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一种基于背景磁场下管材的电磁无模成形方法及装置
本发明公开了一种基于背景磁场下管材的电磁无模成形方法及 装置。本发明提出的装置包括亥姆霍兹线圈系统，支撑杆，上、下支 撑板，驱动杆，脉冲放电电路和成形线圈。本发明将背景磁场和脉冲 磁场相结合实现了管材(如铝合金管)的电磁均匀胀形。借助高速变形的 管材在背景磁场中，因电磁阻尼而形成的不均匀阻力场，阻碍其相应 塑性变形区的不均匀流动，使管材不出现局部减薄或胀裂，从而获得 塑性流动均匀的合格胀管件。本发明所采用的亥姆霍兹线
华中科技大学
2021-04-14
楔横轧非对称轴类件及无料头近净成形技术
团队发明了小料头/无料头的楔横轧成形工艺，将轴类成形的材料利用率提高至95%以上，实现楔横轧轴类零件无料头近净成形。
一、项目分类
关键核心技术突破
二、成果简介
轴类件为机械装备的关键零件之一，传统工艺多为锻造与切削方法加工制造。楔横轧是一种高效节能节材的轴类件先进成形技术，与传统的切削、锻造成形方法比较，成本平均下降约30%，是成形轴类件的最佳工艺。
团队发明了小料头/无料头的楔横轧成形工艺，将轴类成形的材料利用率提高至95%以上，实现楔横轧轴类零件无料头近净成形。发明了一种热辊剪成形机构，通过棒料剪切装置中上、下轧辊进行挤压剪切，得到所需的端面特定形状，解决了复杂坯料端部形状不易预成形难题。
团队研制了抑制楔横轧非对称轧制轴向窜动的新型模具，实现了非对称轴类件稳定轧制，扩大了楔横轧产品范围，同时扩展到大型长轴类的非对称件，发明了非对称铁路车轴可更换辊系自位型辊式楔横轧机，这是国内外首次设计完成的大型楔横轧机，解决了轧制时轧件受力与变形不均匀及模具快速更换难题，为高铁空心车轴等大型轴类件的国产化提供技术与设备保障。
在非对称轴类件轧制以及无料头楔横轧成形方面的技术发明，形成了具有自主知识产权的技术发明链，申请发明专利18项，已授权发明专利11项，转让发明专利5项，出版专著3部。
宁波大学
2022-08-16
连接界面具有梯度渐变结构的同质包套热等静压成形方法
本发明公开了一种同质包套热等静压成形方法，该方法采用热 等静压(HIP)/激光选区熔化(SLM)3D 打印复合工艺。本发明提出采用 SLM 成形出同质包套来解决传统方法成形复杂形状异质包套生产周期 长、制造成本高、包套除去过程繁琐、连接界面发生扩散反应污染制 件等问题。同时将同质包套内侧表面(在热等静压中与粉末相接处的面) 设计成梯度多孔渐变结构，使得热等静压后连接界面处组织呈现出梯 度变化结构，从而克服了因 SLM
华中科技大学
2021-04-14
一种成形区域温度梯度可控的高能束选区熔化方法与设备
本发明公开了一种成形区域温度梯度可控的高能束选区熔化方 法及设备，该设备的成形组件增设有测温模块与温控模块。利用该设 备进行高能束增材制造时，可利用测温模块所测得的成形区域边界温 度实时计算出熔池内部的温度梯度区间，并通过温控模块对成形区域 施加合适的热流条件以实现对熔池及成形区域温度梯度区间的控制， 使熔池始终满足定向凝固条件，进而完成不同尺寸、结构的高精度、 高性能定向凝固金属构件与单晶金属构件的高效制造。本发明
华中科技大学
2021-04-14
一种用于提高零件表面质量的热等静压成形方法
本发明公开了一种用于提高零件表面质量的热等静压成形方法， 其包括如下步骤：根据成形零件的形状和尺寸设计出包套和控形型芯 的三维模型；根据所设计的三维模型制作不锈钢包套和碳钢控形型芯， 利用 PVD 法在控形型芯表面喷涂陶瓷涂层；将控形型芯固定在包套 中，往包套内填充粉末，震动摇实；对包套进行抽气和加热处理，待 包套中真空度达到一定程度后进行封焊；采用先升温后升压的工艺对 包套进行热等静压处理，使粉末在高温高压作用下紧
华中科技大学
2021-04-14
一种高强钢热成形差异化力学性能分布柔性控制方法
本发明公开了一种高强钢热成形差异化力学性能分布柔性控制 方法，包括如下步骤：(1)在高强钢坯料成形后需获得具有高强度的位 置表面涂覆涂料；(2)将坯料置于加热炉中加热使涂覆涂料区域完全奥 氏体化而未涂覆涂料区域非奥氏体化或非完全奥氏体化；(3)将坯料从 加热炉中取出快速转移至成形模具上；(4)闭合模具使坯料成形并冷却， 涂覆有涂料的区域冷却后发生相变得到完全的马氏体组织，强度提升 塑性下降，未涂覆涂料的
华中科技大学
2021-04-14
纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的制备
氧化铟锡（indium-tin-oxide）简称ITO，ITO靶材是一种功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明导电膜玻璃。以金属铟、锡为原料采用共沉淀法制备出纳米级ITO复合粉体。粉体造粒成型后分别采用加压和常压烧结法制备出相对理论密度大于99.5%、氧化铟单一相的ITO靶材。 粉体纯度大于99.99%、颗粒分散性好，粒径10nm—80nm之间可控，BET比表面积30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相对理论密度99.5%。 威海市蓝狐特种材料有限公司已采用该技术建设年产20吨纳米级氧化铟锡复合粉体生产线，采用该粉体烧制的ITO靶材相对理论密度达到99%以上。国内相对理论密度大于99%的ITO靶材主采用进口产品。 金属铟、锡是我国的优势资源，生产设备都是定型通用设备，年产20吨纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的生产厂需要人员50名。纳米级氧化铟锡粉体制备已建设年产20吨生产线。高密度ITO靶材的制备已完成实验室小试。
北京化工大学
2021-02-01
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。
传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。
本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。
大连理工大学
2021-05-10
单畴超导块材Gd-Ba-Cu-O 的制备与其超导性能的研究
直径为25 mm的YBa2Cu3O7-δ(Y123)单畴超导块材在温度为77K时，捕捉磁场高达4 T；而在29 K时，捕捉磁场甚至达17 T，优越的性能促进了该类超导材料在电机、发电机、工业污水处理、医学核磁共振等方面的应用研究。
本课题以通过熔融织构方法生长高性能的单畴超导块材作为研究对象，选择合适的单相氧化物作为第二相生长GdBa2Cu3O7-δ超导块材。在制备的高质量系列样品的基础上，通过低温磁性测量分析临界电流密度随温度及掺杂量的变化曲线；分析微观结构，揭示第二相、缺陷等对超导性能影响的原因。以期找出提高超导块材性能的合理生长方法，对其微观机制给出尽量圆满的解释。这也为澄清与当前超导材料前沿课题紧密相关的一些基本问题的理解提供基础研究资料。
该项目已获国家自然基金项目立项支持。
上海电力大学
2021-04-29
一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法
本发明涉及金属材料加工技术领域，具体涉及一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法。包括以下步骤：将超高纯铝板材于５０℃～３００℃下热轧，道次压下量控制在４０％～５０％；将热轧后的超高纯铝板材在１００～３００℃温度下保温０～１小时；然后进行冷轧，道次压下量控制在４０％～５０％，通过对板材进行道次间空冷、水冷以及冰水冷却控制板材轧制过程的温升，抑制板材的
东南大学
2021-04-14