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基于电控液晶双模微透镜的控光芯片
本发明公开了一种基于电控液晶双模微透镜的控光芯片。该芯片包括面阵电控液晶双模微透镜；其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电极层、电绝缘层、第二电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；第一电极层由其上布有 m×n 元阵列分布的圆孔的一层匀质石墨烯膜构成，公共电极层和第二电极层分别由一层与第一电极层同质的匀质石
华中科技大学
2021-04-14
一种液晶基红外波束偏振控制芯片
本发明公开了一种液晶基红外波束偏振控制芯片，包括芯片壳体(4)以及位于该芯片壳体(4)内的阵列化液晶偏振控制结构(3)；芯片壳体(4)上设置有第一驱控信号输入端口(1)，第二驱控信号输入端口(2)，第三驱控信号输入端口(5)，第四驱控信号输入端口(6)。红外光波进入芯片的阵列化液晶偏振控制结构后，按照液晶偏振控制结构的阵列规模和排布情况被离散化为子波束阵。子波束与受控电场激励下的液晶分子相互作用，被执行水平、垂直、4
华中科技大学
2021-04-14
一种芯片连晶缺陷识别方法
本发明公开了一种芯片连晶缺陷识别方法，该发明主要用于在 芯片制造过程中识别含连晶缺陷的不合格芯片；包括三个步骤：步骤 一，对采集到的芯片图片进行模板匹配，定位出芯片的位置，根据芯 片的位置，对图片进行截取；步骤二，对截取获得的图片进行预处理， 增大芯片基体与背景的差别；步骤三、对经过预处理的图片进行分割， 获取 blob 块，对 blob 块进行特征分析：首先以面积为基准判断出是否 含连晶缺陷；对面积正常的 blob 块，获取其 blob 块最小外接矩形的中 心点以及四边中点的位置，以中心点以及四边
华中科技大学
2021-04-14
一种倒装 LED 芯片在线检测方法
本发明公开了一种倒装LED芯片在线检测方法，该方法所涉及的检测装置包括盘片装载台、运输传输系统、收光测试组件、探针工作台以及探测对准系统，其中，该在线检测方法为：在工作中，运输传送系统可以运输盘片工作台到合适的工作区域，调整位姿之后，启动探测对准系统对探针工作台进行控制，使探针与待测试的芯片接触通电，使芯片发亮，从而收光测试组件可以对其进行检测。按照本发明的机械结构，能够成功地解决倒装LED芯片电机和发光面不同侧的问题，并且采用了精密图像运动控制技术，实现了倒装LED芯片的高速精密测试，加快了芯片的检测效率。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于模板匹配的芯片定位方法
本发明公开了一种基于模板匹配的芯片定位方法，具体包括以下步骤：步骤一，制作模板；步骤二，对待定位图片进行预处理，增大背景与芯片基体的对比度；步骤三，对预处理后的图片进行图像分割，得到blob块，利用blob块的面积和blob块对应的最小外接矩形的边长信息排除存在连晶、缺损缺陷的芯片；获取剩下的blob块的最小外接矩形的中心位置坐标，以及短边与水平方向的夹角；步骤四，根据步骤三得出的中心位置坐标和夹角，在待定位图片上采用模板匹配芯片，定位出芯片的位置和角度。本方法主要适用于芯片制造过程中对芯片的定位，采用先筛选再匹配的方法能快速准确定位出合格芯片的位置，排除掉带有连晶、缺损缺陷的芯片。
华中科技大学
2021-04-14
一种倒装LED芯片在线检测装置
本实用新型公开了一种倒装LED芯片在线检测装置，包括底座，所述底座的上端转动连接有支撑块，所述底座的正上方设有支撑台，所述支撑块的上端与支撑台的下端转动连接，所述支撑台的上端分别固定连接有第一安装块和第二安装块，所述第一安装块和第二安装块之间设有LED芯片本体，所述LED芯片本体的一侧设有支撑杆，所述支撑杆远离LED芯片本体的一端贯穿第一安装块，所述支撑杆与第一安装块之间为转动连接，所述第一安装块的上端插设有第二螺杆，所述第二螺杆的下端贯穿第一安装块并与支撑杆相抵，所述第二螺杆与第一安装块之间为螺纹连接。本实用新型通过调节机构的设置，实现对LED芯片翻转、旋转，提高使用时的便捷性与检测时的多样化。
华中科技大学
2021-04-14
光晶体管结构的柔性紫外探测器
本发明涉及提出一种无机钙钛矿光晶体管结构的紫外探测器。基底(1)为玻璃基底，在基底(1)上制备CsPbX3薄膜(2)作为有源层，在CsPbX3薄膜(2)表面制备同物质的CsPbX3量子点(5)掺杂的PMMA有机层(4)作为栅绝缘层，以此为紫外光感应窗口；薄膜晶体管的源极(3.1)、漏Au电极(3.2)分别位于CsPbX3薄膜(2)上的两边，FTO栅极(6)位于CsPbX3薄膜(2)的上的中间，在薄膜晶体管的源极(3.1)、漏Au电极(3.2)和FTO栅极(6)调制下，获得光生载流子分离、转换的电信号读取、放大的集成功能，以实现高响应度的紫外信号探测。光晶体管探测器可采用如图1所示的顶栅结构，也可以采用如图2所示的底栅结构。以上两种结构可制备在玻璃基板上，也可以制备在柔性基板上形成底栅或顶栅结构的柔性光晶体管紫外探测器。
东南大学
2021-04-11
一种基于探测参考信号的信噪比估计方法
本发明所述方法可以直接应用于SRS，通过利用空载波技术，减小了信号对噪声功率估计的影响，有效地估计出噪声功率，进而得到准确的平均信噪比估计和子载波信噪比估计。
电子科技大学
2021-04-10
小型核化探测遥操作机器人项目介绍
为应对核生化恐怖威胁以及保障核电站的运营安全，迫切需要研制一种适应各种复杂环境、高度机动灵活、远程控制距离远、现场可迅速展开并具有一定应急处理能力的小型核化探测遥操作机器人。 小型核化探测遥操作机器人主要由（1）机器人本体、（2）小型四自由度机械臂、 （3）遥操作控制箱三部分组成。机器人自身配有姿态传感器，GPS定位和激光雷达，结合摄像头的图像信息，可以将机器人周围的环境情况回传给操作人员，使得操作人员可以根据现场情况对机器人的行动进行决策，如图所示。
东南大学
2021-04-11
高灵敏度高分子光探测器
通过分子设计在高分子光电探测器中实现活性层的垂直相分离控制，有效降低负偏压下的暗电流从而提高光探测器的探测度。具体上，课题组基于具有优异光伏性能的苯并二噻吩（BDT）为主链构建单元，通过在侧链引入共轭的3,4-乙撑二氧噻吩（EDOT）作为给体单元，与以噻吩并吡咯二酮TPD为受体单元共聚，合成了高分子PBT(EDOT) 与噻吩侧链的高分子PBT（TH）相比，PBT(EDOT)器件负偏压下的暗电流密度降低了2个数量级以上，而其光伏性能没有显著下降（图1）。并且，探测器在±2.0V时具有非常高的整流比，暗电流的比值达到106-107，说明该探测器具有非常优异的二极管特性。在-0.2 V时，PBT(EDOT)器件暗电流密度可以达到1.6 × 10-10 A cm-2。暗电流的降低，使PBT(EDOT)光探测器在光谱响应区内可以获得1013 Jones以上的探测度。与之相对的是，基于PBT(TH)的探测器，其探测度始终在1.1 × 1012 Jones以下的水平（图2a）。此外，由于暗电流的减小，PBT(EDOT)器件对于弱光的探测敏感性大大提高，可以探测到光强在1 pW cm-2以下的弱光（图2b）。该项工作已申请PCT专利，课题组将进一步开发高分子光探测器在传感、光通讯等方面的实际应用。
南方科技大学
2021-04-13