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高强耐蚀易切削无铅环保黄铜材料
该技术以 Si、Al 替代 Pb，研制出新型无铅环保硅黄铜合金，优选出合适的低压铸造工艺参数，并开展产品设计，成功制备了新一代环保黄铜水龙头，实现了黄铜制品的“无铅化”，解决了现有的黄铜材料制备工艺复杂、降铅与切削性能难以兼顾等技术难题。本团队制备的环保黄铜水龙头完全“零铅”，析 Pb 量远小于 5μg/L 的相关标准限值，与常用的 HPb59-1 水龙头相比，其拉伸 强度提高 48.8%、延伸率提高 66.7%、综合切削性能提高 7.5%、 耐蚀性能提高 63.6%、良品率高达 85%、制造成本降低 25%以上，整体技术指标达国际先进水平，完全可取代进口产品。
华南理工大学
2023-05-09
吸附、离子交换联用除蜂胶中的铅
研究背景 ：蜂胶是一种具有芳香气味的胶状固体物，它具有显著而独 特的生物学活性，广泛应用于医药、食品、化工等领域。对人类许多疾病 有较好的预防和辅助治疗作用。由于蜂胶中含有较高的铅含量，长期服用 未除铅蜂胶势必造成慢性铅中毒，因此蜂胶生产加工中除铅是个关键点。 技术原理 ：本项目是将麦饭石、佛石、离子交换树脂等预处理后分别 装入离子交换柱中，形成串联连接，把经食用酒精浸提后的蜂胶用硅藻土 等加速沉降、离心过滤后成为蜂
南昌大学
2021-04-14
一种荆芥内酯邻溴苯甲酸酯及其制备工艺和用途
【发 明 人】 丁安伟 ; 单鸣秋 ; 张丽 ; 李念光 ; 曹雨诞 ; 包贝华【技术领域】本发明涉及一种荆芥内酯邻溴苯甲酸酯及其制备工艺和用途，属于药物制剂技术领域。【摘要】本发明公开了一种荆芥内酯邻溴苯甲酸酯及其制备工艺和用途，荆芥内酯邻溴苯甲酸酯，其特征是分子式为C17H17BrO4，熔点为184-186℃，其比旋度为本发明还公开了它的提取方法，以及在制备抗疱疹病毒药物中的应用。
南京中医药大学
2021-04-13
一种荆芥内酯对溴苯甲酸酯及其制备工艺和用途
【发 明 人】张丽;陈佩东;丁安伟;曹雨诞;单鸣秋;姚卫峰【技术领域】本发明涉及一种荆芥内酯对溴苯甲酸酯及其制备工艺和用途，属于药物制剂技术领域。【摘要】本发明公开了一种荆芥内酯对溴苯甲酸酯及其制备工艺和用途，分子式为C17H17BrO4，熔点为179-181℃，其比旋度为本发明还公开了它的提取方法，以及在制备抗流感病毒药物中的应用。
南京中医药大学
2021-04-13
高性能压电单晶及新型电声／电光产业链
本世纪初，高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破，它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来，本课题组在国防军工，国家自然科学基金，科技部及省科技厅的大力资助下，深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究，单晶材料现可以小批量生产和供应，开始试用，相关器件正在研制中，技术水平处于国际先进水平，部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖，技术成熟度已达到5-6级。
西安交通大学
2021-04-11
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14
一种铅液流电池及其电解槽
本发明公开了一种铅液流电池及其电解槽。该铅液流电池包括电解槽、循环装置、正极板、负极板以及储液罐；所述电解槽包括正极插槽、负极插槽以及电解液腔，所述正极插槽以及负极插槽平行设置，且在垂直方向通过电解液腔连通；所述正极板以及所述负极板分别通过所述正极插槽以及负极插槽与所述电解槽固定；所述电解槽的侧面设置有进水口和出水口，所述进水口和出水口在水平方向与电解液腔连通；所述电解液腔以及所述储液罐中装有电解液，所述循环装置连接所述储液罐以及所述电解槽的进水口，同时连接所述电解槽的出水口以及所述储液罐。该铅液流
华中科技大学
2021-04-14
批量生产的 InP、GaSb、InAs 开盒即用单晶片
可以量产/nInP、GaSb 单晶片主要作为衬底材料外延生长各种微波器件用微结构外延材料 （如 HEMT、HBT）、大功率激光器等的多量子阱材料，中长波红外探测器材料等， 其主要应用领域包括移动通信、卫星通信、导航、光纤通信、高效太阳能电池、夜 视、大气监测、国防技术等。主要技术：2-4 英寸化合物半导体磷化铟(InP)、锑化 镓（GaSb）和砷化铟（InAs）单晶生长和晶片加工技术。
中国科学院大学
2021-01-12