氧化镓衬底晶片● 大功率高能半导体器件：电磁轨道炮、舰载电磁弹射系统等● 日盲探测类：大火监测、雷达预警、近地空间通讯器件等● 高功率LED器件：高亮度、超大功率、科研考察探测设备等● 特高压输电、城市轨道及交通功率器件

课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础（Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021），设计了结终端扩展结构（Junction Termination Extension, JTE），并优化退火工艺，成功制备出耐高压且耐高温的氧化镓异质结二极管。

本发明公开了一种铟镓锌氧化物粉体的制备方法，其包括如下 步骤：首先配置镓盐溶液、铟盐溶液和锌盐溶液；然后使用不含碱金 属的碱液作为沉淀剂，并采用三步沉淀法分别使所述镓盐溶液、铟盐 溶液以及锌盐溶液中的镓离子、铟离子、锌离子在不同 pH 值下先后沉 淀，以制备铟镓锌氧化物前驱体粉体；最后将制备的所述铟镓锌氧化 物前驱体粉体经洗涤、过滤、干燥、退火后制成获得高纯单相铟镓锌 氧化物粉体 InGaZnO4。本发明可制备具有高

已有样品/n基于超低温的恒定电容深能级瞬态傅里叶谱表征了LPCVD-SiNx/GaN界面态，在70K低温下探测到近导带能级ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的极小捕获界面。在国际上第一次通过高分辨透射电镜在LPCVD-SiNx/GaN界面发现晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，证明了近导带界面态主要来源于镓悬挂键与其临近原子的强相互作用。由于晶化的Si2N2O

本发明公开了一种碱式碳酸铜载镓复合氧化物及其制备方法与应用，将含硝酸铜、硝酸镓和尿素的混合溶液进行水热反应，得到碱式碳酸铜载镓复合氧化物。本发明所提供的方法具有制备工艺简单，重复性好，方便批量合成复合氧化物催化剂的优点，且所述催化剂在电还原制备合成气过程中，具有超宽的稳定电位范围，稳定电位范围宽至‑0.6~‑1.8V，且能稳定地调节CO/H<subgt;2</subgt;比。本发明制备出碱式碳酸铜载镓复合氧化物，CO<subgt;2</subgt;电还原制备合成气，合成气效率在90%以上，该催化剂有望在电催化领域获得广泛的应用。

产品特点 　　高纯纳米氧化铝通过等离子体气相燃烧法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，晶相稳定、硬度高、尺寸稳定性好，应用于各种塑料、橡胶、陶瓷产品的补强增韧，提高陶瓷的致密性、光洁度、冷热疲劳性、断裂韧性、抗蠕变性能和高分子材料产品的耐磨性能尤为**。由于纳米三氧化二铝也是性能优异的远红外发射材料，作为远红外发射和保温材料被应用于化纤产品和高压钠灯中。此外，α相氧化铝电阻率高，具有良好的绝缘性能，可应用于YGA激光晶的主要配件和集成电路基板中。 　　产品参数 产品名称 型号 平均粒度（nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 晶型 颜色 纳米氧化铝 ZH-Al2O330N 30 99.9 63.67 0.12 α相 白色 纳米氧化铝 ZH-Al2O350N 50 99.9 55.46 0.19 α相 白色 纳米氧化铝 ZH-Al2O3100N 100 99.99 35.19 0.33 α相 白色 纳米氧化铝 ZH-Al2O3200N 200 99.99 23.18 0.56 α相 白色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理 　　产品应用 　　1、红宝石、蓝宝石的主成份皆为氧化铝，用高纯的纳米氧化铝粉做出来的产品，杂质少，色泽更亮，更均匀; 　　2、铝与空气中的氧气反应，生成一层致密的氧化铝薄膜覆盖在暴露于空气中铝表面; 　　3、铝为电和热的良导体。氧化铝的晶体形态因为硬度高，适合用作研磨材料及切割工具; 　　4、高纯纳米氧化铝粉末常用作色层分析的媒介物; 　　5、**度氧化铝陶瓷、C基板、封装材料、高纯坩埚、绕线轴、轰击靶、炉管;抛光材料、玻璃制品、金属制品、半导体材料、塑料、磁带、打磨带;涂料、橡胶、塑料耐磨增强材料、耐水材料;气相沉积材料、荧光材料、特种玻璃、复合材料和树脂材料;催化剂、催化载体、分析试剂; 　　6、高纯纳米氧化铝粉应用于照明：长余辉荧光粉原料及稀土三基色荧光粉原料，高压钠灯透光管,LED灯等。 　　产品表征 　　包装储存 　　本品为镀铝箔袋热封包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚，影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供，分装。 　　技术咨询与索样 　　联系人：王经理(Mr.Wang) 　　电话：18133608898  微信：18133608898 QQ：3355407318 邮箱：sales@hfzhnano.com  

　产品特点 　　高纯纳米四氧化三钴通过等离子体气相燃烧法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散。 　　产品参数 产品名称 型号 平均粒度（nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 形貌 颜色 纳米氧化钴 ZH-Co3O450N 50 99.9 31.43 0.36 近球形 黑色 纳米氧化钴 ZH-Co3O4100N 100 99.9 25.79 0.45 近球形 黑色 纳米氧化钴 ZH-Co3O4500N 500 99.9 11.30 0.87 近球形 黑色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理 　　产品应用 　　1、高纯纳米四氧化三钴应用于催化剂上面：利用四氧化三钴纳米棒作催化剂，可将汽车尾气中的CO在低温下转化为CO2; 　　2、可用作颜料、釉料、氧化催化剂、分析试剂，也用于从镍中分离钴等; 　　3、高纯纳米四氧化三钴具有尖晶石晶体结构，是一种重要的磁性材料、P—型半导体，在异相催化、锂离子充电电池的材料、固态传感器、电致变色器件、太阳能吸收材料和颜料等方便的应用; 　　4、适用范围：压敏电阻、热敏电阻、氧化锌避雷器、显象管玻壳、锂离子电池等行业; 　　5、用作锂电子材料，用于氧化钴及钴盐的制备，用作高纯分析试剂、氧化钴及钴盐的制备，用作锂电子材料、氧化钴及钴盐的制备，用于电池材料、磁性材料、热敏电阻等; 也可用作催化剂机制作珐琅等。 　　包装储存 　　本品为充惰气塑料袋包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚，影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供，分装。 　　技术咨询与索样 　　联系人：王经理(Mr.Wang) 　　电话：18133608898 0551-65110318 微信：18133608898 QQ：3355407318 邮箱：sales@hfzhnano.com  

一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法 发明专利/实用新型/：发明授权 简介：本发明公开了一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制 备方法，其将纯度为 99.99％以上的金属镓原料溶解于酸中，配制澄清 的镓盐溶液，加入沉淀剂产生沉淀物，将获得的沉淀经洗涤、过滤、 干燥、煅烧制成单分散超细氧化镓粉体；用合成的单分散氧化镓粉体 作为原料，经模压成型和冷等静压强化获得氧化镓生坯，将生坯放在 高温炉

产品特点 　　高纯气相二氧化钛通过等离子体气相燃烧法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，小颗粒的气相氧化钛有很好的光催化效果，能分解在空气中的有害气体和部分无机化合物，空气净化、杀菌、除臭、防霉。纳米二氧化钛有**、自洁净性。 　　产品参数 产品名称 型号 平均粒度（nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 晶型 颜色 气相二氧化钛 ZH-Ti-10NR 10 >99.9 80+-20 0.05 锐钛 白色 气相二氧化钛 ZH-Ti-20NR 20 >99.9 60+-20 0.06 锐钛 白色 气相二氧化钛 ZH-Ti-20NJ 20 >99.99 50+-20 0.06 金红石 白色 气相二氧化钛 ZH-Ti-50NJ 50 >99.99 30+-10 0.09 金红石 白色 气相二氧化钛 ZH-Ti25 20 >99.9 50+-20 0.06 混合晶型 白色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理 　　产品应用 　　1、高纯气相二氧化钛有强的光催化和优异透明性，作为一种新型材料已应用于涂料、室内空气净化等产品中; 　　2、锐钛型纳米气相二氧化钛具有好的光催化效果，广泛应用于光触媒及空气净化产品; 　　3、锐钛型纳米气相二氧化钛因比表面积大，在光催化，太阳能电池，环境净化，催化剂载体，锂电池以及气体传感器等方面广泛应用，可应用于各种**领域产品，锂电池材料。 　　4、纳米气相二氧化钛应用于塑料、橡胶和功能纤维、涂料、电池产品，它能提高产品的抗粉化能力、耐候性和产品的强度，同时保持产品的颜色光泽，延长产品的使用期; 　　5、纳米气相二氧化钛应用于油墨、涂料、纺织，能很好的提高其粘附力、抗老化、耐擦洗性能。 　　产品表征     　　包装储存 　　本品为充惰气塑料袋包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚，影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供，分装。 　　技术咨询与索样 　　联系人：王经理(Mr.Wang) 　　电话：18133608898  微信：18133608898 QQ：3355407318 邮箱：sales@hfzhnano.com

已有样品/n中科院半导体所是国内最早开展 GaN 基电子材料研发的单位，并一直在该领域起着引领、 示范和带动作用。经过尽二十年的自主创新，攻克了 2 英寸和3英寸蓝宝石、碳化硅和硅衬底上GaN 基电子材料外延生长的关键科学技术问题，在高阻 GaN 外延材料、高迁移率 GaN 外延材料、高迁移率 AlGaN/GaN 异质结结构材料等方面形成了系统的自主知识产权，设计并研制出了多种具有特色的 AlGaN/GaN 异质结构电子材料，并实现了批量供片。市场预期：该技术是采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）