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解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。
北京大学
2021-04-11
纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
研发阶段/n内容简介：纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺，构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点，广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利，专利号：200510018701.9。
湖北工业大学
2021-01-12
半导体设备超洁净流控系统及其受制约流控零部件
浙江大学聚焦超洁净流控系统基础研究、技术攻关和产品研发，攻克了影响光刻分辨率、良品率与产率的1mk级温度测控、5ppt级金属离子测控、20μm级气泡测控、50nm级残留液膜测控等关键核心技术
一、项目分类
关键核心技术突破
二、技术分析
如何通过超洁净流控技术降低流控污染，减少曝光缺陷，提升曝光良率，是国产高端半导体制造装备研制面临的重大挑战，直接关乎整机产品的产线应用性能与市场竞争力。此外，作为各类半导体制造装备的共性核心零部件，超洁净流控部件市场被美国、日本等国垄断，使我国半导体制造装备产业面临核心零部件“卡脖子”风险。浙江大学流体动力与机电系统国家重点实验室启尔团队所承担的高端半导体制造装备核心分系统之一的超洁净流控系统，自2004年以来在国家863计划和国家02专项支持，聚焦超洁净流控系统基础研究、技术攻关和产品研发，攻克了影响光刻分辨率、良品率与产率的1mk级温度测控、5ppt级金属离子测控、20μm级气泡测控、50nm级残留液膜测控等关键核心技术，完成了超洁净流控系统九大组件的研制和集成测试，为半导体制造设备扫描速度与产能的提高提供基础理论与方法依据，同时自主研发的半导体机台核心超洁净流控零部件实现了产品化，突破了国外技术的封锁，为我国半导体制造的发展与自主创新提供了基础支撑。
浙江大学
2022-07-22
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
探针台 高低温真空磁场型探针台 高精度半导体测试实验台
产品概述：
锦正茂高低温真空磁场探针台是具备提供高低温、真空以及磁场环境的高精度实验台，它的诸多设计都是专用的。因此，高低温磁场探针台的配置主要是根据用户的需求进行选配及设计。例如，要求的磁场值，均匀区大小、均匀度大小、样品台的尺寸等，均于磁力线在一定区域内产生的磁通密度相关联；位移台还可与磁流体密封搭配，实现水平方向二维移动和样品台360度转动；除此之外，该探针台和我司自主研发的高精度双极性恒流电源搭配使用户，可以磁场的高稳定性。因此，该类型的探针台主要依据客户的使用情况进行设计优化。
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锦正茂高低温真空磁场探针台探针台配备4个（可选6个或8个）拥有高精度位移的探针臂，同时配有高精度电子显微镜，便于微小样品的观察操作。探针可通过直流或者低频交流信号，用来测试芯片、晶圆片、封装器件等，广泛应用于半导体工业、MEMS 、超导、电子学、铁电子学、物理学、材料学和生物医学等领域。
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应用范围：
磁特性测试、微波特性测试、直流、RF特性测试，微电子机械系统，超导电性测试，纳米电路的光电属性，量子点和线，高低温真空环境下的芯片测试，材料测试，霍尔测试，电磁输运特性等。
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可选附件：
þ 各类DC探针、高频探针、主动式探针、电缆线
þ CCD或C-MOS视频成像装置
þ Chuck运动装置
þ 电磁铁系统/超导磁铁系统
þ 1Mpa正压系统升级
þ 超高温升级选件
þ 超高真空升级选件
þ 各类探针夹具
þ 屏蔽箱
þ 防振桌
þ 转接头
þ 静音真空泵
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北京锦正茂科技有限公司
2022-01-22
SnSe热电材料
研究发现具有层状结构的SnSe的二维界面对声子具有强烈的散射作用 (图1左)，使得SnSe沿着层间方向具有很低的热导率，在773K温度下可达最小理论值 ~ 0.18 W/mK。寻找低热导率材料和降低热导率是热电领域长期以来提高热电优值ZT的有效途径。在聚焦SnSe层间低热导率的基础上，如能在此方向上实现高的电传输性能，则可实现高的热电性能。通过简化由 Wiedemann-Franz和Pisarenko关系决定的载流子浓度对ZT值的束缚后，ZT值关系可简化为: ，可见提高层间电传输性能需同时优化载流子迁移率 (m) 和有效质量 (m)。 由于SnSe材料在800K温度点存在一个从Pnma到Cmcm的相变，经过同步辐射和变温TEM实验测试发现该相变从600K便开始持续发生。利用该持续相变特性，通过调整电子掺杂浓度可将轻导带和重导带之间经历一个简并收敛 (增加有效质量和减小迁移率) 和退简并收敛 (减小有效质量和增加迁移率) 的过程。利用这一过程，恰好优化了迁移率和有效质量的乘积 (mm) (图1中)，使得SnSe在整个温度范围内都保持较高的电传输性能。通过对比电子和空穴掺杂的n型和p型SnSe材料发现，通过电子掺杂后Sn和Se的p轨道在导带底会产生电子离域交叠杂化（而在价带顶则不存在这一现象），使得n型SnSe的电荷密度增大到足以填满层间空隙，实现了层间电子的隧穿 本征的SnSe的层状结构就像一堵墙，可以同时阻碍声子和载流子 (电子和空穴) 的传输。但通过重电子掺杂后，导带底的电子离域杂化现象增大了电荷密度，在墙内和墙之间只为电子量身定制了一条传输的隧道，如图2所示。在大电荷密度的基础上，加之连续相变引起的能带结构变化和晶体对称性的提高三个主要因素使得SnSe在层间方向表现出优异的电传输性能，当温度高于700K时，在SnSe的层间方向产生了比层内更优异的“三维电荷”传输效应。这种 “二维声子/三维电荷” 传输特点大幅提高了n型SnSe的热电性能。
南方科技大学
2021-04-13
GeTe热电材料
通过制备合适比例的Bi2Te3与GeTe的合金，人为地向体系中引入了大量的Ge空位缺陷，且如图所示，运用球差矫正电子显微镜的观测技术可以清楚地观测到这些Ge空位的前驱体空位“簇”。通过合适的热处理优化过程，研究人员还追踪到此类前驱体逐步演化成van der Waals gap空位面缺陷的过程。这些面缺陷会在材料内部诱导产生大量呈负电性的新的180度铁电畴结构，平衡材料内由载流子浓度过高导致的过剩的正电性，最终达到优化材料性能的目的。最终，该项工作使得GeTe基热电材料的总体性能大幅提升，在温度达到773K时，该体系热电材料优值ZT达到了2.4，相比于优化前，提升了60%；在323~773K较宽的工作温度区间内，材料的平均ZT高达1.28，相比于优化前整整提升了一倍，达到了中温区热电材料在商业应用中对性能的需求，使其成为中温区优良的候选材料。
南方科技大学
2021-04-13
PbTe热电材料
目前p和n型PbTe材料都拥有了非常高的热电优值。然而，PbTe材料的机械性能差，远低于其他主流的热电材料。比如，PbTe材料的洛氏硬度和抗冲击韧性分别只有39 kgmm-2和0.35 MPam1/2，远低于Bi2Te3的。这一矛盾非常不利于PbTe材料的实际应用。何佳清团队之前在n型PbTe材料中加入单质Sb，得到PbTe-3%Sb复合材料，显著提高了热电性能 (Energy and Environmental Science, 2017,10,2030)。本文在之前工作的基础上，进一步采用了固溶PbS的方法，将n型PbTe-3%Sb材料的硬度提高了60%，而其热电优值仅仅降低了6%。这一结果使PbTe材料摆脱了当前的窘境。研究发现固溶PbS（<12.5%）虽然对弹性性质如弹性模量等参数影响很小，却可以引入大量的点缺陷和位错网。因此硬度的增强主要是由于缺陷对位错运动的阻碍，而非化学键的强化作用。之前的观点认为是固溶PbS之后，PbTe材料内部的成分波动（团簇）造成了硬度显著增强。该团队的发现从一个新的视角解释了PbTe-PbS合金体系硬度的强化。
南方科技大学
2021-04-13
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10