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基于金属氧化物的复合半导体光催化剂
将纳米级尺寸石墨烯量子点修饰到超薄ZnO纳米片表面,同样可大提高ZnO纳米片的光催化性能。
上海理工大学 2021-04-10
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质,有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料,进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求,二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而,现有二维半导体材料体系(过渡金属硫族化合物、黑磷等)薄膜制备仍未满足现实要求,因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备,率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统,在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3,LaAlO3,或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上,利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用,促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性,可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率(>150 cm2/V s)、大的电流开关比(>105)和较高的开态电流(45μA/μm)。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学 2021-04-11
基于金属氧化物的复合半导体光催化剂
将纳米级尺寸石墨烯量子点修饰到超薄 ZnO 纳米片表面,同样可大大提高 ZnO 纳米片的光催化性能,结果如下图所示,这主要归因于石墨烯量子点与 ZnO 纳米片形成 p-n 结,促进光生载流子的分离效率。此外,将 N 掺杂石墨烯量子点与 TiO2 纳米片复合,构筑高效可见光催化剂,可
上海理工大学 2021-01-12
全国半导体行业产教融合共同体在青岛成立
10月12日,全国半导体行业产教融合共同体成立仪式在山东青岛顺利举行。
中国高等教育学会 2023-10-25
YD-50W单模半导体YAG激光打标机(可进行彩色标记)
产品详细介绍YD-50W单模半导体YAG激光打标机(可进行彩色标记)1.主要性能指标:输出功率(W) 标配50W   可选配100W    激光峰值功率(KW) 标配80 波长(nm) 1064 激光介质 (Nd) YAG 激光模式  单模(寿命可达10000小时以上) 调制频率(KHz) ≤60 工作台尺寸 500*450mm  工作台Z轴可升降范围0-450mm 打标范围(mm) 115×115 可选配215*215 打标线速度(mm/s) 10~7000mmps(直线扫描) 最小标刻字符尺寸(mm) 0.2 重复精度(mm) ±0.00025 打标线深mm ≤0.5 打标线宽mm ≤0.05 整机功耗(KW) 2500-5000W之间 供电电压 220V±22V / 50Hz 12A 软件特点 ZT-CSMark打标软件兼容常用位图(bmp、jpg)及矢量图形(plt、dxf等)。支持多图层(128个图层)标刻,可以为每层设置不同的标刻参数。 配件 旋转辅助器(选配件) 设备特点 稳定,耗损低,易维修,精度高、标记清晰可进行彩色雕刻,可雕刻颜色49种,也可以对非金属材料进行雕刻,白色可雕刻黑色,黑色可雕刻白色,常用医药,电子信息,食品包装,航天航空等行业。 2.产品性能:1.一体化设计,全新的光路密封方式保证半导体的安全工作,免维护周期长。2.激光输出功率大,能量连续工作稳定,标刻度深;3.采用进口高速振镜扫描,速度快、精度高、性能稳定。4.可根据不同材质、不同效果的标刻要求,激光频率在1-50KHZ可调5.进口声光调Q系统,锁光效果好,光损耗小,输出功率高,确保激光系统长时间稳定工作。6.软件控制系统操作简单快捷,支持常用的矢量图形绘制软件格式。电脑编程控制语言界面全中文操作简便快捷独有图形失真软件校正功能,可进行条形码、二维码、图形图像及文字等打标,支持PLT、PCX、DXF、BMP等文件格式7.标刻图案精细美观、永不磨损。 3.使用条件:   供给电源:220V±10%(单相),有独立接地线, 频率50Hz, 电流10A    工作环境:环境温度5~25℃    相对湿度:≤75%(非凝结)   空间环境:整洁、相对无灰尘    电磁环境:计算机可以正常工作4.产品用途:对电子元器件、合金及氧化物、电工电器、珠宝、眼镜、钟表、汽车配件、塑料按键、通讯产品、环氧树脂、PVC管材、医疗器械、工具配件等进行标记。设备构成:YAG打标机主机  冷却系统  专业工控机   旋转辅助器(选配)   专业打标软件系统5.建议配置名称 型号   单位 报价(元) 备注 YD-50W单模半导体YAG激光打标机 YD-50W 单模半导体YAG激光 台    旋转辅助器 1 台    设备构成 YAG打标机主机  冷却系统  专业工控机   旋转辅助器(选配)   ZT专业打标软件系统 备注 1,免费上门安装调试,免费培训,培训内容含设备操作、软件使用、加工工艺辅导、设备维护保养等。2,该激光设备自购机之日起保修壹年(耗材及赠品除外),终身维护。 
北京神州正天科技有限公司 2021-08-23
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法
一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法,其作法是:以钛箔为阳极,铂为阴极,对钛箔进行氧化,得非晶态TiO2纳米管阵列;经处理后,得TiO2纳米管阵列;将钛箔置于高温反应釜内,再将Na2S2O3、Bi(NO3)3水溶液注入密封反应釜,热处理得Bi2S3-TiO2纳米管阵列;在Bi2S3-TiO2纳米管阵列表面覆盖FTO,引出电极,在未生成Bi2S3-TiO2纳米管阵列的钛箔上引出电极,将FTO与钛箔及其Bi2S3-TiO2纳米管阵列的接触边缘封装即得本发明的光探测器。该方法能耗低,工艺、设备简单;制得物适用光谱范围大,适合做光谱分析;还可以做光敏开关等光电器件,具有广阔的应用前景。
西南交通大学 2016-10-20
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法;栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元,每个栅电 极单元为柱状结构,由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成;所述连通电极的上表面用于连接栅层,下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层,对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学 2021-04-14
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始,研制出国内第一台用于氮化镓(GaN)衬底的卤化物气相外延(HVPE)系统,研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权,在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底,建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长;研究出创新性的GaN衬底批量制备技术,即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用,为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学 2021-05-10
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