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基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法
本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述 吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友 好，稳定等优点。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用 双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子 沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触 面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学
2021-04-14
提升结晶小分子半导体在n型有机薄膜晶体管柔性方面的研究
该研究提出了聚合物粘合剂的新型策略，通过合成一个柔性的共轭n型聚合物，使其能够作为一种粘合剂粘合小分半导体的晶界，提升其机械性能，实现了柔性有机晶体管器件。这种聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之间的相分离，进一步实现了晶粒间的粘合作用。
南方科技大学
2021-04-14
采用离子辐照增强PtPb/Pt二维纳米片电化学催化活性的实验成果
采用核技术方法，利用高能离子束辐照，对PtPb/Pt二维纳米片进行了原子尺度结构调控和修饰，极大地提高了纳米片的催化活性。在线辐照和原位透射电子显微镜（TEM）结果表明：通过入射高能离子与纳米片中靶原子相互作用，精确地控制纳米片微观结构的变化，利用键长变化和电子轨道杂化等机制来修饰表面原子的电子结构，从而增加催化反应活性位点，增强催化性能。同时，通过调节入射离子的剂量大小，可以有效地控制缺陷产生的数量及演化，得到具有不同催化活性的PtPb/Pt二维纳米片材料。
北京大学
2021-04-11
新型高电压纳米正极材料
实现了锂离子二次电池高电压、高比容量、快速充放电和长寿命的效果。产品拥有成本低、优良的一致性、优异的安全性、可快速充放电、高电压(4.1 V)、高容量等特点，主要应用于电动汽车电池、储能用动力电池等，具有广阔的市场前景。
南京大学
2021-04-14
活性纳米复合生物材料制品
一、 NHA/PA复合材料制品（纳艾康）应用。 二、 NHA/PA复合材料制品外形设计改进。 三、 新型复合材料体系制品的动物实验及临床应用报告。 四、 编制手术适应证、手术方式、注意事项等临床应用手册。 五、 人才队伍建设，发表论文，申请国家专利。
四川大学
2016-04-21
新型纳米金属合金材料
价格低廉、无毒、环境友好的金属锡（Sn）与铋（Bi）在能源转化和存储等领域有着广泛应用。然而，由于Sn与Bi的晶格失配大(>22%)、易相分离和氧化、以及二者之间相容性低于2 at%，使得纯相Sn1-xBix合金材料的制备及其物化性质的研究成果较少被报道。
南方科技大学
2021-04-14
低/中介低损耗LTCC材料及流延技术
成果描述：我们研发的低/中介LTCC材料主要性能满足： 材料1： 介电常数：10±10% Qf：≥50000 烧结温度：900度 材料2：介电常数：20±10% Qf：：≥50000 烧结温度：900度市场前景分析：这两类LTCC材料具有损耗低，与LTCC工艺兼容等特点，非常适合基于LTCC技术研发的各种微波集成器件应用与同类成果相比的优势分析：国内目前还没有厂家进行同类型材料的批量生产，主要依托国外进口，因此技术和成本优势明显。
电子科技大学
2021-04-10
低场高性能稀土超磁致伸缩材料
国家“863”支持项目。采用一种新的制造技术，制造<110>轴向取向多晶棒材，在5MPa预应力和500 Oe磁场下的磁致伸缩系数达l//=950-1150ppm，重复性好，一致性高，工艺易于控制，成品率高。已获国家发明专利，拥有自主知识产权。 材料的应用领域及市场前景预测 (1) 国防、航空航天和高技术领域：主要用于制造声纳用水声换能器与水声对抗换能器、线性马达、燃油喷射器、传感器、噪声与振动控制系统等，可用于航空飞行器、地面运载工具和武器等。据预测2015年此领域的世界市场额将达到3.3亿美元。 (2) 运输领域：主要用于反噪声、减振和消振、刹车系统、燃油喷射系统、阀门、泵和线性马达等。预测2015年世界需求量将达到10.5亿美元，是本世纪初用量最大的领域。 (3) 现代高技术领域：主要用于超声波技术、波动采油技术、海洋通讯、海洋开发与勘察、海洋捕捞等。预计2015年此领域的世界市场额将达到3.3-4.0亿美元。
北京科技大学
2021-04-11
低/中介低损耗LTCC材料及流延技术
我们研发的低/中介LTCC材料主要性能满足： 材料1： 介电常数：10±10% Qf：≥50000 烧结温度：900度 材料2：介电常数：20±10% Qf：：≥50000 烧结温度：900度
电子科技大学
2015-01-14