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重庆市瑞利电子仪器设备有限公司
重庆市瑞利电子仪器设备有限公司
2022-11-01
广州市爱递思电子科技有限公司
广州市爱递思电子科技有限公司
2022-11-01
Aigtek 西安安泰电子 高压放大器ATA-2000系列
西安安泰电子科技有限公司
2022-05-27
一种超高频RFID电子标签的读取方法及装置一种超高频RFID电子标签的读取方法及装置
本发明提供一种超高频RFID电子标签的读取方法及装置，包括：根据输出功率大于最大输出功率，获知根据频率增量增加工作频率，获得当前工作频率；在当前工作频率下，根据功率增量逐步从最小输出功率增加输出功率直至大于最大输出功率，每次增加输出功率前，读取与当前工作频率一致的目标标签。本发明通过动态调整工作频率与输出功率，遍历读取处于不同工作频率、位于不同距离的所有超高频RFID电子标签，大大提升了超高频RFID读写装置的应用范围。
中国农业大学
2021-04-11
信号与系统教学实验系统
集成一体化先进结构方案，将开放式的电路和实验平台、高品质数字信号源、新一代测量与分析仪器集成在一个实验箱中，不需要配电脑或其他仪器，只需一个实验箱就能全面支持“信号与系统”实验的教学内容。
西安唐都科教仪器开发有限责任公司
2021-02-01
一种用于电子信息技术的便携式示波器
成果描述：本实用新型公开了用于电子信息技术的便携式示波器,包括箱体,箱体的底端安装有多个万向轮,所述箱体的一侧侧壁上固定有拉杆,箱体的顶端设有开口,箱体的开口处通过合页铰接有顶板,且合页位于箱体远离拉杆的一侧侧壁上,箱体靠近合页的一侧外壁上固定有支撑块,支撑块的竖截面为三角形,箱体的内壁上焊接有固定块,固定块上转动连接有套筒,套筒的外部固定安装有第二锥形齿轮,箱体的外部设有转盘,转盘焊接有水平设置的连接杆,连接杆的一端延伸至箱体的内部连接有第一锥形齿轮。本实用新型能够方便示波器的移动,能够带动示波器本体上下运动,对示波器进行保护,减少示波器在运输过程中所产生的震动。市场前景分析：本实用新型能够方便示波器的移动,能够带动示波器本体上下运动,对示波器进行保护,减少示波器在运输过程中所产生的震动。与同类成果相比的优势分析：国内领先
成都大学
2021-04-10
一种基于电子信息技术的自动测试设备
成果描述：本实用新型公开了基于电子信息技术的自动测试设备,包括第一壳体,所述第一壳体的顶部安装有第二壳体,且第一壳体和第二壳体为长方体结构,第一壳体和第二壳体的侧边之间安装有密封件,且密封件环绕在第一壳体和第二壳体之间,所述密封件的横截面呈E形,且密封件插接在第一壳体和第二壳体的侧边上,所述第二壳体的顶部安装有温度计,且温度计的探针插入第二壳体的内部,第二壳体的顶部嵌装有显示屏和键盘,第一壳体的底部插接有散热翅片,且散热翅片插入第一壳体的内部,所述散热翅片的侧边设有通孔,且通孔位于第一壳体的外部。本实用新型散热效果好,同时避免了由灰尘和湿气带来的干扰,测试更加准确,提高了元器件的寿命。市场前景分析：本实用新型散热效果好,同时避免了由灰尘和湿气带来的干扰,测试更加准确,提高了元器件的寿命。与同类成果相比的优势分析：国内领先
成都大学
2021-04-10
西安智多晶微电子有限公司研发高端FPGA设计制造技术
西安智多晶微电子有限公司，成立于2012年，总部位于西安，北京设立有EDA软件研究中心。创始团队拥有三十多年丰富的FPGA设计制造经验，曾就职于海外该领域领先企业，并担任多个专业方向技术带头人。核心团队来自于国内各知名院校和优秀的FPGA研发团队，是国内目前集硬软件设计、生产、销售最具竞争力的高科技企业。公司专注可编程逻辑电路器件技术的研发，并为系统制造商提供高集成度、高性价比的可编程逻辑器件、可编程逻辑器件IP核、相关软件设计工具以及系统解决方案。赋能产业，“芯”系未来，是智多晶的奋斗愿景，团队致力于在LED驱动、视频监控、图像处理、工业控制、4G/5G通信网络、数据中心等各行业应用充分发挥FPGA的方案优势，以市场和客户为导向，帮助合作伙伴提升其核心竞争力。公司目前已实现55nm、40nm工艺中密度FPGA的量产，并针对性推出了内嵌Flash、SDRAM等集成化方案产品，截至2018年已批量发货2KK片。通过严谨科学的设计，360度围绕客户的技术支持及服务，以及贯穿全流程的高标准测试管理，我们正在为更多的行业合作伙伴提供最符合需求的高性价比FPGA整体解决方案。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接！
清华大学
2021-04-10
第58•59届中国高等教育博览会电子参观指南
第58•59届中国高等教育博览会电子参观指南
中国高等教育博览会
2023-03-03
构建NiTe纳米阵列的界面电子结构调控助力电催化氧析出
通过构建有效的纳米界面来调控催化剂的电子结构，设计制备出高效廉价的氧析出反应异质结电催化剂，并结合实验结果和理论计算对界面调控催化性质的机制进行了研究。他们首先以泡沫镍为基底，通过直接化学刻蚀的方法制备出泡沫镍负载的“十字柱”型的NiTe纳米阵列。进一步通过离子交换反应在NiTe表面修饰NiS纳米颗粒来调控NiTe的电子结构, 制备出NiTe/NiS 异质结催化剂。NiTe/NiS异质结催化剂中NiS和NiTe之间强的电子相互作用能够触发电子从“Ni”向“S”转移，从而有效调控催化中心“Ni”的电子结构，使得Ni的“d带中心”左移，从而优化Ni对活性中间体的吸附，降低了OER反应所需的能量，大大提高催化活性，仅需要257mV 的过电位就可实现100mA cm-2的电流密度。这项工作为理解电催化剂的结构-活性关系和开发高效的电催化剂提供了新的思路。
中山大学
2021-04-13