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一种凝胶复合分离膜的制备方法
本发明公开了一种凝胶复合分离膜的制备方法。它包括如下步骤:1)将制膜聚合物、凝胶聚合物、致孔剂与溶剂混合,经机械搅拌充分溶解,脱泡、过滤后得到铸膜液,各组分重量百分比含量如下:制膜聚合物为10~30%;凝胶聚合物为1~5%;致孔剂为0~10%;溶剂为55~89%;2)将铸膜液经过成膜机涂布或挤出,浸入纯水浴中固化成型,得到初生聚合物膜;3)将初生聚合物膜在去离子水中充分清洗,再在空气中晾干,得到凝胶复合分离膜。本发明工艺简单,成本低,得到的凝胶复合分离膜在污水处理、水质净化、油水分离、蛋白质分离、微生物过滤、染料分离等膜分离领域具有广阔的应用前景。
浙江大学 2021-04-13
高性能凝胶隔膜的研究及产业化
本项目经过近4年的中试攻关,首次解决了第三代隔膜在电化学性能与机械强度无法调和的难题,在浙江地坤键新能源科技有限公司实现了产业化,位居国际领先。 本项目拥有4件授权发明专利,还申请了4件发明专利、1件PCT。 发明了第四代无孔隔膜(固态电解质),解决了金属锂枝晶和大电流充放电能力,可大幅度提高电动汽车的安全性能。
南京工业大学 2021-01-12
高可靠忆阻器件及其视听觉传感应用
        技术成熟度:技术突破         传统CMOS工艺的图形处理器通常是由探测、存储、处理等多个分立系统构成,不可避免的增加了集成电路的复杂性、功耗和成本,忆阻器在新型信息存储器件、存算一体化技术及人工神经网络等领域有着巨大应用潜力。         研发团队发展的感存算一体化新型光电忆阻材料与器件能够解决传统人工视听觉系统在容量、集成度、速度等方面的技术瓶颈问题,是实现高效智能视听觉传感系统的基础。研发团队首次在基于氧化钨材料忆阻突触器件的视听觉系统中模拟了速度检测的多普勒频移信息处理,进而实现高通滤波和处理具有相对时序和频移的尖峰数据。这些结果为视听觉运动感知的模拟提供了新机会,促进了其在未来神经形态传感领域的应用。         意向开展成果转化的前提条件:中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学 2025-05-16
太阳能电池增效薄膜材料
太阳能电池的光电转换效率是评判太阳能电池性能的重要参数之一,在国外实验室 最高转换效率已达 24.8%,而国内最高为 19.79%。为了改善太阳能电池的性能,必须提 高太阳能电池的转换效率。而太阳能电池转换效率损失的主要原因是由于表面上的光反 射作用,太阳光不能全部都入射到太阳电池中去,导致电子一空穴对的产生率不高。减 少反射就成为增加太阳能电池光电转换效率的重要途径。 同济大学研究了在太阳能电池光电板外制备减反射涂层来增加太阳能转化效率的方 法。减反射薄膜的镀制是相关课题组纳米多孔材料应用的主要方向之一,具有近十年的 技术积累,相关的成果已被用于国家的激光武器。基于以上基础及优势,通过涂布二氧 化硅减反射膜,可使电池总体光电转换效率明显提高。 
同济大学 2021-04-11
锑化铟(InSb)薄膜型霍尔元件
项目简介: 锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机,大量应用于电脑 的电源风扇,CPU 风扇,打印机,电动自行车等所用的微型直流无刷 马达。具有灵敏度高,使用寿命长,可靠性高,体积小,重量轻,功 耗小,频率高,耐震动,耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐 蚀的优点。 项目特色: 制备温度低,能源消耗低,环境污染极小,易于大规模生产,制 造成本低,投资小的优点。 
南开大学 2021-04-11
锑化铟(InSb)薄膜型霍尔元件
项目成果/简介:锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机,大量应用于电脑的电源风扇,CPU 风扇,打印机,电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高,使用寿命长,可靠性高,体积小,重量轻,功耗小,频率高,耐震动,耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。应用范围:目前只有日本旭化成和韩国三星可以生产薄膜型锑化铟霍尔元件芯片,国内无芯片生产技术。国内市场约 50 亿人民币,具有市场广,竞争少的优点。 南开大学开发的芯片制造技术,原材料成本便宜 30%左右,具有很强的市场竞争力和投资价值。效益分析:制备温度低,能源消耗低,环境污染极小,易于大规模生产,制造成本低,投资小的优点。
南开大学 2021-04-11
锑化铟(InSb)薄膜型霍尔元件
锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机,大量应用于电脑的电源风扇,CPU 风扇,打印机,电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高,使用寿命长,可靠性高,体积小,重量轻,功耗小,频率高,耐震动,耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。
南开大学 2021-02-01
薄膜晶体管的器件研究
通过简单封装和热退火,制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管,其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。制备方法较简单且重复性高,即用氮化硅薄膜封装,再通过热扩散将氮化硅内氢元素扩散至InGaZnO薄膜内。掺氢后的晶体管,其开态电流和开关比都获得了数量级的提升(约40倍),而且阈值电压没有太大变化。而对应提取出的场效应迁移率则出现异常,大于300 cm2/(V·s),远高于未经处理的对照样品。然后结合二次离子质谱仪(SIMS)和X射线光电子能谱分析(XPS)表征,发现薄膜内不但氢浓度提升了约一个数量级,而且氧空位缺陷态也大大减少了,而自由电子浓度则相应显著增加。研究还指出,该工作模式在长沟道晶体管中效果尤为显著,而在短沟道器件中则受到明显局限。该工作揭示了氢在氧化物半导体中的稳定存在方式和对导电性能的关键作用,为提升长沟道晶体管的电流驱动能力提供了一种新的器件工作模式,并对高迁移率薄膜晶体管的验证和分析提供了普适性的理论依据和实验方法。
中山大学 2021-04-13
一种薄膜制备装置(未授权)
西南大学 2021-04-13
氮化铝薄膜和高频滤波器
高效率制备高品质氮化铝薄膜,并研究应用于 4G、5G 通信(智能手机和基站)的高频滤波器。制备薄膜质量高于现有工艺,制备效率提高十倍以上。作为制备滤波器的关键薄膜性能指标,薄膜的取向性良好(XRD摇摆曲线半高宽2度左右), 薄膜表面起伏小于 1 纳米;薄膜制备效率比传统工艺提高 10 倍以上 
中国科学技术大学 2021-04-14
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