产品详细介绍Enlogic的EN1000 系列产品---IRMC级别测量系列涵盖了电能测量，功率和环境监测的功能。计费级精度的瓦-时电能测量为用户计费，PUE及效率计量，工程项目规划以及容量管理提供了精准的电能测量数据。持续的为IRMC每相的输入电源和断路器提供实时监测，该实时监测数据能在每个潜在电源问题发生之前提供预警，并保证用户更好的实现输入相和分路之间负荷的平衡，提高设备的可靠性与电源效率。 Enlogic的超薄机身及断路器的设计吻合了用户节约机柜空间的需求。每个Enlogic IRMC上可连接多达6个外置传感器，实现了完整远程监测和报警的解决方案。企业级的网络管理允许您轻松的通过HTTP, HTTPS, SNMP, 或Telnet实现管理功能；而与LDAP/S和AD（活动目录服务）的巧妙整合，允许您轻松的集成到现有的目录服务中。其他显著特点包括带色标识别的输出端口及断路器，标准的锁紧IEC插头，高可视角的OLED 显示屏，以及可现场热插拔的网络管理卡等提高了产品的可靠性并能减少人为错误造成的损失。输入允许输入电压：: 220-240 VAC +6%, -10%Phase Type: 1-phase每相输入电流：: 32A最大输入功率(kVA)：: 7.68输入频率(Hz)：: 50输入插头类型：: IEC309 332P6输入电源线长度：: 3.0m输出输出电压：: 220-240 VAC总输出端口数：: 42IEC C13 输出端口数：: 36Total # of IEC C19 Outlets: 4BS1363输出端口总数：: 2内置断路器的数量：: 2断路器类型: 1-pole hydraulic-magnetic每个断路器的最大输出电流(A)：: 16每个输出端口的最大电流：: (C13)10A, (C19)16A, (BS1363)13A物理尺寸长,mm：: 1826 mm深,mm：: 44 mm宽,mm：: 55 mmMax Depth at Circuit Breaker: 56mm外壳颜色:: Black环境要求：可运行温度：: -5 to 60°C可运行相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing最高可运行海拔高度：: 0-3,000 m存储温度：: -25 to 65°C存储相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing存储最高海拔高度：: 0-15,000 mCompliance ApprovalsEMC: 是安全认证：:环境认证::

产品详细介绍Shining3D-Metric摄影测量系统-三维摄影测量    先临三维自主研发的Shining3D-Metric 摄影测量系统，性能指标达到国际同类产品水平，是大范围三维测量的必备工具，可对中型或大型工件（几米甚至几十米）的快速三维测量和检测；特性 1、快速三维测量与检测-  Shining3D-Metric 摄影测量系统能快速计算出工件表面标志点的精确三维空间坐标，形成一个全局坐标系统，既可与CAD模型进行误差比对，实现大型工件快速三维检测；2、测量结果精确-  控制全局精度，搭配各种三维扫描仪使用，可进一步降低拼接的累计误差；产品规格（Shining3D-Metric摄影测量系统）产品型号 Shining3D-Metric-N     三维测量精度 ≤0.10mm/3m                       测量范围 0.1×0.1×0.1~10×10×10m3          工作环境 -20°~100°C 参考标准 VDI 2634/1 相机标定方式 自标定 匹配方式 编码点全自动匹配 数据传输方式 闪存卡或无线传输 相机规格 单反相机，28mm镜头，≥1200万像素 拼接方式 标志点全自动拼接，手动选点拼接 产品型号   Shining3D-Metric-H 三维测量精度  ≤0.10mm/4m 测量范围   0.1×0.1×0.1~50×50×50m3 工作环境 -20°~100°C 参考标准 VDI 2634/1 相机标定方式 自标定 匹配方式 编码点全自动匹配 数据传输方式 闪存卡或无线传输 相机规格 单反相机，28mm镜头，≥1200万像素 拼接方式 标志点全自动拼接，手动选点拼接 更多三维摄影测量系统，可见：http://www.shining3dscanner.cn/zh-cn/product_3dmetric.html

一、产品简介        光纤通信作为一门新兴技术，它具有容量大、中继距离长、保密性好、不受电磁干扰和节省铜材等优点。近年来发展速度快，已被广泛应用到军事通信、民用通信等各种领域，是世界新技术革命的重要标志和未来信息社会中各种信息的主要传送工具。光缆是当今信息社会各种信息网的主要传输工具，它将取代传统的线路时代，目前在人们的生活和工作中应用广泛。为此公司研制出本实验系统，让学生了解和认识光纤光缆，是学校金工实习（工程实习）与工程检测的不二之选。 二、教学目的  1、熟悉光纤光缆型号及结构，掌握其装配方法、使用环境及保护措施等； 2、了解光缆的开缆工具及开缆过程； 3、熟悉掌握光纤接续基本过程； 4、了解并掌握OTDR的操作方法及注意事项； 5、掌握在手动和自定义模式下，熔接参数对溶解性的影响； 6、了解掌握OTDR及可见光对故障点的定位方法； 7、观测光纤尾端在不同连接头情况下的OTDR曲线； 8、熟悉光缆接续盒的结构，掌握光缆接续的注意事项； 三、实验内容 1、不同种类光纤光缆及光器件的认知和操作实验； 2、剥纤、清洁、切纤及光纤接续实训操作实验； 3、熔接机原理及使用实训操作实验； 4、基于剪断法的熔接损耗测量实验； 5、利用OTDR测量光纤长度实验； 6、利用OTDR测量光纤损耗实验； 7、手动模式下，光纤熔接实训实验； 8、自定义模式下，光纤熔接实训实验；

      WMG-3型压电陶瓷干涉测量实验仪通过系统软件控制，测量压电陶瓷的压电常数及其振动的频率响应特性。 主要技术特点： 光源：氦氖激光器，波长632.8nm，功率≥1.5mW，单模TEM00，全保护安全高压插头，腔长250mm。 压电陶瓷：管状，在内外壁上分别镀有电极，以施加电压。 结构：采用全新的平台式迈克尔干涉仪设计，便于在光路中加入被测物质；开放式的空间，使等厚干涉、等倾干涉及各种条纹的变动易于调整，方便精密测量。 基座：采用铸铁基座作为实验平台，保证了实验过程的稳定性。 软件：具有数据采集、数据处理、数据保存等功能。  

具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料（硒氧化铋，Bi 2 O 2 Se），在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。由Bi 2 O 2 Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区)，并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi 2 O 2 Se光电探测器具有约1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光电流响应时间。化合物由交替堆叠的Bi 2 O 2 和Se层组成，晶体中氧的存在，使其在空气中具有极佳的稳定性，完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。

研发阶段/n主要研究支持神经网络芯片的设计自动化工具及FPGA验证系统，设计自动化工 具本身针对ASIC和FPGA都适用。 项目主要研究：（1）研究基于模型层的设计空间探索方法;（2）研究可重构 神经网络硬件单元抽象和归约方法；（3）开发面向嵌入式、功耗约束下的FPGA神 经网络芯片系统，突破神经网络芯片设计小型化遇到的关键难题。本项目提出的自 动综合工具至少支持CNN 等两类不同神经网络拓扑，支持Caffe配置文件prototex 拓扑描述语言，生成的FPGA芯片，性能比CPU快1个数量级，能效比

本发明公开了一种用于多自由度倒装键合过程的芯片控制方法，其主要控制过程包括：获取芯片的贴装位置信息；键合头拾取芯片，获取芯片 Z 旋转轴和 X/Y 直线轴的角度及位置粗调偏差值，然后在执行粗调的同时，实现 X/Y 直线轴的闭环跟随控制；获取芯片 X/Y 旋转轴的当前实际角度值，并在逐次选择 X/Y 旋转轴执行角度闭环控制的同时，实现另外两直线轴的位置闭环跟随控制；获取芯片 Z 旋转轴和X/Y 直线轴的角度及位置精调偏差值，然后在执行精调的同时，实现X/Y 直线轴的闭环跟随控制。通过本发明，可使得芯片

本发明公开了一种用于光纤与芯片间光信号传输的水平耦合器 件，包括第一采集模块，用于引导和收集一阶线偏振模式中第一模斑， 第二采集模块，用于引导和收集一阶线偏振模式中第二模斑，耦合模 块，设有第一传输通道、第二传输通道和主通道，第一传输通道接收 第一模斑，第二传输通道接收第二模斑，并通过模场的空间叠加实现 从耦合模块的主传输通道输出一阶横电模。本发明实现了将光纤中一 阶线偏振模式转化为芯片中的一阶横电模同时也保证了基模

本发明公开了一种基于纳米石墨烯电极的电控液晶光发散微透镜阵列芯片，包括驱控信号输入端口、以及石墨烯液晶散光微透镜阵列，石墨烯液晶散光微透镜阵列为 m×n 元，石墨烯液晶散光微透镜阵列采用液晶夹层结构，且下上层之间顺次设置有第一基片、图案化石墨烯电极、第一液晶定向层、液晶层、第二液晶定向层、石墨烯电极、第二基片，图案化石墨烯电极和石墨烯电极分别制作在第一基片和第二基片上，图案化石墨烯电极是由 m×n 个以微圆环隔离并以

本发明公开了一种石墨烯基双模混合集成电控液晶微透镜阵列，包括阵列化控光架构、第一驱控信号输入端口和第二驱控信号输入端口，阵列化控光架构的上下层之间顺次设置有第一基片、微圆孔形图案化石墨烯电极、第一液晶定向层、第一液晶层、第二液晶定向层、石墨烯共地电极、第二基片、第三液晶定向层、第二液晶层、第四液晶定向层、微圆环孔形图案化石墨烯电极、第三基片，微圆孔形图案化石墨烯电极、石墨烯共地电极和微圆环孔形图案化石墨烯电极分别