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江苏鲸准数科信息产业发展有限责任公司
2021-02-01
广播系统
产品详细介绍
潮州市长宇教学仪器有限公司
2021-08-23
系统主机
产品详细介绍
u 三路麦克风输入
u 麦克风独立调节
u 线路立体声输入
u 录音立体声输出
u 外接4-16Ω喇叭
u 高、低音调节
u 话筒48V独立切换
u 话筒反馈状态独立切换
u 供电方式：AC220V/50Hz
u 反馈移频量：5Hz±1Hz
u 输出功率：100W
u 频率响应：非反馈移频状态：20Hz ～ 20kHz
反馈移频状态：150Hz ～ 15kHz
恩平市海天电子科技有限公司
2021-08-23
一种基于开槽结构的四分之一模基片集成波导滤波器
本发明公开了一种基于开槽结构的四分之一模基片集成波导滤波器，包括四分之一模基片集成波导弧形腔，四分之一模基片集成波导弧形腔通过基片集成波导圆形腔沿任意两条相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波导弧形腔包括介质基片，介质基片的上表面设有上金属层，介质基片的下表面设有下金属层，介质基片中沿四分之一模基片集成波导弧形腔的周向均匀分布有贯穿上金属层和下金属层的金属通孔。本发明相对于传统的基片集成波导圆形腔有效实现了小型化。并且，相对于传统的多层结构，本发明结构简单，加工方便。此外，相对于传统的微带结构，本发明的滤波器品质因数高，损耗小。
东南大学
2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11
天津大学研发一步式制备集成型一体化储能电极新方法
天津大学“英才计划”特聘研究员吉科猛团队联合湖南大学谭勇文教授团队利用钴磷合金研发出仅用一步即可制成电池电极的电化学腐蚀制备技术。
天津大学
2022-12-07
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学
2021-04-13
一种宽量程高精度集成双膜电容式压力传感器及制作方法
本发明涉及压力传感器技术领域，特指一种宽量程高精度集成双膜电容式压力传感器及制作方法，包括玻璃衬底，玻璃衬底上设有浅槽一与浅槽二，浅槽一与浅槽二通过细槽连通，浅槽二中心位置设有浅槽通孔，浅槽通孔从浅槽二底面延至玻璃衬底底面，浅槽一上设有可测量低压差的电容Ｃ１，浅槽二上设有可测量高压差的电容Ｃ２，可测量低压差的电容Ｃ１包括底电极板与薄压力敏感膜，可测量高压差的电容Ｃ２包括厚压力敏感膜与顶电极板，浅槽通孔通过细槽与可测量低压差的电容Ｃ１对应设置，浅槽通孔通过浅槽二与可测量高压差的电容Ｃ２对应设置。本发明通过可测量低压差的电容Ｃ１与可测量高压差的电容Ｃ２分别实现了压力在低压段与高压段的高精度测量。
东南大学
2021-04-11
关于发布集成芯片前沿技术科学基础重大研究计划2023年度项目指南的通告
国家自然科学基金委员会现发布集成芯片前沿技术科学基础重大研究计划2023年度项目指南，请申请人及依托单位按项目指南中所述的要求和注意事项申请。
国家自然科学基金委员会
2023-07-31
重庆市肉牛杂交改良及安全优质生产配套技术研究集成与产业化示范
重庆养牛长期役用，肉用生产能力及牛肉品质差，优质牛肉依赖市外调入或国外进口。该成果历经十余 年，引入8个世界著名肉用品种，筛选出4个二元杂交组合、2个级进杂交组合、1个三元杂交组合;配套优质 牧草的栽培及饲料加工调制技术、营养调控技术、标准化饲养技术、生物安全技术、程序化人工授精技术, 实现了役用牛向肉用牛的转变,产肉能力提高3倍以上、肉质达到国家特级标准、安全指标符合国家及欧盟等 要求，每头肉牛的产值提高5~6倍，填补了市内优质牛肉生产的空白；获得国家发明专利授权13项、发布重 庆市地方标准14个，助推形成了一批国家级及市级肉牛产业龙头企业，在保供增收及促进农业结构调整方面发挥了积极作用。本成果于2014年获重庆市科技进步奖三等奖。
西南大学
2021-04-13