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一种无衍射光空间直线度基准的发生装置
无衍射光空间直线度基准的发生装置，包括依次位于同一光路上的激光器、光学调整器和无衍射光发生器，光学调整器光学调整器必须保证光束的发散条件：理论比值ω(R)/ω<SUB>0</SUB>≥10，如小焦距透镜或由焦距大于-100mm 的透镜组和精密位置调整器构成。上述无衍射光发生器可以为锥镜、环缝与透镜组件、计算机全息片或二元光学组件。本发明可在激光器与光学调整器之间设有扩束镜和空间滤波器。本发明将无衍射光理论和技术应用于直线度误差测量技术，很好地解决了现有中、长距离直线度误差测量
华中科技大学
2021-04-14
高性能压电单晶及新型电声／电光产业链
本世纪初，高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破，它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来，本课题组在国防军工，国家自然科学基金，科技部及省科技厅的大力资助下，深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究，单晶材料现可以小批量生产和供应，开始试用，相关器件正在研制中，技术水平处于国际先进水平，部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖，技术成熟度已达到5-6级。
西安交通大学
2021-04-11
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14
长沙欣科源 活性炭强度测定仪
产品介绍：
活性炭强度仪是按照GB/T7702.3-2008《煤质颗粒活性炭试验方法强度的测定》，它适用于煤质颗粒活性炭强度的测定，也适用于木质活性炭部分炭型强度的测定。
结构原理：
活性炭强度仪按照规定的试验条件，将活性炭试料置于装有钢球的滚筒中，开启强度测定仪，开始计时，通过滚筒的机械运动，试料被磨损，测定被 试料粒度的变化情况，用保留在试验筛上的试料质量占原试料的质量分数，可求出活性炭试样的强度。
技术要求：
1．转鼓转速：（50±2）r/min ；
2．钢筒内径： 80±0.2mm ；
3．钢筒长度： 120±0.5mm，壁厚3mm ；
4．钢筒数量：≥4个（在内壁有对称分布的纵筋两条，筋高10mm，宽4mm，长120mm，每个筒内放置直径为（14.3±0.2）mm的轴承滚珠5个）；
5．时间设定：≥20min；
6．输入电压：380/220v；
7．设备过程全自动，可同时做4个及以上的样品。
长沙欣科源仪器科技有限公司
2025-12-24
批量生产的 InP、GaSb、InAs 开盒即用单晶片
可以量产/nInP、GaSb 单晶片主要作为衬底材料外延生长各种微波器件用微结构外延材料 （如 HEMT、HBT）、大功率激光器等的多量子阱材料，中长波红外探测器材料等， 其主要应用领域包括移动通信、卫星通信、导航、光纤通信、高效太阳能电池、夜 视、大气监测、国防技术等。主要技术：2-4 英寸化合物半导体磷化铟(InP)、锑化 镓（GaSb）和砷化铟（InAs）单晶生长和晶片加工技术。
中国科学院大学
2021-01-12
钨酸镉闪烁单晶材料的制备技术与器件应用
宁波大学晶体材料实验室在国际上首次成功开发钨酸镉(CWO)闪烁单晶的坩埚下降法生长技术，自主掌握CWO单晶材料制备专利技术。
一、项目分类
关键核心技术突破
二、成果简介
闪烁单晶是广泛应用于高能射线探测成像技术的光学功能材料。宁波大学晶体材料实验室在国际上首次成功开发钨酸镉(CWO)闪烁单晶的坩埚下降法生长技术，自主掌握CWO单晶材料制备专利技术。近年来所制备闪烁单晶性能完全达到射线探测器制造所要求实用化指标，CWO闪烁单晶材料可广泛应用于安检设备、集装箱检查系统、CT诊疗仪等技术领域。迄今已经形成单晶原坯、多规格晶片和单晶阵列的批量生产能力，相关材料产品已销往国内外相关射线探测成像设备制造厂商。
宁波大学
2022-08-16
高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
本项目共包括10项授权专利，其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术，同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等，共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。（1）建成了我国第一条大尺寸磁
电子科技大学
2021-04-14
钙钛矿单晶光电器件领域研究新进展
新型光电器件中载流子传输层与金属卤化物钙钛矿单晶异质原位集成的关键问题，在无机电子传输层上异质原位生长高质量全无机金属卤化物钙钛矿单晶方面取得研究进展 在全无机电子传输层
南方科技大学
2021-04-14