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混凝土5G测温仪
执行标准:GB/T51028-2015 本品采用云端数据收集及本地数据记录的双向存储技术,为距离较远的工程及野外测温工作提供便捷的测量手段,产品每单元8个通道,每通道可分别进行温度校准,测温数据上传云端,可以为匹配养护设备实时传输现场温度数据。
北京耐尔得智能科技有限公司 2023-03-17
混凝土流变仪NELD-CRH610
NELD-CRH610型流变仪是一种全新多功能和轻便的混凝土流变仪,用于检测骨料32mm以下的混凝土流变性。NELD-CRH610型混凝土流变仪是耐尔得根据混凝土试验室及现场测量的经验设计开发,可用于研究单位的配合比设计及现场流变性监控使用。 软件自动控制采集数据,自动计算Bingham流变参数—屈服应力和塑性粘度,绘制曲线,储存试验结果及导出试验数据。
北京耐尔得智能科技有限公司 2023-03-14
混凝土慢速冻融试验机
执行标准:GB/T 50082-2009,DL/T 5150-2001 NELD-FA810型混凝土慢速冻融试验机,是北京耐尔得公司研发的,产品经过科研高校等用户长期使用,确认产品具有很高的可靠性,为混凝土长期性能和耐久性能试验提供重要的质量保证,能满足相关行业的研究院所、大专院校、设计、施工、质检等部门混凝土慢冻测试的需要。
北京耐尔得智能科技有限公司 2023-03-17
混凝土快速冻融试验机
执行标准:GB/T 50082-2009,JTG 3420—2020 本方法适用于测定混凝土试件在水冻水融条件下,以经受的快速冻融循环次数来表示的混凝土抗冻性能。北京耐尔得公司研发的NELD-FC810型混凝土快速冻融试验机,经过用户长期使用,确认产品具有很高的可靠性,为混凝土长期性能和耐久性能试验提供重要的质量保证,能满足相关行业的研究院所、大专院校、设计、施工、质检等部门混凝土快速抗冻测试的需要。
北京耐尔得智能科技有限公司 2023-03-17
混凝土单面盐冻试验机
执行标准:GB/T 50082-2009,JTG 3420-2020 本方法适用于测定混凝土试件在大气环境中且与盐接触条件下,以能够经受冻融循环次数或者表面剥落质量或超声波相对动弹性模量来表示的混凝土抗冻性能。NELD-FS810型混凝土单面盐冻试验机,是北京耐尔得公司研发的,产品经过科研高校等用户长期使用,确认产品具有很高的可靠性,为混凝土长期性能和耐久性能试验提供重要的质量保证,能满足相关行业的研究院所、大专院校、设计、施工、质检等部门混凝土快速盐冻测试的需要。
北京耐尔得智能科技有限公司 2023-03-17
混凝土绝热温升试验箱
执行标准:SL 352-2006,JG/T329-2011 北京耐尔得公司自主研发的NELD-TV810型混凝土绝热温升试验箱,是用于测定混凝土绝热温升、比热试验的专用设备,可精细的在线呈现温度变化数据及曲线,有利于温度变化的监测。同时客户还可以选择导温、导热和混凝土线膨胀系数三合一设备,进行混凝土的热物理全参数的试验。
北京耐尔得智能科技有限公司 2023-03-17
用于孔压分布测量的沉降柱试验仪
本实用新型涉及地基处理研究领域,旨在提供一种用于孔压分布测量的沉降柱试验仪及试验方法。在用于盛装土样的中空圆柱形试验箱中,竖向设有固定在钢架上的排水板,中空的排水板上间隔设置多个真空度探头,在试验箱的底板上和侧壁上均匀分布多个孔压传感器;各真空度探头和孔压传感器均通过信号线连接至数据采集装置,数据采集装置与上位机相连;排水板的上端通过密闭接头与排水管相接,排水管的另一端接至真空泵,排水管上设真空表。本实用新型能监测不同深度和不同径向位置的孔压变化情况。结构简单、易于上手,模型材料及填土可重复利用,不会造成浪费和污染,并且可以自动记录数据,减少试验所需人手,同时减少人为读数时产生的误差。
浙江大学 2021-04-13
一种HPLC色谱柱填料的改性方法
本发明提供一种新型HPLC色谱柱填料的改性方法,该改性方法的特点是利用感光高分子重氮树脂作为表面改性剂,通过光交联反应,使重氮树脂与二氧化硅微球表面硅羟基之间的氢键作用转化为共价键作用,从而在微球表面引入疏水基团。本方法所用工艺流程简单,原料易得,生产成本低,重复性好;将改性后的二氧化硅微球作为色谱柱填料使用,可以在不同流动相下对多种苯类似物实现基线分离,并能有效分离碳60与碳70。色谱柱填料、产品附加值高。
青岛大学 2021-04-13
一种农田用组合导水暗柱
混凝土芯的组合导水暗柱,涉及到农田下部深埋排水装置,包括碎石透水混凝土筒及筒内陶粒透水混凝土芯材,导水暗柱两端为通过中轴线的 L 形搭接面,用于导水暗柱之间搭接,导水暗柱两端搭接面朝向相反。
扬州大学 2021-04-14
一种 MTJ 纳米柱阵列的制备方法
本发明公开了一种 MTJ 纳米柱阵列的制备方法,包括 S1 在基 底上表面制备电子束光刻对准所需要的定标符;S2 根据定标符在基底 上表面制备底电极层,底电极层包括多条平行的底电极线;S3 在附着 有底电极层的基底上表面涂覆一层 HSQ,通过电子束曝光对 HSQ 层 进行图形化,在每一条底电极线上形成多个绝缘单元;每一个绝缘单 元的中间具有一个孔;S4 依次通过光刻、溅射和剥离工艺在绝缘单元 的孔内形成磁性多层膜层;
华中科技大学 2021-04-14
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