构特别适合稀土离子掺杂，可以作为荧光稀土离子如Eu3+和磁响应稀土离子如Gd3+的基质材料。该课题组前期也开展了稀土掺杂HAP荧光纳米粒子的相关研究，证明其具有良好的生物相容性，可用于肿瘤细胞的标记。这些研究都证明稀土掺杂HAP纳米材料是一种性能优异的显影剂，而且多重功能的稀土元素共掺杂HAP可以同时实现多种类型的显影功能

武汉理工大学 2021-01-12

压印法集成电路光刻技术

本项目提出一种创新的集成电路(IC)制造工艺路线，即压印光刻(Imprint Lithography－IL)技术，并对该技术相关的压印和脱模工艺机理、紫外光固化阻蚀胶材料的物化和工艺特性、与IC制造其它工艺的综合集成和优化、压印光刻设备的关键技术等进行研究和技术开发。其基本原理为：以电子束直写刻蚀(或其它刻蚀技术)生成IC图型母板(模具)，以母板(模具)步

西安交通大学 2021-01-12

用于浸没式光刻的浸液温控装置

本发明公开了一种用于浸没式光刻的浸液温控系统，包括：用 于浸液流动的浸液管路，待温控的浸液通过一管路进口进入该浸液管 路，温控处理后的具有稳定温度的浸液通过该浸液管路的出口输出； 用于对所述浸液进行冷却的工艺冷却液回路，工艺冷却液在该回路中 循环流动；以及多个热交换器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和 工艺冷却水回路同时流经每个热交换器，并利用各热交换器分别依次 完成工艺冷却液和浸液之间的热交换，从而通过多次换热获得具有稳 定温度的浸液，实现对浸液的温度控制。本发明的装置系统采用内部 回流结构与多级热交换器相结合，实现对浸液温度的多级控制，可以 实现浸没光刻中对浸液稳定的精确稳定的控制，提供温控效率。 

华中科技大学 2021-04-11

一种光刻掩模优化设计方法

本发明公开了一种光刻掩模优化设计方法，该方法首先依据表 征掩模的网格格点尺寸大小对掩模进行分级，在粗网格上快速求解掩 模，然后对在粗网格上求解得到的掩模进行插值传播到下一级较细网 格上进行细化校正，最终实现了掩模的快速优化。 

华中科技大学 2021-04-11

微纳米压印光刻工艺及装备

微纳米结构成形是光电子制造中的核心工艺之一。压印光刻克服了传统光学光刻中光学衍射效应的限制，是一种经济、高效、高分辨的结构成形方法。 正在探索的压印工艺方法包括：UV-NIL、模板电诱导自组装纳米成形、电润湿驱动纳米压印等。   正在探讨压印光刻的应用领域包括：集成电路(IC)、微机电系统(MEMS)、生物微流控、光波导、光或磁存储、有机光电子、平板显示等器件的制造。

西安交通大学 2021-04-11

超衍射极限纳米光刻机技术

研发阶段/n1、在该方向发表论文10余篇，Nature子刊，Science子刊各一篇。。2、申报和获得该方向相关发明专利8项。其中1项授权转让给Facebook，Sony和中国一家企业。在华中科技大学申报5项发明专利，依托武汉舒博光电技术有限公司申报2项发明专利。。3、研发出2代超分辨纳米光刻样机。。4、配备光学装备开发专门团队，初步建成光学精密制造和检测平台。

华中科技大学 2021-01-12

一种光刻掩模优化设计方法

本发明公开了一种光刻掩模优化设计方法，该方法首先依据表征掩模的网格格点尺寸大小对掩模进行分级，在粗网格上快速求解掩模，然后对在粗网格上求解得到的掩模进行插值传播到下一级较细网格上进行细化校正，最终实现了掩模的快速优化。

华中科技大学 2021-04-14

用于浸没式光刻的浸液温控装置

本发明公开了一种用于浸没式光刻的浸液温控系统，包括：用于浸液流动的浸液管路，待温控的浸液通过一管路进口进入该浸液管路，温控处理后的具有稳定温度的浸液通过该浸液管路的出口输出；用于对所述浸液进行冷却的工艺冷却液回路，工艺冷却液在该回路中循环流动；以及多个热交换器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和工艺冷却水回路同时流经每个热交换器，并利用各热交换器分别依次完成工艺冷却液和浸液之间的热交换，从而通过多次换热获得具有稳定温度的浸液，实现对浸液的温度控制。本发明的装置系统采用内部回流结构与多级热交换器相结合，

华中科技大学 2021-04-14

光刻胶及液体硅橡胶的开发

悬赏金额：50万元 发榜企业：惠州市强达电子工业有限公司 需求领域：特种功能材料 LED前沿与核心技术 精细化工 电子材料、半导体材料高分子、复合材料 产业集群：先进材料产业集群 技术关键词：光刻树脂; 光刻胶; 特种硅树脂; 高性能硅橡胶; 紫外光固化技术

惠州市强达电子工业有限公司 2021-11-02

半导体光刻胶成膜树脂制备技术

1.痛点问题 光刻胶作为集成电路制备中不可或缺的一部分，已成为国家的战略资源之一。半导体光刻胶的核心在于成膜树脂，受限于研发难度大、专利壁垒高、资金投入多、准入门槛高，目前国内企业尚难以突破KrF胶（248nm）或ArF胶（193nm），而EUV胶完全不能自主供给。 2.解决方案 本项技术采用了国际最前沿的纳米氧化物团簇材料的工艺路线，可以实现单2nm小分子的光刻胶成膜树脂材料，攻克了材料合成和纳米材料提纯的难题，可满足目前半导体3nm制程节点的技术要求，RLS分辨率、边缘粗糙度、灵敏度三项关键性能指标优异，其曝光剂量远低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本线。此外，本项技术具有多种半导体光刻胶兼容性，可以生产248nm和193nm光源的半导体光刻胶成膜树脂，以及电子束半导体掩膜用光刻胶成膜树脂，具有广阔的技术替代优势和市场应用前景。 3.合作需求 本项技术已设立衍生企业，位于江苏常州的3000m2研发生产中心正在建设中。 1）融资需求：本轮天使轮融资6000万元。 2）资源对接需求：集成电路芯片制造、掩膜板生产企业，地方政府等。

清华大学 2022-07-12