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一种超声电机驱动的旋转式高速
开关
阀
本发明公开了一种超声电机驱动的旋转式高速开关阀,包括阀体、上阀芯、阀板和下阀芯;上阀芯和下阀芯均固定在阀体内;阀板设置在阀体内,位于上阀芯和下阀芯之间,能够旋转;阀体具有进油口、回油口和出油口;上阀芯具有至少一个进油通道;下阀芯具有至少一个出油通道;阀板具有至少一个打开通道和至少一个关闭通道;进油通道的进油端与进油口相通;出油通道的出油端与出油口相通;打开通道的进油端与进油通道的出油端相对应,且出油端与出油通道的进油端相对应;关闭通道的进油端与进油通道的出油端相对应,出油端与回油口相对应。本发明无磁滞效应,可使用在磁敏感的场合,兼顾大流量、高压、高频响场合,同时结构简单,寿命长。
南京工程学院
2021-01-12
5、高压真空
开关
用铜铬合金触头材料
本项目采用真空熔铸方法,解决了 Cu-Cr 合金铸造产生的成分偏析及组织不 均匀问题,得到的显微组织细化、成分均匀化,尤其是合金中 Cr 粒子的细化问 题,大幅度提高耐电压强度,同时又能保持铜的高导电性,触头的小型化才有实 现的可能。本方法还能回收利用生产废料,因此生产工艺更为环保。而且生产成 本大大降低,性能还有所提高。本项目制备的触头材料,性能与国内外同类产品 相比,在导电性,均匀性,组织细化等多方面全面领先。
上海理工大学
2021-01-12
一种磷硅镉单
晶体
的生长方法与生长容器
一种磷硅镉单晶体的制备方法,以富磷CdSiP2多晶粉末为原料,工艺步骤为:(1)生长容器的清洗与干燥;(2)装料;(3)将装有生长原料并封结的双层坩埚放入三温区管式晶体生长炉,然后将生长炉的高温区和低温区以30~60℃/h的速率分别升温至1150~1180℃、950~1050℃,并保持该温度,继后调节梯度区的温度,使温度梯度为10~20℃/cm,当所述生长原料在高温区保温12~36h后,控制双层坩埚以3~6mm/day匀速下降,当双层坩埚下降到低温区并完成单晶生长后,使其停止下降,在低温区保温24~72h,保温时间届满,将高温区、梯度温区、低温区的温度同时以20~60℃/h降至室温。一种单晶体生长容器,由内层坩埚和外层坩埚组成,内层坩埚与外层坩埚之间的环形腔室内加有调压用CdSiP2多晶粉末。
四川大学
2021-04-11
一种制备基于叶酸修饰的混合光子
晶体
复合材料的方法
本发明公开了一种制备基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料的方法,采用二氧化硅胶体微球作为模板,并将其置于反应管中,加入预凝胶A反应、聚合后,去除二氧化硅胶体微球,制得反蛋白石骨架,将预凝胶B加入该骨架中反应、聚合20~60s后,即制得混合光子晶体,随后配制叶酸?二甲基亚砜混合溶液,加入1?(3?二甲氨基丙基)?3?乙基碳二亚胺盐酸盐,混合光子晶体和N?羟基琥珀酰亚胺反应后,洗涤,即可制得该复合材料。本发明的显著优点为制法简单容易,对设备要求低,制得的复合材料稳定性强,具有优越的生物兼容性和磁性响应性,能够特异、灵敏、简单、有效地抓捕到髓性白血病耐药细胞,并使得耐要细胞株具有良好的生物活性。
东南大学
2021-04-11
一种热场协调控制的提拉法
晶体
生长炉
本发明公开了一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉,包括绝热外壳及设置在绝热外壳内的生长室,生长室设置有坩埚,绝热外壳的外部设置有用于对坩埚进行加热的主电磁感应线圈,主电磁感应线圈的下方设置有副电磁感应线圈,主电磁感应线圈和副电磁感应线圈之间存在间距,有多根底部进气管和多根中部进气管平行伸入绝热外壳内,绝热外壳的顶部设置有气流出口,气流出口作为籽晶杆移动通道,绝热外壳内设置有用于削弱辐射传热的可伸缩遮热板和用于调整
华中科技大学
2021-04-14
一种二维纳米 SnSe2
晶体
材料的制备方法
本发明公开了一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法,采用 化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的 SnSe2 晶 体;其中,沉积设备为水平管式炉,顺序设有上游低温区、中心温区 以及下游低温区,所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低 温区,所述衬底放置于下游低温区;利用不同温区的温度差,单质硒 蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区;两者反应生成 SnSe2,并通过 沉积载气带入下游温区,在衬底上沉
华中科技大学
2021-04-14
一种硅光子
晶体
波导器件的飞秒激光制备系统及方法
本发明公开了一种硅光子晶体波导器件的飞秒激光制备系统及方法,系统包括飞秒激光器、多级半波片、偏振分光棱镜、第一反射镜、空间光调制器、第一透镜、第二反射镜、第三反射镜、第二透镜、电动翻转镜、第四反射镜、高倍物镜、三维加工平台、第三透镜、CCD相机、计算机;由飞秒激光器输出的激光通过多级半波片和偏振分光棱镜,经过反射镜射入空间光调制器;用计算机将加工方案生成全息图,加载到空间光调制器;光束经调制后通过第一透镜、第二反射镜、第三反射镜、第二透镜、第四反射镜,再经过高倍物镜聚焦到硅基片上,通过输入到计算机内的程序控制三维加工平台移动,完成加工任务。本发明加工步骤简易,加工精度高,加工速度快,加工成本低。
湖北工业大学
2021-01-12
宽温度范围连续可调控固态非线性光学
开关
材料的研究
非线性光学开关材料是非线性光学材料的一个重要分支,指的是在某种外界条件(如:光、热、化学环境变化等)变化下,能够在非线性光学 “开”、“关”两种状态间切换的物质。先前的大多数研究主要集中于液态材料,但其易失谐以及不稳定等特点,使得液态开关材料难以获得实际应用。而固态非线性开关材料具备非线性性质优良、性能稳定、易于调控等优势;但是目前具备固态非线性开关特性的材料却还很匮乏,这是因为其不仅要求其结构构筑基元是强响应非线性活性基团,而且环境变化下具备基元间对称性的可逆重排特性。目前,已经报道的固态非线性开关材料在状态间切换依赖于材料本身的相变温度Tc,正因如此,已报道材料只能在一个固定温度点下使用,这严重限制了固态非线性材料在温度响应方面的应用。 2018年吴立明课题组从理论上预测具不对称性的单氟磷酸根PO3F2-有望成为新的DUV NLO功能基团,并提出氟磷酸盐可作为深紫外非线性光学材料;进而通过实验合成获得(NH4)2PO3F,NaNH4PO3F∙H2O,(C(NH2)3)2PO3F等新型单氟磷酸盐深紫外非线性光学材料,并对其非线性光学性能进行了系统研究。(Chem. Mater. 2018, 30, 7823-7830.)。对其中非线性晶体材料(NH4)2PO3F相变特性深入研究发现:该化合物可在温度变化下发生低温相(P21/n、无非线性信号)和高温相(Pna21、有非线性信号)的相互转变。通过单晶结构表征分析证实,该相转变需要克服氢键网络重排的能垒。基于此,该工作提出,如果能调控(NH4)2PO3F中的氢键结构,有望实现对该化合物相变能垒和相变温度的调控。据此,该工作利用K+与NH4+的半径相似但不存在氢键环境的特点,设计合成了一系列化合物Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0.0 – 2.0)。研究表明,随着K+含量x的增加,由于Kx(NH4)2-xPO3F结构中氢键网络不断被削弱,发生相转变所需克服的能垒也逐步降低,在材料性能上则表现为非线性开关激发温度Tc的不断降低。因此,通过调控材料中K+离子的含量,固态非线性开关材料Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0 – 0.3)可实现激发温度Tc在270–150 K大温度范围内的连续可调。这是首次实现对固态非线性开关材料激发温度的调控,并且根据K+离子含量的控制,可实现在120摄氏度范围内的宽温度连续可调。通过理论计算高温相与低温相的自由能证实当K+含量高于30%时,由于氢键结构的过度削弱,该相转变消失,这与实验结果相符。该工作系统深入地探究了内部微观结构与宏观非线性光学开关性质之间的内在机制,不仅打破了传统非线性开关局限在特定温度的壁垒,而且为今后研究氢键机制作用下调控宏观性质提供了有益的参考。
北京师范大学
2021-02-01
宽温度范围连续可调控固态非线性光学
开关
材料的研究
非线性光学开关材料是非线性光学材料的一个重要分支,指的是在某种外界条件(如:光、热、化学环境变化等)变化下,能够在非线性光学 “开”、“关”两种状态间切换的物质。先前的大多数研究主要集中于液态材料,但其易失谐以及不稳定等特点,使得液态开关材料难以获得实际应用。而固态非线性开关材料具备非线性性质优良、性能稳定、易于调控等优势;但是目前具备固态非线性开关特性的材料却还很匮乏,这是因为其不仅要求其结构构筑基元是强响应非线性活性基团,而且环境变化下具备基元间对称性的可逆重排特性。目前,已经报道的固态非线性开关材料在状态间切换依赖于材料本身的相变温度Tc,正因如此,已报道材料只能在一个固定温度点下使用,这严重限制了固态非线性材料在温度响应方面的应用。 2018年吴立明课题组从理论上预测具不对称性的单氟磷酸根PO3F2-有望成为新的DUV NLO功能基团,并提出氟磷酸盐可作为深紫外非线性光学材料;进而通过实验合成获得(NH4)2PO3F,NaNH4PO3F∙H2O,(C(NH2)3)2PO3F等新型单氟磷酸盐深紫外非线性光学材料,并对其非线性光学性能进行了系统研究。(Chem. Mater. 2018, 30, 7823-7830.)。对其中非线性晶体材料(NH4)2PO3F相变特性深入研究发现:该化合物可在温度变化下发生低温相(P21/n、无非线性信号)和高温相(Pna21、有非线性信号)的相互转变。通过单晶结构表征分析证实,该相转变需要克服氢键网络重排的能垒。基于此,该工作提出,如果能调控(NH4)2PO3F中的氢键结构,有望实现对该化合物相变能垒和相变温度的调控。据此,该工作利用K+与NH4+的半径相似但不存在氢键环境的特点,设计合成了一系列化合物Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0.0 – 2.0)。研究表明,随着K+含量x的增加,由于Kx(NH4)2-xPO3F结构中氢键网络不断被削弱,发生相转变所需克服的能垒也逐步降低,在材料性能上则表现为非线性开关激发温度Tc的不断降低。因此,通过调控材料中K+离子的含量,固态非线性开关材料Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0 – 0.3)可实现激发温度Tc在270–150 K大温度范围内的连续可调。这是首次实现对固态非线性开关材料激发温度的调控,并且根据K+离子含量的控制,可实现在120摄氏度范围内的宽温度连续可调。通过理论计算高温相与低温相的自由能证实当K+含量高于30%时,由于氢键结构的过度削弱,该相转变消失,这与实验结果相符。该工作系统深入地探究了内部微观结构与宏观非线性光学开关性质之间的内在机制,不仅打破了传统非线性开关局限在特定温度的壁垒,而且为今后研究氢键机制作用下调控宏观性质提供了有益的参考。
北京师范大学
2021-04-10
大功率高稳定加速器励磁用
开关
电源
高校科技成果尽在科转云
西安交通大学
2021-04-10
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