|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
超声引发溶液聚合制备纳米铁聚合物复合材 料
本发明涉及超声引发溶液聚合制备纳米铁聚合物复合材料的方法。将三氯化铁、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、甲苯和偶氮二异丁腈混合均匀，在氮气保护条件下超声辐射，得到反应后溶液；向反应后溶液中加入无水甲醇进行沉淀，过滤得到沉淀物，将沉淀物洗涤、真空烘干并研磨得纳米铁聚合物复合材料，聚合物复合材料为灰黑色固体粉末。本发明在使用氮气保护、不加入还原剂的条件下，超声辐射，铁离子被还原成纳米铁颗粒，同时 MMA、St原位聚合，一步直接合成了纳米铁聚合物复合材料，这是一种相对绿色、节能又环保的方法。
安徽理工大学
2021-04-13
实训用V型铁V型架-钳工划线平台-铸铁平板
产品详细介绍实训用V型铁V型架-钳工划线平台-铸铁平板铸铁平板（铸铁平台）相关的分类：根据用途可把铸铁平台平板分为以下几类。检验平台平板、划线平台平板、测量平台平板，校正平台平板，装配平台平板，火工平台平板，试验平台平板，基础平台平板，T型槽平台平板，焊接平台平板，铆焊平台平板，校管平台平板，圆平台平板，研磨平台平板。 铸铁平板（铸铁平台）相关的制造标准：按JB/T7974-1999标准制造，精度按国家标准计量检定规程JJG117-91执行。 铸铁平板（铸铁平台）的规格：100X100-4000X8000（mm) ，异型规格可订做，大于4000X8000（mm)可做拼接。 铸铁平板（铸铁平台）的材质：优质高强度灰铸铁HT200-250，硬度HB170-240。 铸铁平板（铸铁平台）的样式：筋板式。铸铁平板（铸铁平台）的精度：0级、1级、2级、3级、精刨，根据用途来区分精度。 铸铁平板（铸铁平台）的相关用途：铸铁平板平台用途广泛，在机床、科技、汽车、电机、造船等各个行业都广泛用到。 具体的可以用于各种检验工作：用于精度测量用的基准平面；用于机床、机械的检验测量基准；或检测精密零件的尺寸精度或行为偏差；并作精密划线，在机械制造中也是不可缺少的基本工具。 铸铁平板（铸铁平台）的表面处理：工作面多采用人工铲刮工艺，工作面上可加工V型、T形、U形槽、燕尾槽、圆孔、长孔等。 铸铁平板（铸铁平台）的检验：检验时工作面应进行涂色对研检验。对研后任意25mm×25mm中的接触点数之间应不大于5点。若有争议，按接触点面积的比率为评定依据。
深圳市锦盛工业设备有限公司
2021-08-23
一种钇铁石榴石单晶薄膜及其制备方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种钇铁石榴石单晶薄膜及其液相外延制备方法，本发明得到的钇铁石榴石单晶薄膜的铁磁共振线宽很窄，达到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、应力、含铅量、杂相等都得到了较大的改善。
电子科技大学
2021-02-01
一种用于三层结构薄膜的接料装置
本发明提供了一种用于三层结构薄膜的接料装置，包括接料底板，设置在接料底板的一相对两侧，用于提供粘结胶带的粘结胶带组件；设置在接料底板的另一相对两侧，用于对接薄膜整齐对位的胶带纠偏组件；设置在接料底板上用于接料时固定对接薄膜的压合组件；以及设置在接料底板上方用于夹持三层结构薄膜各层的夹持组件。本发明实现三层结构薄膜的分层对接，整个装置结构简单，操作方便，易于实现。
华中科技大学
2021-04-11
一种机械叠层ALSB/CIS薄膜太阳电池
一种机械叠层ALSB/CIS薄膜太阳电池,属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计,它是由ALSB顶电池机械叠合在CIS底电池上而成的双结四端薄膜太阳电池。其中ALSB顶电池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉积N型掺铝氧化锌导电层,然后沉积氧化锌高阻层,再沉积硫化镉缓冲层,随后沉积锑化铝吸收层以及碳纳米管涂层作为透明导电层,最后,沉积镍/铝栅线而制成的太阳电池;而CIS底电池,指的是在SODA LIME玻璃上沉积钼,然后沉积吸收层硒铟铜,再沉积缓冲层硫化镉,随后沉积高阻氧化锌和掺铝氧化锌,最后沉积与顶电池相同形状和大小的镍/铝栅线而制成的太阳电池。采用上述结构的叠层电池,可以选择性地吸收和转化太阳光谱的不同区域的能量,扩展光谱响应的范围,有效地提高薄膜太阳电池的转换效率。
四川大学
2021-04-11
安装在汽车进气系统上的薄膜空气吸振器
其他成果/n本发明公开了一种安装在汽车进气系统上的薄膜吸振器，用于消除由进气系统引起的至少一种车内噪声，所述汽车进气系统包括依次连接的进气管、空气滤清器和出气管，该吸振器包括开设在所述进气管振动异常处的开孔以及密封覆盖在所述开孔外侧的薄膜，所述开孔的孔径小于进气管的直径。本发明在不增加进气系统降噪空间的前提下，以及合理的成本控制下，可以有效改善进气系统低、中、高各频率段噪声。
武汉理工大学
2021-04-11
一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法
“一种化学浴沉积择优取向生长的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法”属于半导体领域。现有方法一般对设备要求较高，需要比较复杂的程序，而最终难以控制成本，这会严重影响Cu2O薄膜的应用范围。本发明提供的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：分别按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8～12∶36，硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔范围为1∶3～5∶6，将抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液依次加入硫酸铜溶液中，使充分络合；调节溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴温度中反应1.0h～3.
安徽建筑大学
2021-01-12
氧化锌基底诱导取向生长硒化锑薄膜的方法
本发明公开了一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方 法，其特征在于，该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择 优取向方向的硒化锑薄膜；当氧化锌基底为(100)取向时，诱导生长出 的硒化锑薄膜是以<、221>、方向为主导生长取向；当氧化锌基底 为(002)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以<、120>、方向为主 导生长取向。本发明中的方法可应用于硒化锑薄膜太阳能电池的制备， 得到相应的硒
华中科技大学
2021-04-14
DC-Link高压大功率系列薄膜电容器
通过研究和有机介质薄膜以及金属化水平的不断提高，用金属化薄膜制造高压大功率电容器取代电解电容器已成为了可能。薄膜电容器具有高频特性好、损耗小和温度特性稳定等特点，可以满足逆变器对电容器性能的要求。
扬州大学
2021-04-14
一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法
本发明公开了一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法。在 保护气氛下，首先 450℃～550℃加热氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料气化后附着于耐热载体表面，并形成氮化碳前驱体；然后 500℃～550℃加热附着有氮化碳前驱体的耐热载体 1min～6h，使得氮 化碳前驱体气化并在导电基底表面形成厚度为 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，获得所述修饰电极。本发明通过利用气相沉积的方法 在导电基底表面修饰
华中科技大学
2021-04-14