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光学超晶格铌酸锂有源光量子芯片
国际上第一个铌酸锂有源光量子芯片
一、项目分类
重大科学前沿创新、关键核心技术突破
二、成果简介
南京大学物理学院祝世宁院士的科研团队，研制出国际上第一个铌酸锂有源光量子芯片。该芯片集成了微型化光学超晶格纠缠光源、波导量子干涉器、波分复用器及电光调制器等不同功能器件,实现了纠缠光子的高效产生、高速电光调制并完成相应的信息处理功能。该芯片由光纤耦合输入输出,能在室温稳定工作，工作电压低于3.55V，调控速率可达40GHz。芯片的多项核心指标如纠缠光子产率、调谐速率、调谐带宽等创下当时国际最高水平，为光量子集成光学和信息处理开辟了一条和硅基芯片不同的技术路线。
成果以编辑推荐形式发表在物理学顶级期刊《物理评论快讯》(Phys. Rev. Lett. ,2014)上，被国际Physics、IEEE Spectrum等科技媒体重点评述。成果也成功入选中国光学十大进展(2014)，以此为主要成果之一的“光学超晶格中纠缠光子的产生、调控和应用”获2020年高等学校自然科学奖一等奖。以此成果为基础，团队成功获批和完成基金委重大科研仪器研制项目，研制出多种高性能量子光源。
南京大学
2022-08-12
基于电控液晶双模微透镜的控光芯片
本发明公开了一种基于电控液晶双模微透镜的控光芯片。该芯片包括面阵电控液晶双模微透镜；其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电极层、电绝缘层、第二电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；第一电极层由其上布有 m×n 元阵列分布的圆孔的一层匀质石墨烯膜构成，公共电极层和第二电极层分别由一层与第一电极层同质的匀质石
华中科技大学
2021-04-14
一种液晶基红外波束偏振控制芯片
本发明公开了一种液晶基红外波束偏振控制芯片，包括芯片壳体(4)以及位于该芯片壳体(4)内的阵列化液晶偏振控制结构(3)；芯片壳体(4)上设置有第一驱控信号输入端口(1)，第二驱控信号输入端口(2)，第三驱控信号输入端口(5)，第四驱控信号输入端口(6)。红外光波进入芯片的阵列化液晶偏振控制结构后，按照液晶偏振控制结构的阵列规模和排布情况被离散化为子波束阵。子波束与受控电场激励下的液晶分子相互作用，被执行水平、垂直、4
华中科技大学
2021-04-14
一种芯片连晶缺陷识别方法
本发明公开了一种芯片连晶缺陷识别方法，该发明主要用于在 芯片制造过程中识别含连晶缺陷的不合格芯片；包括三个步骤：步骤 一，对采集到的芯片图片进行模板匹配，定位出芯片的位置，根据芯 片的位置，对图片进行截取；步骤二，对截取获得的图片进行预处理， 增大芯片基体与背景的差别；步骤三、对经过预处理的图片进行分割， 获取 blob 块，对 blob 块进行特征分析：首先以面积为基准判断出是否 含连晶缺陷；对面积正常的 blob 块，获取其 blob 块最小外接矩形的中 心点以及四边中点的位置，以中心点以及四边
华中科技大学
2021-04-14
一种倒装 LED 芯片在线检测方法
本发明公开了一种倒装LED芯片在线检测方法，该方法所涉及的检测装置包括盘片装载台、运输传输系统、收光测试组件、探针工作台以及探测对准系统，其中，该在线检测方法为：在工作中，运输传送系统可以运输盘片工作台到合适的工作区域，调整位姿之后，启动探测对准系统对探针工作台进行控制，使探针与待测试的芯片接触通电，使芯片发亮，从而收光测试组件可以对其进行检测。按照本发明的机械结构，能够成功地解决倒装LED芯片电机和发光面不同侧的问题，并且采用了精密图像运动控制技术，实现了倒装LED芯片的高速精密测试，加快了芯片的检测效率。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于模板匹配的芯片定位方法
本发明公开了一种基于模板匹配的芯片定位方法，具体包括以下步骤：步骤一，制作模板；步骤二，对待定位图片进行预处理，增大背景与芯片基体的对比度；步骤三，对预处理后的图片进行图像分割，得到blob块，利用blob块的面积和blob块对应的最小外接矩形的边长信息排除存在连晶、缺损缺陷的芯片；获取剩下的blob块的最小外接矩形的中心位置坐标，以及短边与水平方向的夹角；步骤四，根据步骤三得出的中心位置坐标和夹角，在待定位图片上采用模板匹配芯片，定位出芯片的位置和角度。本方法主要适用于芯片制造过程中对芯片的定位，采用先筛选再匹配的方法能快速准确定位出合格芯片的位置，排除掉带有连晶、缺损缺陷的芯片。
华中科技大学
2021-04-14
一种倒装LED芯片在线检测装置
本实用新型公开了一种倒装LED芯片在线检测装置，包括底座，所述底座的上端转动连接有支撑块，所述底座的正上方设有支撑台，所述支撑块的上端与支撑台的下端转动连接，所述支撑台的上端分别固定连接有第一安装块和第二安装块，所述第一安装块和第二安装块之间设有LED芯片本体，所述LED芯片本体的一侧设有支撑杆，所述支撑杆远离LED芯片本体的一端贯穿第一安装块，所述支撑杆与第一安装块之间为转动连接，所述第一安装块的上端插设有第二螺杆，所述第二螺杆的下端贯穿第一安装块并与支撑杆相抵，所述第二螺杆与第一安装块之间为螺纹连接。本实用新型通过调节机构的设置，实现对LED芯片翻转、旋转，提高使用时的便捷性与检测时的多样化。
华中科技大学
2021-04-14
Si基GaN功率半导体及其集成技术
随着便携式电子设备的快速发展，将微型电子设备运用到可穿戴设备或者作为生物植入物的可行性越来越大。用柔性电子器件来替代传统的硬质电子器件的重要性也愈加凸显，如何解决柔性电子设备的储能问题，是实现这些可能性的重要因素之一。 本成果设计并制备了一种新型柔性微型超级电容器，其具有制备工艺简单，成本较低，适用于各种粉末状电极材料等特点。
电子科技大学
2021-04-10
垃圾焚烧飞灰填埋成套技术集成
垃圾焚烧飞灰处理达标后在卫生填埋场分区处置是今后我国发达地区飞灰处置的主流途径，这类填埋场的污染形成途径、强度与控制方法均与传统原生垃圾填埋场不同，现有填埋场污染控制技术从环境和经济角度均不适用，亟需高效的控制技术。本项目依据处理后焚烧飞灰填埋的污染衍生途径，发展控制处理飞灰填埋作业中黏附作业机械、风吹飘散的飞灰颗粒化技术；同步集成飞灰溶解性盐分缓释技术；发展雨水近零渗入的处理飞灰填埋作业技术。依据所集成的飞灰填埋前处理和作业技术，进行现场运行验证及条件优化试验。项目旨在发展既能够提高填埋场污染控制的效果，也能改善污染控制的经济条件的集成技术；而且同步开展现场应用验证试验，使成果具备推广应用的条件。通过推广应用可以为焚烧飞灰填埋场的运行提供支撑条件。 同济大学固体废物处理与资源化研究所，近5年来已主持承担和完成国家973计划课题、863计划课题、国家自然科学基金面上/青年项目、国家863和科技支撑计划、国家重大科技专项子课题项目等20余项；相关成果分别获国家级科技奖励二等奖和省部级科技奖励一等奖、二等奖和三等奖多项；拥有授权中国发明专利40项。在长期的固体废物处理与资源化利用技术研究发展中，已积累了扎实的研究基础，特别是在生活垃圾填埋和焚烧方向，分别承担了国家973计划课题（可燃固体废弃物热转化过程中重金属的排放控制及关键污染物的协同脱除（编号2011CB201504），城市固废物-化-生相变及污染物产生（编号2012CB719801）），完成了国家863计划：城市生活垃圾生态填埋成套技术与设备（编号2001AA644010）、城市生活垃圾生态填埋成套技术及示范（编号2003AA644020），国家科技支撑计划：低成本可控制生活垃圾填埋关键技术（编号2006BAJ04A06-05）等10余项课题（子课题）的研究。 常州市生活废弃物处理中心是国内较早开展处理后达标焚烧飞灰在卫生填埋场处置的单位；在数年的实际运行中，面临了渗滤液收集管道阻塞等问题，也通过与同济大学的合作，探索了解决问题的方法，积累了一系列实用技术。目前，该中心二期续建工程已施工完毕，即将投入运行，正是集成各项新技术，开展试验研究的有利时机。为利用有利条件，发展行业共性技术，同济大学将联合该中心开展项目研究。
同济大学
2021-04-11
Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10