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芯片封装用抗静电复合材料
ABS 塑料是丙烯腈(A)、丁二烯(B)、苯乙烯(S)三种单体的三元共聚物,三种单体相对含量可任意变化,制成各种树脂。ABS 塑料是一种原料易得、综合性能良好、价格便宜、用途广泛的“坚韧、质硬、刚性”材料。在机械、电气、纺织、汽车、飞机、轮船等制造工业及化工中获得了广泛的应用。但是普通ABS塑料容易产生静电,严重限制了ABS塑料在精密材料、计算机材料等领域的应用。研究团队面向半导体工业芯片封装中抗静电需求,制备具有优良导电性能和机械强度的ABS/石墨烯复合抗静电材
厦门大学 2021-01-12
一种柔性电子制备、转移与封装系统及方法
本发明公开了一种柔性电子制备、转移与封装系统及方法,该 系统包括基板转移模块、柔性电子制备模块、激光剥离模块以及封装 与装卸模块,基板转移模块用于拾取基板并放置到柔性电子制备模块 上,然后将制备好的柔性电子连同基板一起转移到激光剥离模块,最 后从激光剥离模块上取回被剥离的基板;柔性电子制备模块用于在基 板上完成柔性电子的制备;激光剥离模块用于将制备好的柔性电子与基板分离;封装装卸模块用于将需封装的产品放在封装模块上,并将 从基板上剥离的柔性电子封装在产品上,最后将封装好的产品取下。 所述方法利用所述
华中科技大学 2021-04-14
一种 LED 封装玻璃及其封装结构
本实用新型公开了一种 LED 封装玻璃及其封装结构。封装玻璃由玻璃基片及分别附着于玻璃基片上、下表面的凸点结构层构成,凸点结构层由分布在低温玻璃层表面的凸起构成。封装结构为:LED 芯片贴装在支架的凹槽内,LED 芯片电极与支架底部焊盘间通过引线键合实现电互连,LED 封装玻璃覆盖在 LED 芯片上方。将该封装玻璃应用于 LED 封装,封装玻璃与 LED 芯片间既可填充硅胶(用于白光 LED封装),也可不填充硅胶(实现紫外 LED 封装)。由于封装玻璃上表面的凸点结构减小了玻璃与空气界面的全反射,下
华中科技大学 2021-04-14
基于光热成像的微电子封装工艺质量检测装置及方法
本发明公开了一种基于光热成像的微电子封装工艺质量检测装置,包括图像获取装置、工作台、控制装置及数据处理装置;其中图像获取装置包括支架横梁、平动电机、成像探头、光发射器;平动电机固定于横梁的下侧面,成像探头垂直固定于平动电机中的移动块;光发射器通过可调连接件连接至所述移动块,通过调节可调连接件使其发射的光经试样反射后进入成像探头;数据处理装置用于对所述图像获取装置获取的光图像和热图像数据进行处理后获得相关系数和均方差统计系数,并将所述相关系数和均方差统计系数与预设的阈值进行比较,根据比较结果获得工艺质
华中科技大学 2021-04-14
柔性电子新器件新材料
微电子器件的发展方向和趋势使人与信息的交互融合并推动微电子器件柔性化。柔性电子技术是将有机材料/无机薄膜电子器件附着于柔性基底上的新兴电子技术,实现可变形、便携、轻质、可大面积应用等特性,并通过大量应用新材料和新工艺产生出大量新应用。它颠覆性改变传统器件刚性的物理形态,实现信息与人/物体/环境的高效共融。
浙江大学 2021-04-10
一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法
本发明公开了一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法,包 括:制得下层和上层封装结构,这两个封装结构保持对称并在其中央 部位各自具有凹陷延展的区域;制作延性互连结构,该延性互联结构 的整体呈波形分布的曲线结构;将上下层封装结构对应贴合,同时将 延性互连结构封装在中空微腔体中;最后,将绝缘性流体注射至微腔 体内,使其完全填充微腔体并包裹所述延性互连结构,由此完成整体 的流体封装操作。通过本发明,能够显著提高互连结构的拉伸延展性 能,避免面外翘曲现象,并在便于质量操控的同时有效提高互连结构 的稳定性。 
华中科技大学 2021-04-11
一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法
本发明公开了一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法,包括:制得下层和上层封装结构,这两个封装结构保持对称并在其中央部位各自具有凹陷延展的区域;制作延性互连结构,该延性互联结构的整体呈波形分布的曲线结构;将上下层封装结构对应贴合,同时将延性互连结构封装在中空微腔体中;最后,将绝缘性流体注射至微腔体内,使其完全填充微腔体并包裹所述延性互连结构,由此完成整体的流体封装操作。通过本发明,能够显著提高互连结构的拉伸延展性能,避免面外翘曲现象,并在便于质量操控的同时有效提高互连结构的稳定性。
华中科技大学 2021-04-14
功率芯片封装器件
博志金钻技术团队在磁控溅射领域深耕二十余年,目前已经实现氧化铝、氮化铝、氮化硅、单晶金刚石、单晶碳化硅覆铜板的量产,三英寸陶瓷覆铜板月产能10万片,包括各类种子层方案,铜层厚度0.5-100um,表面无毛刺、划痕、色差等异样,350度加热平台烘烤5分钟不起泡。 一、项目进展 已注册公司运营 二、企业信息 企业名称 苏州博志金钻科技有限责任公司 企业法人 潘远志 注册时间 2022/3/31 注册所在省市 江苏省 苏州市 组织机构代码 91610131MA712U7Q06 经营范围 一般项目:技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;金属表面处理及热处理加工;新材料技术研发;新材料技术推广服务;电子元器件制造;集成电路制造;信息安全设备制造;通信设备制造;光通信设备制造;雷达及配套设备制造;光电子器件制造;真空镀膜加工;表面功能材料销售;金属基复合材料和陶瓷基复合材料销售;合成材料销售;有色金属合金销售;半导体器件专用设备制造;新型陶瓷材料销售;电子元器件零售;电子元器件批发;泵及真空设备制造;泵及真空设备销售;通用设备制造(不含特种设备制造);玻璃、陶瓷和搪瓷制品生产专用设备制造;电子专用材料研发;电子专用材料制造;特种陶瓷制品销售;半导体器件专用设备销售;集成电路设计;机械设备租赁;租赁服务(不含许可类租赁服务)(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动) 企业地址 江苏省 苏州高新区长亭路8号大新科技园3幢二楼 获投资情况 2021/07/01苏州汇伯壹号创业投资合伙企业(有限合伙)天使轮1000万元 2022/03/22苏州融享进取创业投资合伙企业(有限合伙)preA轮2500万元 三、负责人及成员 姓名 学院/所学专业 入学/毕业时间 潘远志 邓敏航 杨添皓 电子与信息学部/自动化 2020/2024 陶佳怡 管理学院/大数据管理 2020/2024 林子涵 电气工程学院/电气工程及其自动化 2020/2024 袁子涵 电气工程学院/电气工程及其自动化 2020/2024 牟国瑜 电气工程学院/电气工程及其自动化 2020/2024 杨志鹏 能源与动力工程学院/强基(核工程与核技术) 2020/2024 田继森 航天航空学院/工程力学 2020/2024 孙浩然 机械工程学院/机械工程 2020/2024 郑力恺 电气工程学院/电气工程及其自动化 2019/2023 王羿淮 管理学院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科学与工程学院/材料科学与工程 2018/2023 四、指导教师 姓名 学院/所学专业 职务/职称 研究方向 宋忠孝 材料学院/材料系 教授、博士生导师 核电领域;电化学、催化、电池领域;器件、封装领域:高温抗氧化烧蚀、高压抗电弧烧蚀领域;轻量化领域硬质涂层领域 王小华 电气学院/电机电器及其控制 教授/博导,国家级人才计划入选者(特聘教授),国家级青年人才计划入选者(青年学者),教育部新世纪优秀人才,陕西省青年科技标兵。西安交通大学未来技术学院/现代产业学院副院长、实践教学中心(工程坊)副主任、教务处副处长、创新创业学院副院长,CIGRE开关设备状态评估工作组成员,中国电工技术学会电器智能化系统及应用专委会委员 开关设备设计、状态监测与寿命评估 田高良 管理学院/会计与财务 教授、博士生导师 财务预警;内部控制与风险管理;资产评估;信用管理等 五、项目简介 苏州博志金钻科技有限责任公司是一家专门从事高功率半导体封装材料研发生产的公司。以先进的陶瓷表面金属化技术为核心形成了包括(1)粉体表面改性;(2)热压烧结;(3)研磨、抛光;(4)陶瓷金属化;(5)增厚、刻蚀;(6)预制金锡焊料;(7)激光切割等环节的完整高端热沉材料生产体系。公司拥有完整的热沉材料生产体系,致力于成为“国产化功率半导体器件热沉材料领跑者”,为我国半导体产业发展添砖加瓦。 博志金钻技术团队在磁控溅射领域深耕二十余年,目前已经实现氧化铝、氮化铝、氮化硅、单晶金刚石、单晶碳化硅覆铜板的量产,三英寸陶瓷覆铜板月产能10万片,包括各类种子层方案,铜层厚度0.5-100um,表面无毛刺、划痕、色差等异样,350度加热平台烘烤5分钟不起泡。博志金钻目前苏州主体工厂面积超过5000平米,含万级洁净间。拥有20余台研磨抛光设备、10余台烧结炉、4条卧式连续镀膜设备、5台立式镀膜设备,以及超声清洗、喷淋甩干等完善的配套设备。博志金钻的工艺流程包括粉体表面改性、热压烧结、研磨/抛光、陶瓷金属化、增厚/刻蚀、预制金锡焊料、激光切割,博志金钻已经建立了完善的产品生产管理及质量监控体系来进行管控,完成了包括ISO9001、14001等认证,并不断完善产品检测设备及手段,确保产品质量稳定。 公司积极进行产品迭代和技术储备,在高功率半导体封装材料研发生产领域有着二十余年研发经验。中国科学院院士孙军教授和国家万人计划领军人才宋忠孝教授作为本公司首席科学家领衔公司技术研发,进行陶瓷金属化和半导体封装基板领域关键技术的探索。潘远志带领公司与西安交通大学表面工程国际研发中心、金属材料强度国家重点实验室合作进行前沿技术开发,团队与苏州市产业技术研究院、高新区共同设立苏州思萃材料表面应用技术研究所,是公司的技术支持和组织依托。目前公司已完成天使轮、preA轮数千万融资交割,公司投后估值逾2亿元。
西安交通大学 2022-08-10
高性能氮化镓基电子材料
已有样品/n中科院半导体所是国内最早开展 GaN 基电子材料研发的单位,并一直在该领域起着引领、 示范和带动作用。经过尽二十年的自主创新,攻克了 2 英寸和3英寸蓝宝石、碳化硅和硅衬底上GaN 基电子材料外延生长的关键科学技术问题,在高阻 GaN 外延材料、高迁移率 GaN 外延材料、高迁移率 AlGaN/GaN 异质结结构材料等方面形成了系统的自主知识产权,设计并研制出了多种具有特色的 AlGaN/GaN 异质结构电子材料,并实现了批量供片。市场预期:该技术是采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)
中国科学院大学 2021-01-12
电子元件分组实验用材料
产品详细介绍
长春市教育技术装备实验仪器厂 2021-08-23
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