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节能型智能化半导体照明产品开发及产业化
该项目隶属于“天津市科技支撑计划重点项目”,项目将LED照明与光通信技术等结合起来,形成新的技术模式,开发了集照明与光通信为一体的LED系统,设计实现了基于照明LED的高速短距离光通信收发单元,LED室内调光调色照明控制器,基于LED照明的光学无线智能家居控制系统等,实现了通信质量和照明效果的协同优化。 本项目中的产品均属于典型的节能产品,具有很高的技术含量和高附加值,具有节能环保、电磁免疫、经济集约等优点,在上海世博会“沪上.生态家”、“航空馆”以及第七届中国国际半导体照明展览会等展出,获得显著的社会效益,对推动相关产业的发展起到很好的作用。科研团队近年来深入的研究半导体照明和通信技术,在半导体照明技术成果应用与产业化、光电信号转换、光通讯设备、高速光发射接收模块开发等相关领域开展研究工作,并取得突出的成绩,申请了相关的国家级自然科学基金项目,并已获批。
天津职业技术师范大学 2021-04-10
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计,利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层,将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件,无需使用 额外的信号电极,器件结构和工艺步骤简单,且利于降低成本,适于 批量生产,而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点,而且工作温度低,具有良好的 应用前景。
华中科技大学 2021-04-14
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计,利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层,将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件,无需使用 额外的信号电极,器件结构和工艺步骤简单,且利于降低成本,适于 批量生产,而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点,而且工作温度低,具有良好的 应用前景。 
华中科技大学 2021-04-14
一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法
本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法, 包括以下步骤:以碳化硅作为 N<sup>+</sup>衬底,在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P<sup>+</sup> 区;在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极;采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护,由此完成半导体断路开 关的制备过程;本发明还公开了采用该方法制得的两
华中科技大学 2021-04-14
定制高精度探针台 实验室半导体材料测量仪器
您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 实验室半导体材料测量仪器定制高精度实验台 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 作为北京高科技企业,锦正茂科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务,对内承接科研生产任务,对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换,形成了科学管理的现代化经营模式,专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备(液氮、液氦)制冷机系统集成 ,定制 ,高低温真空磁场发生系统,Helmholtz线圈(全套解决方案),电磁铁(全系列支持定制),螺线管,电子枪(高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm),高低温磁场真空探针台,霍尔测试系统,电输运测量解决方案,磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全,性能可靠,至今已有近10余年的历史,是国内(较早)生产探针台,电输运,电磁铁的厂家之一。 锦正茂始终秉承“诚信、合作、创造、共赢”的经营理念,将现代化管理技术引入到产品生产与管理中,通过新的军民融合平台建设,形成具有一定市场竞争优势的高科技企业;其次,公司逐步形成以现代化高科技产业化带动企业价值增张的商业模式,坚持“与时俱进,科技创*”的思路,彰显业务的核心优势,共创*的战略制高点。 公司目前拥有各类技术人员30余名,其中产品研发工程师10余名(高级工程师4名)、工艺工程师3名、检测工程师2名,售后服务工程师3名。已形成完整的设计、生产、安装、调试、维修及相关配套服务的专业化的人才队伍。    
北京锦正茂科技有限公司 2022-09-16
金刚石薄膜涂层硬质合金工具开发
金刚石薄膜涂层硬质合金工具由于性能优异、成本相对较低(与PCD和金刚石厚膜钎焊工具相比、可以适应于复杂形状工具衬底沉积、以及可能大批量沉积等优点, 具有非常好的市场前景。 金刚石薄膜涂层硬质合金工具开发的关键是解决金刚石薄膜在硬质合金衬底上的生长(沉积)和良好附着的技术。本项目成果采用独特的衬底预处理和优化的金刚石膜沉积工艺已经解决了Co对金刚石膜生长和附着的有害影响问题。在YG类硬质合金工具衬底所沉积的金刚石膜涂层厚度最大可达20~30m。用洛氏硬度压痕法评定的金刚石膜附着力时的无裂纹临界载荷达1500N以上。在铣削Al-12wt%Si合金时, 金刚石薄膜涂层的YG6铣刀比未涂层硬质合金刀片使用寿命可提高20倍以上。 本成果基于我们已经取得的两项关于金刚石膜低温沉积技术和硬质合金衬底激光预处理技术的发明专利(ZL 91 1 02584.7, ZL 93 1 19434.2 ), 以及最近完成的另外二项关于使用特殊钴化物过渡层提高金刚石薄膜附着力的技术(已申请发明专利, 申请号: 99107912.4, 01130903.2)。此外, 本项目组正在进行工业化生产设备和技术的研究开发, 原型设备研制已接近完成, 其特点是摒弃通常CVD设备的平面沉积方式, 采用立体(空间)沉积方式, 因此可以一次沉积大量工件。最终工业化设备的目标是一次涂覆可转位刀片(或钻头)300只以上。 本项目成果可用于开发各种金刚石薄膜涂层硬质合金工具和模具, 以及其它需要解决极度耐磨或降低摩擦的应用。
北京科技大学 2021-04-11
关于高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料的研究
北大科研团队在《科学》杂志发表的成果,标志着碳管电子学领域、以及碳基半导体工业化的共同难题被攻克。科研团队表示,如果碳基信息器件技术,可以充分利用碳管在物理、电子、化学和机械方面的特殊优势,就有希望生产出性能优、功耗低的芯片。课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液,并结合维度限制自排列法,在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.9999%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列,从而达到超大规模碳管集成电路的需求。基于这种材料,批量制备出场效应晶体管和环形振荡器电路,100nm栅长碳管晶体管的峰值跨导和饱和电流分别达到0.9mS/μm和1.3mA/μm(VDD=1 V),室温下亚阈值摆幅为90mV/DEC。
北京大学 2021-04-11
半导体照明稀土荧光粉关键共性技术研究及产业化
成果介绍代表国际领先技术的高新能半导体照明稀土荧光粉的研发与制备,可广泛应用于半导体照明行业之中。技术创新点及参数半导体照明稀土荧光粉行业两大核心技术:1、高显色白光LED用荧光粉关键技术2、氮化物红粉在发光效率和抗高温高湿性能提升技术市场前景1、制备了高性能铝酸盐荧光粉,目前全国销售第一。2、制备了氮化物荧光粉,销售也达到全国第一。
东南大学 2021-04-13
一种探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的方法
本发明公开了一种基于二次谐波显微术探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的高灵敏度方法。在显微系统下,利用探针推动单根纳米线一端使之弯曲,从而产生不同程度的晶格畸变。同时,将一束激光聚焦至单根纳米线上一点 A,并连续改变泵浦光偏振方向和纳米线长轴之间的夹角(偏振角θ),测定二次谐波强度随偏振角θ的变化关系。在保持泵浦光聚焦位置在 A 点不变的情况下,随弯曲曲率逐渐增大,偏振角θ=90°和θ=0°时的二次谐波强度之比显著减小。本发明提供了一种新型测定半导体纳米线晶格畸变的全光方法,相对于传统透射电镜法,其
华中科技大学 2021-04-14
受体-受体主链结构的高性能n型高分子半导体材料
受体-受体型高分子半导体相对于给体-受体型高分子在实现n型器件性能上具有更优异的电子结构,但由于受体-受体型高分子半导体通常难以合成,因此高性能的n型高分子半导体通常具有交替的给体-受体主链结构。而给体单元的引入使得给体-受体型高分子同时呈现p型性能,因此这类聚合物难以实现单一n型性能而具有双极性性能。郭旭岗课题组通过对高对缺电子的双噻吩酰亚胺单体进行锡化,得到了单体BTI-Tin, 该单体具有很高的纯度、很小的空间位阻、很高的聚合活性。
南方科技大学 2021-04-14
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