本发明公开了一种基于重复子结构的复合材料有限元建模方法，包括以下步骤：建立复合材料精细化的多组分单胞有限元模型；基于上述精细化的多组分单胞有限元模型，建立复合材料重复子结构模型；对重复子结构进行缩聚，然后将特征矩阵装配到单胞残余结构，得到全复合材料分析模型；此方法在保证计算精度的同时简化了复合材料精细化建模工程，极大的提高建模效率，具有十分重要的工程意义。

该成果获2018年度国家科学技术奖自然科学类二等奖，该成果系统地开展了摩擦的声子耗散以及声子在界而和多层膜结构内的输运规律的研究，在摩擦的声子粍散机理研宄方面，发现摩擦粍能与声子主导频率的定量关系；在国际上最早给出超晶格结构导热系数最小值出现的条件：率先提出声子沿石墨法向输运的自由程远大于经典理论预测的10nm左右：实现了描述声子输运的玻尔兹曼方程的数值解，在国际上率先发现多层膜之间的范德华力能够提髙声子在多层膜结构面内的平均自由程。该项0组的研究成果主要发表在Nano Letters、Physical Review B、Nature Nanotechnology等国际学术期刊上，其中8篇代表性论文获Science、Nature Nanotechnology、Nature Materials、Advanced Materials等重要国际学术期刊论文SCI他引509篇次，单篇最髙SCI他引U5次，研宂成果在国际上产生了重要的学术影响。

本实用新型公开了一种悬式绝缘子在线监测系统，包括：应力监测装置、污秽检测装置和导线风偏 监测装置，用来实时监测瓷柱式绝缘子的应力数据、污秽数据和导线风偏数据；应力监测装置、污秽检 测装置和导线风偏监测装置的输出均连接 A/D 转换电路，A/D 转换电路的输出连接数字处理电路，数字 处理电路用来将 A/D 转换电路输出的数字信号远距离传输到移动终端；移动终端连接数据存储器；太阳 能电池用来供电；控制电路与应力监测装置、污秽检测装置、导线风偏监测装置、A/D 转换电路、数字 处理电路和移动终端均相连。本实用新型可实现高压输电线路上瓷柱式绝缘子的远程实时监控，从而及 时发现并排除绝缘子的安全隐患。 

本实用新型公开了一种多功能瓷柱式绝缘子在线监测系统，包括：泄漏电流采集装置，用来实时监 测瓷柱式绝缘子的泄露电流数据；Sensor-应力监测装置，用来实时监测瓷柱式绝缘子的应力数据；污秽 检测装置，用来实时监测瓷柱式绝缘子的污秽数据；控制器通过信号线与泄漏电流采集装置、Sensor-应 力监测装置和污秽检测装置均相连；控制器用来收集数据，并将收集的数据通过发射天线发送出去，信 号接收器通过接收天线接收数据，信号接收器和终端机信号连接；太阳能电池用来供电。本实用新型设 计精简，成本低廉，可很大程度保证瓷柱式绝缘子的正常运行，从而预防事故发生，确保输电线路的安 全和稳定运行。 

本实用新型涉及多自由度压电超声电机技术，具体涉及基于准田字形压电振子驱动的平面电机，包 括定子组件、动子组件、支座组件和预紧组件，采用准田字形定子组件，且通过预紧组件与支座组件连 接；动子组件分别连接定子组件和支座组件。电机通过激发准田字形定子组件的面外一阶对称弯曲振动、 左右围杆面内一阶弯曲振动、前后围杆面内一阶弯曲振动三种模态的振动或近共振复合出两相椭圆运动 轨迹，据此推动动子组件交替地沿 x、y 向移动。可实现微米甚至更高精度级平面运动；

本实用新型提供一种测量绝缘子结构高度的装置，包括基座(1)、吊框(2)，所述吊框(2)包括 横梁(21)与立柱(22)，所述横梁(21)与所述立柱(22)垂直，所述立柱(22)与所述基座(1)的 底面垂直，所述立柱(22)上有测量刻度，所述横梁(21)上设置有悬挂件(3)，所述悬挂件(3)包 括连成一体的悬挂部(31)和连接部(32)，所述悬挂部(31)与所测量的绝缘子(4)的钢脚的形状相 同。所述基座(1)上可以设有水平仪(11)，底部还可以设有 3 个调平支脚(12)，本装置

课题组采用基于密度泛函理论的晶格动力学方法研究了碲化镉(CdTe)材料的声子谱（见图1(a)），通过系统分析发现在具有闪锌矿结构的II-VI半导体碲化镉中存在理想的第二类外尔声子（见图1(b)），并且发现这样的准粒子激发发生于声学支和光学支的交汇处。课题组随后根据二阶力常数矩阵构造类似于电子系统的Wannier紧束缚Hamiltonian，从而可以

随着信息技术的发展，平板电脑已经得到了普及，但是平板电脑的性能尤其是触摸屏幕的性能仍待改 进。新装置：具有自主知识产权的光点追踪智能板

本发明属于碳微机电技术领域，为一种碳微电极阵列结构的制备方法 。 其步骤包括 <img file="2012101868347100004dest_path_image002. GIF" wi="16" he="24" />光刻步骤，得到阵列的碳微结构部分；<img file="dest_path_image004.GIF" wi="20" he="42" />沉积金属步骤：在所得到的碳微结构表面沉积一层或多层金属层；<imgfile="dest_path_image006.GIF" wi="20" he="42" />热解步骤：在惰性气体氛围或惰性混合气体氛围环境下，在不同的温度下进行多步热解；通过上述步骤，即可生长得到表面集成碳纳米结构的碳微电极阵列结构。本发明将厚胶光刻、金属沉积和热解相结合，得到的微纳集成结构拥有较大的比表面积，本发明的方法运用于微机电系统中，具有工艺简便，成本低廉、可控性高、可大批量生长、结构优良等特点，得到的微纳集成结构具有良好的电学性能，故可作为电机，在微型电池、微型电化学传感器等微机领域中会有较广泛的应用。

随着人工智能、大数据、物联网、区块链等新一代信息技术兴起，数据量呈现爆炸式增长，传统计算系统的算力难以满足海量数据的计算需求。与此同时，摩尔定律逐渐放缓，单纯依靠提高集成度、缩小晶体管尺寸来提升芯片及系统性能的路径正面临技术极限，通过引入忆阻器新器件、模拟计算新范式、存算一体新架构，将拓展出全新的高性能人工智能芯片与系统，实现计算能力的飞跃。 目前被广泛使用的经典冯·诺依曼计算架构下数据存储与处理是分离的，存储器与处理器之间通过数据总线进行数据传输，在面向大数据分析等应用场景中，这种计算架构已成为高性能低功耗计算系统的主要瓶颈之一：数据总线的有限带宽严重制约了处理器的性能与效率，且存储器与处理器之间存在严重性能不匹配问题。忆阻器存算一体系统把传统以计算为中心的架构转变为以数据为中心的架构，其直接利用阻变器件进行数据存储与处理，通过将器件组织成为交叉阵列形式，实现存算一体的矩阵向量乘计算。忆阻器存算一体系统可以避免数据在存储和计算中反复搬移带来的时间和能量开销，消除了传统计算系统中的“存储墙”与“功耗墙”问题，可以高效、并行的完成基础的矩阵向量乘计算，未来极有潜力成为支撑人工智能等新兴应用的核心技术。 清华大学吴华强教授团队实现了材料与器件、电路设计、架构和算法的软硬件协同等多方面原始创新，解决了系统精度损失等被广泛关注的难题： 材料与器件创新。科研团队选择了电学特性稳定的二氧化铪作为忆阻层核心材料，提出了通过插入少量氧化铝层来固定离子分布、抑制晶粒间界形成的新理论，提出了引入热增强层的新原理器件结构，成功抑制了忆阻器非理想特性的产生。 电路设计创新。开发了一套忆阻器与晶体管的混合电路设计方法，提出“差分电阻”设计思想，采取源线电流镜限流设计，抑制了忆阻器电路中可能产生的各种计算误差。 算法创新。提出了混合训练算法，仅用小数据量训练神经网络并只更新最后一层网络的权重，即可将存算一体硬件系统的计算精度达到与软件理论值相同的水平。 “技术链”创新。从“单点技术突破”拓展到“技术链突破”，开发了针对忆阻器存算一体芯片的电子设计自动化（EDA）工具，打通了从电路模块设计到系统综合再到芯片验证的设计全流程。 上述理论和方法发表于《自然》《自然·纳米技术》《自然·通讯》等国际顶级期刊，以及被誉为“集成电路奥林匹克”的“国际固态电路大会”等顶级学术会议。研究成果被“国际半导体技术路线图”和30多部综述文章长篇幅引用。团队已在该研究方向申请国内外专利72项，其中30项已获得授权，知识产权完全自主可控。 团队已研制出全球首款忆阻器存算一体芯片和系统，集成了8个忆阻器阵列和完整的外围控制电路，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了计算设备的算力。全系统的计算能效比当前主流的人工智能计算平台——图形处理器（GPU）高两个数量级。团队还设计了一款基于130nm工艺研制的完整忆阻器存算一体芯片，在MNIST数据集上计算速度已超过市面上28nm工艺的四核CPU产品近20倍，能效有近千倍的优势。