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低温柔性大面积 CIGS（铜铟镓硒）太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺（简称 PI）为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能，同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点，具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻（70g/m2）、厚度薄（仅为 0.05mm）、表面光滑及可弯曲等特点，是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料，其功率重量比可高达 2000W/Kg（未封装），并且由于 PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷－卷（Roll-to-Roll）连续化生产，为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响，改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺（PI）CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%（由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定）。
南开大学
2021-02-01
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-04-11
CDTE薄膜的表面腐蚀及用此法制备CDTE太阳电池
CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池，属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液，其中，NaAc作为缓冲剂，以保持溶液的pH值不变，使反应更稳定，通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层；清洗吹干后，沉积含Cu或不含Cu背接触层，最后沉积背电极以制备CdTe太阳电池。沉积背接触材料，可增加pn结附近的载流子浓度，降低肖特基势垒高度，避免直接沉积Cu形成比较复杂的CuxTe结构。采用这种方法腐蚀并制备CdTe太阳电池，可显著提高太阳电池的性能，并保证器件性能的稳定性和重复性。
四川大学
2021-04-11
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.6$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层CIGS薄膜为p型半导体，其表面贫Cu呈n型与缓冲层CdS和i-ZnO共同成为n层，构成浅埋式p-n结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被p-n结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法沉积CIGS薄膜预置层→快速
南开大学
2021-04-14
低温柔性大面积 CIGS（铜铟镓硒）太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺（简称 PI）为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能，同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点，具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻（70g/m2）、厚度薄（仅为 0.05mm）、表面光滑及可弯曲等特点，是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料，其功率重量比可高达 2000W/Kg（未封装），并且由于PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷－卷（Roll-to-Roll）连续化生产，为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响，改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺（PI）CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%（由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定）。
南开大学
2021-04-13
DTMB 调制器/信号发生器
1 成果简介2006 年 8 月，中国颁布了地面数字电视强制性国家标准（ GB20600-2006，标准的英文缩写为 DTMB）。三年来， DTMB 在全国范围内逐渐推广，带动了一大批相关企业的发展。其中接收终端的生产厂家、接收芯片的研发企业迫切需要 DTMB 调制器用于接收终端和接收芯片的研发调试。为此，清华大学利用自主研发的 DTMB 信道编码调制专用集成电路DT6010，研发成功高性能 DTMB 调制器。2 技术指标工作频率范围： 474~858MHz频率步进间隔： 1MHz码流输入接口： ASI/SPI输出功率： -10~-40dBm，功率调整步进间隔： 1dB工作模式：支持 GB20600-2006 所有 330 种模式调制误差率(MER)： 32dB，频谱带肩： 49dB内置信噪比测试功能内置 PCR 校正功能可内置 MPEG-2 编码器模块3 应用说明本信号发生器可接收外置的码流播放器或编码器提供节目流，也可以使用内置的MPEG-2 编码器提供的码流，通过用配套的按键和 LCD 显示屏可以设置输出信号中心频率、输出信号功率、工作模式、信噪比等参数，可在现场或实验室对 DTMB 接收机、芯片进行相关指标的调试。4 效益分析目前已经完成设备的定型， 单台硬件成本约不超过 1 万元。
清华大学
2021-04-11
DTMB 调制器/信号发生器
2006 年 8 月，我国颁布了地面数字电视强制性国家标准(GB20600-2006，标准的英文缩写为 DTMB)。近年来，DTMB 在全国范围内逐渐推广，带动了一大批相关企业的发展。 其中接收终端的生产厂家、接收芯片的研发企业迫切需要 DTMB 调制器用于接收终端和接 收芯片的研发调试。为此，清华大学利用自主研发的 DTMB 信道编码调制专用集成电路 DT6010，研发成功高性能 DTMB 调制器。本信号发生器可接收外置的码流播放器或编码器提供节目流，也可以使用内置的MPEG-2 编码器提供的码流，通过用配套的按键和 LCD 显示屏设置输出信号中心频率、输 出信号功率、工作模式、信噪比等参数，可在现场或实验室对 DTMB 接收机、芯片进行相 关指标的调试。
清华大学
2021-04-11
DTMB 调制器/信号发生器
1 成果简介2006 年 8 月，中国颁布了地面数字电视强制性国家标准（ GB20600-2006，标准的英文缩写为 DTMB）。三年来， DTMB 在全国范围内逐渐推广，带动了一大批相关企业的发展。其中接收终端的生产厂家、接收芯片的研发企业迫切需要 DTMB 调制器用于接收终端和接收芯片的研发调试。为此，清华大学利用自主研发的 DTMB 信道编码调制专用集成电路DT6010，研发成功高性能 DTMB 调制器。2 技术指标工作频率范围： 474~858MHz频率步进间隔： 1MHz码流输入接口： ASI/SPI输出功率： -10~-40dBm，功率调整步进间隔： 1dB工作模式：支持 GB20600-2006 所有 330 种模式调制误差率(MER)： 32dB，频谱带肩： 49dB内置信噪比测试功能内置 PCR 校正功能可内置 MPEG-2 编码器模块3 应用说明本信号发生器可接收外置的码流播放器或编码器提供节目流，也可以使用内置的MPEG-2 编码器提供的码流，通过用配套的按键和 LCD 显示屏可以设置输出信号中心频率、输出信号功率、工作模式、信噪比等参数，可在现场或实验室对 DTMB 接收机、芯片进行相关指标的调试。4 效益分析目前已经完成设备的定型， 单台硬件成本约不超过 1 万元。
清华大学
2021-04-13
21017液体对器壁压强演示器
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
单口洗眼器/台式洗眼器
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温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23