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厦门大学电子科学与技术学院李澄副教授课题组指导本科生发表新型半导体光电器件衰减机制研究重要成果
研究者通过X射线光电子能谱证明界面修饰层对电子传输层与钙钛矿层缺陷的双重钝化作用;通过光、电信号的瞬态响应,证明苯丙氨酸层可提升界面处的载流子电荷转移;通过本课题组创建的宽场荧光成像显微镜,实现了抑制碘缺陷移动的实时原位观测。
厦门大学 2022-06-15
电子镇痛仪
由于创伤、切口和其它原因产生的疼痛是大多数人都经历过,且都不愿意再经历的极不舒服的感觉。 电子镇痛仪是利用经皮电刺激(Transcutaneous Electrical Nerve Stimulator,简称:TENS)原理研制的具有较好镇痛效果,且无毒副作用的电子仪器。2002年美国市场以电子绷带名称出现的TENS被R&D杂志评为当年度最有益健康的100项发明之一。美国市场售价在$120——$1050。国内也有类似产品,但由于对原理理解不足,所以使用时针刺感较强,镇痛效果不明显,同时仪器体积较大。 电子镇痛仪操作简单,将刺激电极安置于疼痛区域周围,使疼痛区域在两电极之间。调节刺激强度,根据感觉程度可以逐步增强,使之在可耐受范围内的上限即可。通常使用30——40分钟后,停止使用。每天使用1——4次就可以起到明显效果。
大连理工大学 2025-02-21
光电轮廓仪
纳米科技是21世纪材料技术革命的核心,而纳米测量是纳米技术中重要环节,我校研制的光电轮廓仪是纳米测量的重要仪器之一。该仪器除在计量系统作为传递基准仪外,也可广泛用于材料科学、生物学、化学、微机械学以及半导体工业等领域中的纳米分析测量。   仪器主要技术指标为:   测量方法:非接触式、三维、光学相移干涉法   物镜倍率:40X   测量范围:0.1×0.1mm   测量列阵:510×510象素   最小显示值:0.1nm   测量表面粗糙度范围:Ra~0.1nm-120nm   最大可测量台阶和孔深:1100nm   仪器Ra测量重复性:Ra≤1nm
上海理工大学 2021-04-11
一种适用于成卷柔性电子器件的逐片转移装置
本发明公开了一种适用于成卷柔性电子器件的逐片转移装置, 包括薄膜进给单元、载带输送单元、真空辊吸附单元、压辊转移单元 和废料剔除单元,其中薄膜进给单元用于薄膜的进给运动并对薄膜进 行模切,模切后的薄膜经真空辊吸附单元驱动至压辊转移单元,模切 后的薄膜在压辊转移单元中实现与载带之间的粘着和固定,废料剔除 单元则根据工况需要提供多种对废料的实时检测和剔除操作。通过本 发明,各个模块单元之间相互联系,共同协作,实现对成卷柔性电子 器件逐片的高速检测转移过程,同时具备运动稳定性和可靠性好等优 点。
华中科技大学 2021-04-14
磁流变元器件
磁流变液是一种机敏材料,在外加磁场的作用下,液体的粘度发生很大的变化,具有很大的抗剪切力,易于控制并且连续可控。运用磁流液可以制作磁流变刹车、离合器、减振器和阻尼器等高科技磁液变元器件,它们可以用于车辆悬挂系统,土木工程结构抗震、减振及大型能量动力设备的基础隔振等方面。此外磁流变阻尼器还可用于制成无级可调式健身器材。我们针对磁流变减振器具有很大的阻尼力,且
西安交通大学 2021-01-12
新型FinFET 器件工艺
已有样品/n全金属化源漏FOI FinFET 相比类似工艺的常规FinFET 漏电降低1 个数量级,驱动电流增大2 倍,驱动性能在低电源电压下达到国际先进水平。由于替代了传统的源漏SiGe 外延技术,与极小pitch 的大规模FinFET 器件的兼容性更好,有助于降低制造成本,提高良品率,具有很高的技术价值。
中国科学院大学 2021-01-12
光学微腔器件
成果创新点 1.在光学微腔器件的晶体腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合与封装、微腔超高 Q 值检测方面,分别提出了先进 而完善的实施方案,并申请了相关发明专利。现有晶体微 腔 Q 值国内最高水平 106,国外达到 109,本项目可优于 108, 从而达到国内领先,国际先进水平。 2.在光学微腔器件应用方面,研发例如超窄线宽激光 器(精密测量、物理量精密传感)、超窄线宽滤波器(激 光技术
中国科学技术大学 2021-04-14
光学微腔器件
1.在光学微腔器件的晶体腔加工、PPLN 微腔加工、微腔耦合与封装、微腔超高 Q 值检测方面,分别提出了先进而完善的实施方案,并申请了相关发明专利。现有晶体微腔 Q 值国内最高水平 106,国外达到 109,本项目可优于 108,从而达到国内领先,国际先进水平。 2.在光学微腔器件应用方面,研发例如超窄线宽激光器(精密测量、物理量精密传感)、超窄线宽滤波器(激光技术)等小型化器件的技术原理和实现方案。与常规产品相比,体积可缩小至 500 立方厘米以下,精度可提高 2个量级,成本可下降 80%。成果可实现的光学微腔器件主要指标:研制出光学晶体微腔,Q 值优于 108,根据用户要求研制小型化应用模块。
中国科学技术大学 2023-05-17
分立器件测试机
南京工程学院 2021-04-13
功率芯片封装器件
博志金钻技术团队在磁控溅射领域深耕二十余年,目前已经实现氧化铝、氮化铝、氮化硅、单晶金刚石、单晶碳化硅覆铜板的量产,三英寸陶瓷覆铜板月产能10万片,包括各类种子层方案,铜层厚度0.5-100um,表面无毛刺、划痕、色差等异样,350度加热平台烘烤5分钟不起泡。 一、项目进展 已注册公司运营 二、企业信息 企业名称 苏州博志金钻科技有限责任公司 企业法人 潘远志 注册时间 2022/3/31 注册所在省市 江苏省 苏州市 组织机构代码 91610131MA712U7Q06 经营范围 一般项目:技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;金属表面处理及热处理加工;新材料技术研发;新材料技术推广服务;电子元器件制造;集成电路制造;信息安全设备制造;通信设备制造;光通信设备制造;雷达及配套设备制造;光电子器件制造;真空镀膜加工;表面功能材料销售;金属基复合材料和陶瓷基复合材料销售;合成材料销售;有色金属合金销售;半导体器件专用设备制造;新型陶瓷材料销售;电子元器件零售;电子元器件批发;泵及真空设备制造;泵及真空设备销售;通用设备制造(不含特种设备制造);玻璃、陶瓷和搪瓷制品生产专用设备制造;电子专用材料研发;电子专用材料制造;特种陶瓷制品销售;半导体器件专用设备销售;集成电路设计;机械设备租赁;租赁服务(不含许可类租赁服务)(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动) 企业地址 江苏省 苏州高新区长亭路8号大新科技园3幢二楼 获投资情况 2021/07/01苏州汇伯壹号创业投资合伙企业(有限合伙)天使轮1000万元 2022/03/22苏州融享进取创业投资合伙企业(有限合伙)preA轮2500万元 三、负责人及成员 姓名 学院/所学专业 入学/毕业时间 潘远志 邓敏航 杨添皓 电子与信息学部/自动化 2020/2024 陶佳怡 管理学院/大数据管理 2020/2024 林子涵 电气工程学院/电气工程及其自动化 2020/2024 袁子涵 电气工程学院/电气工程及其自动化 2020/2024 牟国瑜 电气工程学院/电气工程及其自动化 2020/2024 杨志鹏 能源与动力工程学院/强基(核工程与核技术) 2020/2024 田继森 航天航空学院/工程力学 2020/2024 孙浩然 机械工程学院/机械工程 2020/2024 郑力恺 电气工程学院/电气工程及其自动化 2019/2023 王羿淮 管理学院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科学与工程学院/材料科学与工程 2018/2023 四、指导教师 姓名 学院/所学专业 职务/职称 研究方向 宋忠孝 材料学院/材料系 教授、博士生导师 核电领域;电化学、催化、电池领域;器件、封装领域:高温抗氧化烧蚀、高压抗电弧烧蚀领域;轻量化领域硬质涂层领域 王小华 电气学院/电机电器及其控制 教授/博导,国家级人才计划入选者(特聘教授),国家级青年人才计划入选者(青年学者),教育部新世纪优秀人才,陕西省青年科技标兵。西安交通大学未来技术学院/现代产业学院副院长、实践教学中心(工程坊)副主任、教务处副处长、创新创业学院副院长,CIGRE开关设备状态评估工作组成员,中国电工技术学会电器智能化系统及应用专委会委员 开关设备设计、状态监测与寿命评估 田高良 管理学院/会计与财务 教授、博士生导师 财务预警;内部控制与风险管理;资产评估;信用管理等 五、项目简介 苏州博志金钻科技有限责任公司是一家专门从事高功率半导体封装材料研发生产的公司。以先进的陶瓷表面金属化技术为核心形成了包括(1)粉体表面改性;(2)热压烧结;(3)研磨、抛光;(4)陶瓷金属化;(5)增厚、刻蚀;(6)预制金锡焊料;(7)激光切割等环节的完整高端热沉材料生产体系。公司拥有完整的热沉材料生产体系,致力于成为“国产化功率半导体器件热沉材料领跑者”,为我国半导体产业发展添砖加瓦。 博志金钻技术团队在磁控溅射领域深耕二十余年,目前已经实现氧化铝、氮化铝、氮化硅、单晶金刚石、单晶碳化硅覆铜板的量产,三英寸陶瓷覆铜板月产能10万片,包括各类种子层方案,铜层厚度0.5-100um,表面无毛刺、划痕、色差等异样,350度加热平台烘烤5分钟不起泡。博志金钻目前苏州主体工厂面积超过5000平米,含万级洁净间。拥有20余台研磨抛光设备、10余台烧结炉、4条卧式连续镀膜设备、5台立式镀膜设备,以及超声清洗、喷淋甩干等完善的配套设备。博志金钻的工艺流程包括粉体表面改性、热压烧结、研磨/抛光、陶瓷金属化、增厚/刻蚀、预制金锡焊料、激光切割,博志金钻已经建立了完善的产品生产管理及质量监控体系来进行管控,完成了包括ISO9001、14001等认证,并不断完善产品检测设备及手段,确保产品质量稳定。 公司积极进行产品迭代和技术储备,在高功率半导体封装材料研发生产领域有着二十余年研发经验。中国科学院院士孙军教授和国家万人计划领军人才宋忠孝教授作为本公司首席科学家领衔公司技术研发,进行陶瓷金属化和半导体封装基板领域关键技术的探索。潘远志带领公司与西安交通大学表面工程国际研发中心、金属材料强度国家重点实验室合作进行前沿技术开发,团队与苏州市产业技术研究院、高新区共同设立苏州思萃材料表面应用技术研究所,是公司的技术支持和组织依托。目前公司已完成天使轮、preA轮数千万融资交割,公司投后估值逾2亿元。
西安交通大学 2022-08-10
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