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宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体,又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法(CVT 法)。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 (3.4W/cmK),与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学 2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下,大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术,获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像,以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制,通过抑制熔体的热对流和温度波动,降低熔硅与石英坩埚的反应速率,控制氧的浓度和分布,从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点:(1)结合覆盖剂的应用,获得不同磁场下,硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律;(2)在磁场作用
南京航空航天大学 2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延, 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶,而高真空环境减少沉积过程中的能量损失,配合上合适的沉积温度 和退火温度,能够改变 ZnO 的择优生长方向,使得 ZnO 优先于面内生长,改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学 2021-04-14
电子镇痛仪
由于创伤、切口和其它原因产生的疼痛是大多数人都经历过,且都不愿意再经历的极不舒服的感觉。 电子镇痛仪是利用经皮电刺激(Transcutaneous Electrical Nerve Stimulator,简称:TENS)原理研制的具有较好镇痛效果,且无毒副作用的电子仪器。2002年美国市场以电子绷带名称出现的TENS被R&D杂志评为当年度最有益健康的100项发明之一。美国市场售价在$120——$1050。国内也有类似产品,但由于对原理理解不足,所以使用时针刺感较强,镇痛效果不明显,同时仪器体积较大。 电子镇痛仪操作简单,将刺激电极安置于疼痛区域周围,使疼痛区域在两电极之间。调节刺激强度,根据感觉程度可以逐步增强,使之在可耐受范围内的上限即可。通常使用30——40分钟后,停止使用。每天使用1——4次就可以起到明显效果。
大连理工大学 2025-02-21
批量生产的 InP、GaSb、InAs 开盒即用单晶片
可以量产/nInP、GaSb 单晶片主要作为衬底材料外延生长各种微波器件用微结构外延材料 (如 HEMT、HBT)、大功率激光器等的多量子阱材料,中长波红外探测器材料等, 其主要应用领域包括移动通信、卫星通信、导航、光纤通信、高效太阳能电池、夜 视、大气监测、国防技术等。主要技术:2-4 英寸化合物半导体磷化铟(InP)、锑化 镓(GaSb)和砷化铟(InAs)单晶生长和晶片加工技术。
中国科学院大学 2021-01-12
钨酸镉闪烁单晶材料的制备技术与器件应用
宁波大学晶体材料实验室在国际上首次成功开发钨酸镉(CWO)闪烁单晶的坩埚下降法生长技术,自主掌握CWO单晶材料制备专利技术。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 闪烁单晶是广泛应用于高能射线探测成像技术的光学功能材料。宁波大学晶体材料实验室在国际上首次成功开发钨酸镉(CWO)闪烁单晶的坩埚下降法生长技术,自主掌握CWO单晶材料制备专利技术。近年来所制备闪烁单晶性能完全达到射线探测器制造所要求实用化指标,CWO闪烁单晶材料可广泛应用于安检设备、集装箱检查系统、CT诊疗仪等技术领域。迄今已经形成单晶原坯、多规格晶片和单晶阵列的批量生产能力,相关材料产品已销往国内外相关射线探测成像设备制造厂商。 
宁波大学 2022-08-16
高品质大尺寸微波单晶石榴石薄膜材料
本项目共包括10项授权专利,其中高品质微波单晶薄膜的制备工艺获得3项专利技术,同时将这种单晶薄膜应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和自旋逻辑器件中等,共获得7项专利技术。本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术,获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求,摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。(1)建成了我国第一条大尺寸磁
电子科技大学 2021-04-14
钙钛矿单晶光电器件领域研究新进展
新型光电器件中载流子传输层与金属卤化物钙钛矿单晶异质原位集成的关键问题,在无机电子传输层上异质原位生长高质量全无机金属卤化物钙钛矿单晶方面取得研究进展 在全无机电子传输层
南方科技大学 2021-04-14
一种参数可调的无衍射栅型结构光产生方法和装置
本发明公开了一种无衍射栅型结构光实现方法,包括:(1)将激光器发出的激光光束经过空间滤波准直器进行空间滤波准直,形成平行光束;(2)通过分光镜将所述平行光束分为两束相干光;(3)通过两对称布置且旋转可调的平面反射镜,使两束相干光分别被对应的平面反射镜反射,得到反射后的第一光束和第二光束;(4)使两光束交汇以产生干涉,并通过旋转平面反射镜,使通过两束光束的交汇夹角发生改变,从而即可获得无衍射柵型结构光条纹。本发明还公开了一种无衍射栅型结构光实现装置。本发明可以产生条纹宽度、无衍射范围及无衍射传播距离可
华中科技大学 2021-04-14
仪研(上海)YJ-0633A药物黏度测定仪
YJ-0633A药物黏度测定仪 本仪器YJ-0633A药物黏度测定仪的制造符合中国药典2020年版0633黏度测定法所规定的技术要求,可以通用品氏和乌氏粘度计。本仪器专为粘度测试设计,由水槽和控制器两部分组成。粘度恒温槽提供一个稳定的温场和测试平台,此外仪器也可作为高精度浴槽,进行其它试验。本仪器的最大特点是:全喷塑处理,经久耐用;双层缸结构,高精度控温仪,控温准确。 主要功能特点 1、采用智能液晶显示温控仪,控温迅速,响应快,超调小,控温精度达±0.1℃。 2、采用硬质玻璃缸及保温外套缸(称双缸),保温性能好,试样观察清晰。 3、采用台式、一体机设计方式,仪器整体性好,使用方便。 4、带有线控计时按键,用于实验时的计时显示和控制。 5、采用电动搅拌装置,浴缸内的温度均匀。 6、制冷器与主机分离式设计,防止压缩机工作振动带来的粘度计测试误差。 二、主要技术参数 1、工作电源:   AC(220±10%)V,50Hz±5%。 2、加热功率:   1600W。 3、搅拌电机:   功率6W;转速 1200r/min。 4、测温范围:    10℃~180(选配制冷器后可实现制冷)5、控温精度:   ±0.1℃。 6、恒温浴:     容量,25L;形式,内外两层缸(双缸)。 7、使用环境:   环境温度-10℃~+35℃,相对湿度<85%。 8、温度传感器: 工业铂电阻,其分度号为Pt100。 9、整机功耗:   不大于1800W。 10、毛细管粘度计:  4支(平氏或者乌氏客户可任选)11、外形尺寸:   530㎜×400㎜×670㎜ (长×宽×高,含浴缸等)。
仪研智造(上海)药检仪器有限公司 2025-02-20
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