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高等教育领域数字化综合服务平台
消防控制柜
适用于石油化工、天然气、发电、棉麻纺织、仓库、机场、码头、高层建筑、地铁等行业的消防工程、消防管网增压系统。
山东双轮股份有限公司
2021-06-23
风门气动控制装置
山东金科星机电股份有限公司
2021-08-17
物联控制主机
与控智安卓系统系列平板电脑无缝连接；
与 Android2.2 以上系统的平版手机实现完美融合；
全面兼容 IPAD、Iphone，多平台使用；
高性能网络数据处理主机，软硬件加密解码；
WIFI 通讯传输，稳定可靠；
支持数据解析运算、数据监控，可执行任务计划；
支持 linux 控制系统，主机内置系统 Ubuntu15.04；
CPU ARM-A7 四核，主频 1.3GHz；
2G DDR3 运行内存；8GB EMMC 闪存；
板载 BIOS，断电保护；
10 路 RS232，2 路 RS485 接口，可支持串口转发；
1 路以太网 10/100Mbps；1 路 USB；
DC12V/4A 适配器供电；RESET 复位按键；
尺寸：1U 标准机柜尺寸
北京时代新维测控设备有限公司
2021-08-23
通风控制系统
通风控制系统可根据不同的情况采用不同的控制方式， 如单台通风设备定风量通风控制系统、多台通风设备变通风控制系统，多台通风设备变+变风量通风控制系统。
中矿创新实业集团有限公司
2021-12-08
多媒体智能控制
智能多媒体控制系统能将实验室内多媒体设备集中在一个平台上进行管理，包括投影仪、电子白板、幕布、音响、话筒、教师电脑等。1. 本地控制：通过本地的交互一体机实现对室内多媒体设备工作状态的查看与一键控制；2. 视频信号切换：可对投影仪或一体机的视频显示信号进行按需切换，包含台式电脑、笔记本电脑、数据展台等；3. 音频信号切换：提供两个音频信号来源的按需切换功能；4. 输出音量调节：实现输出音量的按需调节，包括主音量与高低音调节等；5. 幕布控制：可对电动幕布进行升、降、停的按需操作；6. 呼叫管理员：当出现设备故障或其他需要管理员协助的情况时，可通过交互一体机，实现管理员的一键呼叫；7. 脱机管理：当出现网络中断、服务器宕机、网络广播风暴等与服务器失去连接的情况，智能多媒体管理系统仍然能按正常的人员身份认证情况与管理策略进行正常运行；
重庆步航科技有限公司
2022-09-08
中国机电产品出口占比增至近六成
记者近日从商务部例行新闻发布会上了解到，今年以来，围绕“外贸创新发展年”，商务部会同各有关部门和地方，积极实施优进优出、贸易产业融合和贸易畅通“三大计划”，推动外贸创新发展，为加快构建新发展格局作出贡献。
人民网－人民日报海外版
2021-12-13
有机电荷转移分子调控二维材料电学特性研究
已有样品/n使用有机电荷转移分子F4TCNQ与MoS2结合形成范德华界面，通过F4TCNQ与MoS2之间的电荷转移来降低沟道内无栅压情况下的载流子浓度。MoS2晶体管的开启电压（Von）从负数十伏被调制至0伏附近，F4TCNQ并未导致MoS2晶体管包含迁移率在内的任何电学性能的下降，其亚阈值摆幅（SS）反而明显提升。团队成员通过第一性原理计算以及扫描开尔文探针显微镜表征证实了范德华界面处电荷转移的存在性，并研究了F4TCNQ对Mo
中国科学院大学
2021-01-12
一种基于电机电流的铣削刀具碰撞快速辨识方法
本发明公开了一种基于电机电流的铣削刀具碰撞快速辨识方法， 该方法包括如下步骤:利用刀具进行试切，监测电机电流信号，提取 表征刀具状态的电流特征量 IRMS 值;对获得的 IRMS 值进行平滑处 理，以去除干扰信号;然后根据平滑处理后的 IRMS 值标定出各工况 下的幅值、斜率;利用刀具进行实际切削，实时获取刀具在实际切削 加工过程中的经平滑处理后的 IRMS 的实测值 A 和波动周期内的最大 斜率&n
华中科技大学
2021-04-14
基于网络的大型机电装备远程运行监视和故障诊断
重点围绕实施大型机电设备预测性的状态检修需要，建立设备状态劣化监测模型，在线评价设备健康状态。采用自动逻辑推理的自主故障诊断方法，结合专家人机交互方式进行观察、推理的人工诊断方式，形成更准确全面的故障原因分析和故障定位。根据状态评价和故障定位结果，自动给出设备维修建议的方法。利用长期积累的设备试验、运行、故障前后的各种状态数据，进行设备状态劣化模型、故障诊断模型的更新和修正方法。基于Internet的远程协作诊断机制，遇到疑难问题时邀请多领域专家进行在线会商。可以用于机电设备、水电机组、风力发电机组
扬州大学
2021-04-14
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准 IC 工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封
华中科技大学
2021-04-14