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积分球均匀光源测光功率光通量反射率量子效率辐射光度球光通球PTFE
        创谱仪器ISL系列积分球均匀光源是由PTFE喷涂积分球、进口卤钨灯/LED光源、高稳定性电源模块组成;具有很高的出光均匀性以及漫反射特性;         把光源放置在积分球内,光源发出的光在球内壁上经过无数次的漫反射,充分积分球之后,最终在积分球出口平面的光斑是一种均匀的漫射光,具有理想的朗伯余弦特性,所以这种均匀光斑,在国防,科研,工业等众多领域有广泛应用。例如:均匀照明源,光学仪器定标等;         此款积分球兼容测光功能,预留多个光口,满足不同应用需求         创谱仪器可以根据客户要求定制各种应用积分球!
山东创谱光学仪器有限公司 2025-12-03
考虑可变寿命特性的确定电力系统调峰用电池储能容量的方法
本发明公开了一种考虑可变寿命特性的确定电力系统调峰用电 池储能容量的方法,将电力系统调峰用电池储能的能源节约效益、环 保效益、容量替代效益进行量化,并纳入到容量规划目标中;计及电 池储能的年运行成本,并根据电池储能运行过程中其实际使用寿命和 放电深度的关系建立了电池储能可变寿命模型,计算其建设投资成本 等年值,形成确定电力系统调峰用电池储能容量的目标函数。在考虑 系统功率平衡约束、系统备用约束、常规机组出力约束、火电机组爬 坡约束以及电池储能运行约束的基础上,以年净收益最大为目标对模 型进行求解。本
华中科技大学 2021-04-14
紫外光加速老化试验机|紫外光耐气候试验箱|紫外老化箱
产品详细介绍 紫外光加速老化试验机|紫外光耐气候试验箱|紫外老化箱 产品名称:紫外光加速老化试验机|紫外光耐气候试验箱|紫外老化箱 产品售价: 请咨询 产品规格:ZN-P 产品备注:该系列产品适用于非金属材料的耐阳光和人工光源的老化试验。 说明: ■ 紫外老化箱产品用途   该系列产品适用于非金属材料的耐阳光和人工光源的老化试验。 ■ 紫外老化箱箱体结构   箱体采用数控机床加工成型,造型美观大方,箱盖为双向翻盖式,操作简便。 箱体内胆采用进口高级不锈钢板,箱体外胆采用A3钢板喷塑,增加了外观质感和洁净度。 加热方式为内胆水槽式加热,升温快,温度分布均匀。 排水系统使用回涡型及U型积沉装置排水,方便用户清洁。 ■ 紫外老化箱控制系统   采用黑色铝板联接温度传感器,采用黑板温度仪表控制加热,温度更稳定。 辐射计探头采用固定式,无须每次装卸。 辐射量采用高精度显示和测量的专用紫外线辐照计。 辐射度不大于50W/ m2。 光照和冷凝可独立控制可以交替循环控制。 光照和冷凝的独立控制时间和交替循环控制的时间可在一千小时内任意设置。 ■ 紫外老化箱符合标准   GB/T16422.3-1997 GB/T16585-96    紫外老化箱规格与技术参数   型号 ZN-P 工作室尺寸D×W×H 450×1170×500 支持样板数量:150×75约40块 性能指标 温度范围 RT+10℃~70℃ 湿度范围 ≥95%R.H 灯管间距离 35mm 样品与灯管距离 50mm 紫外波长 290nm~400nm UV-A、UV-B、UV-C(定货时说明) 灯管功率 40W 温湿度运行控制系统 温度控制器 进口LED数显P、I、D+S、S、R.微电脑集成控制器 时间控制器 进口可编程时间电脑集成控制器(金钟默勒) 光照加热系统 全独立系统,镍铬合金电加热式加热器 凝露加湿系统 全不锈钢浅表面蒸发式加湿器 黑板温度 双金属黑板温度计 供水系统 加湿供水采用自动控制 暴露方式 湿汽冷凝暴露,光照辐射暴露 安全保护 漏电、短路、超温、缺水、过电流保护/控制器停电记忆
北京东工联华科学仪器设备有限公司 2021-08-23
一种钇铁石榴石单晶薄膜及其制备方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷,提出了一种钇铁石榴石单晶薄膜及其液相外延制备方法,本发明得到的钇铁石榴石单晶薄膜的铁磁共振线宽很窄,达到了1Oe以下(0.4Oe),薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、应力、含铅量、杂相等都得到了较大的改善。
电子科技大学 2021-02-01
一种用于三层结构薄膜的接料装置
本发明提供了一种用于三层结构薄膜的接料装置,包括接料底板,设置在接料底板的一相对两侧,用于提供粘结胶带的粘结胶带组件;设置在接料底板的另一相对两侧,用于对接薄膜整齐对位的胶带纠偏组件;设置在接料底板上用于接料时固定对接薄膜的压合组件;以及设置在接料底板上方用于夹持三层结构薄膜各层的夹持组件。本发明实现三层结构薄膜的分层对接,整个装置结构简单,操作方便,易于实现。
华中科技大学 2021-04-11
一种机械叠层ALSB/CIS薄膜太阳电池
一种机械叠层ALSB/CIS薄膜太阳电池,属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计,它是由ALSB顶电池机械叠合在CIS底电池上而成的双结四端薄膜太阳电池。其中ALSB顶电池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉积N型掺铝氧化锌导电层,然后沉积氧化锌高阻层,再沉积硫化镉缓冲层,随后沉积锑化铝吸收层以及碳纳米管涂层作为透明导电层,最后,沉积镍/铝栅线而制成的太阳电池;而CIS底电池,指的是在SODA LIME玻璃上沉积钼,然后沉积吸收层硒铟铜,再沉积缓冲层硫化镉,随后沉积高阻氧化锌和掺铝氧化锌,最后沉积与顶电池相同形状和大小的镍/铝栅线而制成的太阳电池。采用上述结构的叠层电池,可以选择性地吸收和转化太阳光谱的不同区域的能量,扩展光谱响应的范围,有效地提高薄膜太阳电池的转换效率。
四川大学 2021-04-11
安装在汽车进气系统上的薄膜空气吸振器
其他成果/n本发明公开了一种安装在汽车进气系统上的薄膜吸振器,用于消除由进气系统引起的至少一种车内噪声,所述汽车进气系统包括依次连接的进气管、空气滤清器和出气管,该吸振器包括开设在所述进气管振动异常处的开孔以及密封覆盖在所述开孔外侧的薄膜,所述开孔的孔径小于进气管的直径。本发明在不增加进气系统降噪空间的前提下,以及合理的成本控制下,可以有效改善进气系统低、中、高各频率段噪声。
武汉理工大学 2021-04-11
一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法
“一种化学浴沉积择优取向生长的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法”属于半导体领域。现有方法一般对设备要求较高,需要比较复杂的程序,而最终难以控制成本,这会严重影响Cu2O薄膜的应用范围。本发明提供的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:分别按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8~12∶36,硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔范围为1∶3~5∶6,将抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液依次加入硫酸铜溶液中,使充分络合;调节溶液pH值至7.0~10.0;置于50°C~95°C水浴温度中反应1.0h~3.
安徽建筑大学 2021-01-12
具有巨霍尔效应的纳米铁金属颗粒薄膜磁敏料
  巨霍尔效应是纳米铁磁金属颗粒薄膜中反常霍尔效应的巨大增强现象,是纳米材料的新效应,本课题利用巨霍尔效应原理,制备出磁场灵敏度高达125AT、具有实用价值的新型的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;并将颗粒薄膜应用于霍尔器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件原型。    本课题的研究,率先将纳米体系的新效应巨霍尔效应原理应用于传感器件领域,制备出具有实用价值的新型纳米材料及微型霍尔器件,具有原始创新性。与传统的半导体霍尔器件相比,基于纳米铁磁金属颗粒薄膜巨霍尔效应的霍尔器件具有体积小、制备工艺简单、高度集成、灵敏度高等优点,因此具有更为重要的应用价值。特别是纳米铁磁金属颗粒薄膜霍尔器件具有的工作温度宽、温度稳定性能优异、抗核辐射等优点,在微弱磁场探测、航天器的精确定位、导航以及军事装备等方面都具有十分重要的用途,市场前景广阔。   本课题利用巨霍尔效应原理,首次制备出磁场灵敏度高达125VAT、具有实用价值的新型的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;并将颗粒薄膜应用于霍尔器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件原型。主要创新点有将稀磁半导体引入纳米铁磁金属颗粒薄膜体系,替代绝缘体母体材料,使体系在厚度较小的情况下,仍能保持高温铁磁性;制备出不同种类的具有高灵敏和实用价值的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;将具有巨霍尔效应的纳米铁磁金属颗粒薄膜应用于传感器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件。    主要创新点有将稀磁半导体引入纳米铁磁金属颗粒薄膜体系,替代绝缘体母体材料,使体系在厚度较小的情况下,仍能保持高温铁磁性;制备出不同种类的具有高灵敏和实用价值的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;将具有巨霍尔效应的纳米铁磁金属颗粒薄膜应用于传感器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件。相关成果已获国家发明专利授权九项。    本课题的研究,将巨霍尔效应这一纳米体系的新效应应用于器件领域,以纳米铁磁金属颗粒薄膜替代现有霍尔器件的掺杂半导体活性层材料,是一个全新的技术,取得了多项具有原始创新性的技术成果,进一步推进了纳米材料在新材料技术、电子信息技术等领域]应用    应用状况:    与传统的半导体霍尔传感器件相比,基于纳米铁磁金属颗粒薄膜巨霍尔效应的霍尔传感器件具有体积小、制备工艺简单、高度集成、灵敏度高等优点,因此具有更为重要的应用价值。特别是纳米铁磁金属颗粒薄膜霍尔器件具有的工作温度宽、温度稳定性能优异抗核辐射等优点,在微弱磁场探测、航天器的精确定位、导航以及军事装备等方面都具有十分重要的用途,市场前景广阔。
河北工业大学 2021-04-13
氧化锌基底诱导取向生长硒化锑薄膜的方法
本发明公开了一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方 法,其特征在于,该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择 优取向方向的硒化锑薄膜;当氧化锌基底为(100)取向时,诱导生长出 的硒化锑薄膜是以<、221>、方向为主导生长取向;当氧化锌基底 为(002)取向时,诱导生长出的硒化锑薄膜是以<、120>、方向为主 导生长取向。本发明中的方法可应用于硒化锑薄膜太阳能电池的制备, 得到相应的硒
华中科技大学 2021-04-14
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