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新型硅基环栅纳米线MOS 器件
已有样品/n在主流硅基FinFET集成工艺基础上，通过高级刻蚀技术形成体硅绝缘硅Fin和高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀SiO2相结合，最终形成全隔离硅基环栅纳米线MOS器件的新方法。并在取代栅中绝缘硅Fin释放之后，采用氧化和氢气退火两种工艺分别将隔离的“多边形硅Fin”转化成“倒水滴形”和“圆形”两种纳米线结构。
中国科学院大学
2021-01-12
氮化镓高压电力电子器件
已有样品/n基于AlGaN/GaN异质结材料体系，通过采用导电机制融合和能带分区调控的先进技术路线改变传统氮化镓肖特基二极管正向电压与反向电流等参数之间的经典调控规律，采用无损伤工艺，提升了器件的均匀性和可靠性，进一步提升了氮化镓肖特基二极管的性能。测试结果达到1700V反向耐压，正向开启电压达到0.38V以及高防浪涌能力，为肖特基二极管器件市场提供了一种新选择。
中国科学院大学
2021-01-12
阳离子基阻变器件电流-保持特性
已有样品/n通过石墨烯缺陷工程控制活性电极离子向阻变功能层中注入的路径尺寸和数量，集中化/离散化阳离子基阻变器件中导电通路的分布来调控其稳定性,此工作是该领域首次在相同结构阻变器件中实现电流-保持特性的双向调控，这种通用的基于二维材料阻挡概念的离子迁移调控方法，也能够移植应用到离子电池，离子传感等研究领域。
中国科学院大学
2021-01-12
高速光通信用微结构光纤器件
项目简介本成果提出新型微结构光纤器件，提出基于非对称耦合理论的实现模式转换、波分 复用等功能器件。已申请发明专利 6 项，其中已授权发明专利 3 项（ZL200810021652.8、 ZL200810021651.3、ZL200910032535.6）。 性能指标 （1）模式转换效率可达 80%以上，带宽在 100 nm 以上。 （2）实现 1310、1550 nm 波长复用、解复用，消光比低于-25 dB。 适用范围、市场前景 适用范围：高速光通信关键器件，组成高速、大容量光 通信
江苏大学
2021-04-14
极深紫外光源与纳米器件制造
徐永兵课题组于2014年启动了国家重大仪器研究计划（飞秒级时间分辨并自旋分辨电子能谱探测系统，项目编号61427812）。此项目就是旨在建立国内第一套极深紫外的光源系统。目前已经成功地在实验室中，实现了波长为120~24 nm左右的脉冲光源，脉冲重复频率为1kHz，单个脉冲为30fs。单个光子能量最大到50 eV左右，亮度为1 ´ 1011光子/s。从光
南京大学
2021-04-14
低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法
本发明公开了一种低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法，在传统的 VDMOS 器件结构中引入一块与 源区掺杂杂质相同的掺杂区。该掺杂区位于栅氧层正下方且与基区和栅氧层紧密接触。相应地，新掺杂 区上方的栅极采用中空结构。本发明 VDMOS 器件可有效降低沟道导通电阻和颈区电阻，从而降低 VDMOS 器件的导通电阻；同时，采用中空结构的栅极既可避免新掺杂区对击穿电压的影响，也可降低 栅极与漏极间结电容，提高 VDMOS 的开关速度。本发明方法工艺简
武汉大学
2021-04-14
高效有机磷光发光材料及OLED器件
高效有机磷光发光材料及OLED器件，2012年12月获四川省科技进步三等奖，技术指标达到国际先进水平；申请发明专利12项（5项授权）。项目中所制备的铱配合物磷光电致发光材料在四川虹视显示技术有限公司的3款OLED器件（1.1英寸、分辨率为96×64；1.8英寸、分辨率为128×64；2.2英寸、分辨率为160×128）样品中使用，该项目研究成果，填补了我国在新型平板显示器件---高效有机磷光电致发光材料及OLED器件方面的材料制备和器件化工艺的空白。
电子科技大学
2021-04-14
有机半导体光电导器件研发及应用
① 酞菁纳米材料制备。使用四苯氧基金属酞菁，采用混合溶剂缓慢挥发的方法，得到一维的酞菁纳米线；
② 器件组装。使用梳状电极，将酞菁纳米线搭在梳状电极两端，形成电路。得到的酞菁器件对 808 nm光敏感，可以迅速产生响应，恢复时间短，课重复响应。
安徽理工大学
2021-04-13
液晶屏微米级金球缺陷检测设备
1、主要功能和应用领域： 本设备可满足液晶屏/触摸屏制造行业对导电金球在COG绑定后的在线质量全检需求，即对导电金球的深浅、个数和偏位进行准确高效的自动检测，以满足液晶行业日益上升的金球质检标准和产能要求。金球内核为聚合物材料，外壳为金或镍，直径3~5微米。ACF热压后金球有的被压扁，有的被压开口，并充当LCD和驱动芯片之间的导电通道，如金球压合不好会造成导电不良，使得液晶屏发生批量缺线等故障。 2、特色及先进性： 1）金球深浅判断。导电金球的压合轻重程度没有量化指标，主要依靠人眼目视的感受，需要从图像上提取物理特征参数，以反映金球被压迫从过轻到合适再到过重变化，对应无变形-变形良好-变形过多(压碎)的过程。 2）偏位测量情况多样。当BUMP比金手指尺寸大的时候，完全对准的情况下看不到金手指，和刚好错开一个金手指的情况一样。需保证调机良好情况下的3微米精度，对于偏位较大的情况则需要采用额外的算法来判断。 3）检查标准设置繁多。设计并实现了一个智能分组的工具，在采集了所有视场的图像后，将建标的时候识别出来的BUMP(多为白色)尺寸分组，尺寸相近的在一组，则通过点击智能分组工具，然后就把尺寸、面积和比例相似的分在一起，简化操作。 4）屏幕放置精度和尺寸精度高。系统的检测流程需要根据被测屏幕的放置位置精度和尺寸精度来确定，若屏幕在自动对边后相同特征不同片子产生的位置差异远大于线宽线距，则需要添加自动寻找定位点，然后将其作为位置起点再进行自动检测。 8、 技术指标：金球直径：3微米；分辨率：0.7微米；放大倍数：10；图片大小：4000*100000，4亿像素；采集时间：2秒 ；计算时间：0.8秒 ；ITO引脚：200~500个；单个引脚金球个数：10~50个；整机检测效率：一代机5 s，二代机3.5 s 4、关键问题和实施效果 目前传统液晶屏和触摸屏生产线上，对于ACF热压后的金球压合质量均采用人工抽检的方式，借助显微镜进行人工检测，8-10片抽检一片。该设备可以实现产品的全检，一台设备相当于8-10个人，对于提高产能提升产品质量具有非常重大的意义。该设备采用线阵相机配合精密运动平台实现0.7微米分辨率的图像采集，其光学采集部分如下图所示。
电子科技大学
2021-04-10
液晶屏微米级金球缺陷检测设备
本设备可满足液晶屏/触摸屏制造行业对导电金球在COG绑定后的在线质量全检需求，即对导电金球的深浅、个数和偏位进行准确高效的自动检测，以满足液晶行业日益上升的金球质检标准和产能要求。金球内核为聚合物材料，外壳为金或镍，直径3~5微米。ACF热压后金球有的被压扁，有的被压开口，并充当LCD和驱动芯片之间的导电通道，如金球压合不好会造成导电不良，使得液晶屏发生批量缺线等故障。
电子科技大学
2021-04-10