高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
全国半导体行业产教融合共同体在青岛成立
10月12日,全国半导体行业产教融合共同体成立仪式在山东青岛顺利举行。
中国高等教育学会 2023-10-25
沟道的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法与电子设备
本发明提供了一种沟道的刻蚀方法,提供一待刻蚀对象,对所述待刻蚀对象一次刻蚀后,交替进行表面处理‑二次刻蚀,直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层;其中,一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层;表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层;所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层,以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤,既实现了对沟道层的保护,又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中,减少沟道层的损失量。
复旦大学 2021-01-12
基于金属氧化物的复合半导体光催化剂
将纳米级尺寸石墨烯量子点修饰到超薄ZnO纳米片表面,同样可大大提高ZnO纳米片的光催化性能,结果如下图所示,这主要归因于石墨烯量子点与ZnO纳米片形成p-n结,促进光生载流子的分离效率。 此外,将 N 掺杂石墨烯量子点与 TiO2 纳米片复合,构筑高效可见光催化剂, 可
上海理工大学 2021-01-12
YD-50W单模半导体YAG激光打标机(可进行彩色标记)
产品详细介绍YD-50W单模半导体YAG激光打标机(可进行彩色标记)1.主要性能指标:输出功率(W) 标配50W   可选配100W    激光峰值功率(KW) 标配80 波长(nm) 1064 激光介质 (Nd) YAG 激光模式  单模(寿命可达10000小时以上) 调制频率(KHz) ≤60 工作台尺寸 500*450mm  工作台Z轴可升降范围0-450mm 打标范围(mm) 115×115 可选配215*215 打标线速度(mm/s) 10~7000mmps(直线扫描) 最小标刻字符尺寸(mm) 0.2 重复精度(mm) ±0.00025 打标线深mm ≤0.5 打标线宽mm ≤0.05 整机功耗(KW) 2500-5000W之间 供电电压 220V±22V / 50Hz 12A 软件特点 ZT-CSMark打标软件兼容常用位图(bmp、jpg)及矢量图形(plt、dxf等)。支持多图层(128个图层)标刻,可以为每层设置不同的标刻参数。 配件 旋转辅助器(选配件) 设备特点 稳定,耗损低,易维修,精度高、标记清晰可进行彩色雕刻,可雕刻颜色49种,也可以对非金属材料进行雕刻,白色可雕刻黑色,黑色可雕刻白色,常用医药,电子信息,食品包装,航天航空等行业。 2.产品性能:1.一体化设计,全新的光路密封方式保证半导体的安全工作,免维护周期长。2.激光输出功率大,能量连续工作稳定,标刻度深;3.采用进口高速振镜扫描,速度快、精度高、性能稳定。4.可根据不同材质、不同效果的标刻要求,激光频率在1-50KHZ可调5.进口声光调Q系统,锁光效果好,光损耗小,输出功率高,确保激光系统长时间稳定工作。6.软件控制系统操作简单快捷,支持常用的矢量图形绘制软件格式。电脑编程控制语言界面全中文操作简便快捷独有图形失真软件校正功能,可进行条形码、二维码、图形图像及文字等打标,支持PLT、PCX、DXF、BMP等文件格式7.标刻图案精细美观、永不磨损。 3.使用条件:   供给电源:220V±10%(单相),有独立接地线, 频率50Hz, 电流10A    工作环境:环境温度5~25℃    相对湿度:≤75%(非凝结)   空间环境:整洁、相对无灰尘    电磁环境:计算机可以正常工作4.产品用途:对电子元器件、合金及氧化物、电工电器、珠宝、眼镜、钟表、汽车配件、塑料按键、通讯产品、环氧树脂、PVC管材、医疗器械、工具配件等进行标记。设备构成:YAG打标机主机  冷却系统  专业工控机   旋转辅助器(选配)   专业打标软件系统5.建议配置名称 型号   单位 报价(元) 备注 YD-50W单模半导体YAG激光打标机 YD-50W 单模半导体YAG激光 台    旋转辅助器 1 台    设备构成 YAG打标机主机  冷却系统  专业工控机   旋转辅助器(选配)   ZT专业打标软件系统 备注 1,免费上门安装调试,免费培训,培训内容含设备操作、软件使用、加工工艺辅导、设备维护保养等。2,该激光设备自购机之日起保修壹年(耗材及赠品除外),终身维护。 
北京神州正天科技有限公司 2021-08-23
一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法
一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。该探测器采用自下而上的结构设计,包括碳化硅高掺杂n+型衬底、n型缓冲层、低掺杂n‑型吸收层、低掺杂p‑型吸收层(内含微结构)、环形高掺杂p+型欧姆接触层及钝化隔离层。通过在p+型欧姆接触电极施加反向偏压,形成耗尽电场,微结构促使p‑‑i‑n结构电场相互连接耦合,提高光生载流子耗尽效率,增强器件响应度和外量子效率。同时,微结构使短波紫外信号直接穿透p‑型吸收层进入内部吸收层,避免p+型欧姆接触层表面缺陷导致的光生载流子复合,提高光生载流子收集的效率,实现紫外全波段探测。
厦门大学 2021-01-12
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法;栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元,每个栅电 极单元为柱状结构,由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成;所述连通电极的上表面用于连接栅层,下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层,对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学 2021-04-14
一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法
本发明公开了一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法,包括如下步骤:在蓝宝石衬底上生长ZnO纳米棒阵列;采用磁控溅射法在ZnO纳米棒上溅射不同厚度的AlN鞘层薄膜;采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列两端制备具有欧姆接触的金属电极,构成完整的器件。本发明通过简单的磁控溅射方法,控制溅射时间,在ZnO纳米棒上生长不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘层薄膜,制备的ZnO/AlN核鞘光探测器件不仅具有更好的紫外光响应,在360nm紫外光照射下,电压为5V时,明暗电流比为5.5×103,提高了一个数量级,同时具有更快速的响应和恢复时间,分别是0.883和0.956s。
东南大学 2021-04-11
一种具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈半导体激光器
本发明提供的具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈(DFB)半 导体激光器,是由自下而上依次排列的 N 型电极(1)、衬底(2)、下包层 (3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、缓 冲层(7)、光栅层(8)、上包层(9)、第一脊条(10)、第二脊条(11)、第一 脊条上的 P 型电极(12)、第二脊条上的 P 型电极(13)组成。本发明通过 在单个半导体激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的两个
华中科技大学 2021-04-14
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始,研制出国内第一台用于氮化镓(GaN)衬底的卤化物气相外延(HVPE)系统,研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权,在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底,建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长;研究出创新性的GaN衬底批量制备技术,即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用,为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学 2021-05-10
节能型智能化半导体照明产品开发及产业化
该项目隶属于“天津市科技支撑计划重点项目”,项目将LED照明与光通信技术等结合起来,形成新的技术模式,开发了集照明与光通信为一体的LED系统,设计实现了基于照明LED的高速短距离光通信收发单元,LED室内调光调色照明控制器,基于LED照明的光学无线智能家居控制系统等,实现了通信质量和照明效果的协同优化。 本项目中的产品均属于典型的节能产品,具有很高的技术含量和高附加值,具有节能环保、电磁免疫、经济集约等优点,在上海世博会“沪上.生态家”、“航空馆”以及第七届中国国际半导体照明展览会等展出,获得显著的社会效益,对推动相关产业的发展起到很好的作用。科研团队近年来深入的研究半导体照明和通信技术,在半导体照明技术成果应用与产业化、光电信号转换、光通讯设备、高速光发射接收模块开发等相关领域开展研究工作,并取得突出的成绩,申请了相关的国家级自然科学基金项目,并已获批。
天津职业技术师范大学 2021-04-10
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 14 15 16
  • ...
  • 334 335 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1