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针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10
稀土掺杂非磁过渡金属对“铁磁/非磁”纳米自旋泵浦器件的磁性调控
成果介绍铁磁（FM）/非磁（NM）结构的双层膜中发现的自旋泵浦（spin pumping）效应是磁学和自旋电子学中的一个突破性发展，因此吸引了众多的研究兴趣。它和铁磁层自旋极化电流相关，同时又和非磁层的自旋轨道耦合有直接联系。本项目采用具有较高的自旋轨道耦合系数的稀土金属调制非磁层，运用铁磁共振和输运两种方法，并结合结构、磁性和同步辐射分析等手段，研究不同稀土掺杂对铁磁/非磁过渡-稀土合金（Py/NM-RE）复合纳米双层膜的结构和界面的影响，得到自旋泵浦强度、界面混合电导以及非磁层的自旋轨道耦合强度和自旋扩散长度的调控规律。从而探索该复合纳米双层膜中的界面自旋泵浦效应和非磁层自旋轨道耦合对自旋动力阻尼的影响机制。这些研究结果将有利于开发新型复合磁性材料和新型强自旋-轨道耦合的非磁材料，有利于集成多功能自旋器件。
东南大学
2021-04-11
清华大学集成电路学院任天令团队在柔性声学器件领域取得重要进展
清华大学集成电路学院任天令教授团队报道了一种基于微结构衬底的MXene声学传感器，用于模仿人耳膜的功能来实现声音的探测与识别。
清华大学
2022-04-01
一种基于单分子器件平台的单分子电学检测新方法和新技术
利用硅基单分子器件研究了分子马达水解的动力学过程，发现了无标记的电学检测方法观察到的分子马达的转动速度要比荧光标记的方法快一个数量级（ACS Nano 2018, 11, 12789）以苯环为骨架、芴基为核心的共轭分子，并在末端修饰上氨基，通过稳定的酰胺键将带有羰基官能团的功能分子连接在石墨烯电极之间，通过使用自主搭建的高速电学测试平台对化学反应进行了实时监测。大的共轭结构以及酰胺共价键的强耦合保证了分子具有良好的导电性；在化学反应进行的过程中，分子结构的变化将导致分子轨道发生改变，从而影响导电通道，影响器件的电导特性。
北京大学
2021-04-11
一种基于单分子器件平台的单分子电学检测新方法和新技术
研制了国际首例稳定可逆的单分子光开关器件（ Science , 2016 , 352 , 1443; J. Phys. Chem. Lett. , 2017 , 8 , 2849）；观察到了低温下联苯基团由于σ单键的旋转产生的精细立体电子效应（ Nano Lett. , 2017 , 17 , 856）；研究了分子间主客体相互作用的动力学过程（ Sci. Adv ., 2016 , 2 , e1601113），揭示了羰基和羟胺反应形成酮肟的分子机制（ Sci. Adv. , 2018 , 4 , eaar2177），证实了利用单分子电学检测方法研究单分子反应动力学的可行性，为实现单分子化学反应的可视化研究迈出了重要的一步。他们利用硅基单分子器件实现了具有单碱基对分辨率的DNA杂交/脱杂交动力学过程的研究（ Angew. Chem. Int. Ed. , 2016 , 55 , 9036）；在单分子水平上揭示了分子马达水解的动力学过程（ ACS Nano , 2018 , 11 , 12789），展现了单分子器件在单分子生物物理研究方面的可靠性。
北京大学
2021-04-11
曲面光学结构的多电荷耦合器件组 自适应成像仪及方法
南京工程学院
2021-04-13
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用 双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子 沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触 面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学
2021-04-14
东南大学孙岳明教授团队在多重共振材料和发光器件领域取得重要进展
近日，东南大学化学化工学院孙岳明教授团队的蒋伟教授报道了一种简单的纯红光多重共振材料设计策略，相关成果以“A Simple Molecular Design Strategy for Pure-Red Multiple Resonance Emitters”为题在化学领域国际权威学术期刊Angew. Chem. Int. Ed.以Hot Paper形式在线发表。
东南大学
2023-03-22
一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻辑操作方法
本发明公开了一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻 辑操作方法，非易失性逻辑器件包括磁头以及依次附着于衬底上的底 电极、绝缘层，相变磁性薄膜和顶电极；其中相变磁性材料由一种相 变材料基质中掺杂铁磁性元素构成，材料的磁性能够通过非晶态-晶态 相变来可逆调控。本发明基于材料的相变控磁特性实现“实质蕴涵” 逻辑运算以及“与”、“或”、“与非”和“或非”四种布尔逻辑运 算，其运算结果以材料的剩余磁化存储在器件中，从而实现
华中科技大学
2021-04-14