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单芯片高光束质量光子晶体激光器
可以量产/n波长范围905-1064nm、水平、垂直发散角<10度；直流输出功率>5W;窄脉冲输出功率>20W;光子晶体激光器模块窄脉冲输出功率>130W；并与传统半导体激光器工艺相兼容。此外还开展了808nm、980nm和1064nm等波段光子晶体激光器研究。“先进半导体光子晶体激光器技术研究”获得2013年度北京市科学技术奖二等奖，光子晶体高功率高亮度激光器被评为“2014中国光学重要成果”。市场预期：半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核
中国科学院大学
2021-01-12
粒子过程晶体产品分子组装与形态优化技术
本项目属于化学工程及制药工程领域。该专利核心技术还成功应用于药用氨基酸、盐酸大观霉素、头孢曲松钠等十余种产品，建成17条精制生产线，均通过国家验收或省部级鉴定,专家鉴定为:质量及技术经济指标(节能、降耗、减排)均达到并部分超过了国际先进水平。直接经济效益显著，近三年累计新增产值12.44亿元，新增利税2.86亿元，创收外汇3171万美元；且社会效益突出，如地塞米松磷酸钠产品已击败国际竞争对手，占有50%以上海外市场和60%以上国内市场；帕罗西汀产品打破了国际专利封锁，国内领先的产品已进入了国际规范
天津大学
2021-04-14
晶体材料大尺寸、定晶向放电切割技术
合作的企业类型等。简介请图文并茂，字数1000字以内。） 近年来，在国家自然基金、江苏省自然基金、航空基金以及国防预研、国家新能源产业化专项、江苏省科技成果转化等项目资助下，本课题组进行了在半导体晶体材料加工上实现了大尺寸（600mm）、高尺寸精度（5μm）、定晶向（0.3分）、低损耗、低成本的集成技术优势，成为国内外首个在半导体晶体放电切割上实现重大突破和技术应用的研究团队，多项研究成果已经获得或即将获得重要应用。 本课题组在特种加工、微细加工、激光加工、再制造等方面开
南京航空航天大学
2021-04-14
大尺寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及器件
本技术涵盖大尺寸铌酸锂晶体生长工艺及装备、晶圆制备、单晶薄膜制备及声表面波器件，实现材料、装备、器件协同发展。主要针对8英寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及声表面波器件进行开发研究，该技术属于我国“卡脖子”技术，目前国际市场空白。在铌酸锂晶体生长方面，开发了大尺寸智能单晶生长设备及工艺，包括大尺寸铌酸锂晶体生长模拟仿真设计、铌酸锂熔体-晶体固液界面特性与控制、大尺寸铌酸锂晶体生长工艺开发、生长-检测-分析-控制人工智能系统。采用离子束切片键合技术制备铌酸锂单晶薄膜，突破传统的薄膜制备方法无法制备单晶铌酸锂薄膜
山东大学
2021-04-14
一种提拉法晶体生长炉
一种提拉法晶体生长炉，属于提拉法单晶生长装置，解决现有提拉法晶体生长炉内由于冷却气的非对称流动引起的不稳定性和熔体内包裹体杂质在晶体中聚集的问题。本发明包括炉体、基座、内隔热层、电磁感应加热器、炉盖、坩埚、坩埚盖和籽晶杆；坩埚内固定有坩埚整流筒，坩埚整流筒下端具有沿圆周均布的矩形孔；籽晶杆下部通过径向呈辐射状均匀分布的肋条与隔热环连接，所述隔热环为圆环形，其外径与内隔热层的内径相适应。本发明设计简单可靠，能够有
华中科技大学
2021-04-14
绝缘栅双极晶体管(IGBT)研究与中试
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有我们和北工大进行。在国内的生产更是空白。国内的器件应用全靠进口。项目承担人袁寿财是国内最早从事IGBT研究的人员和专家之一，所有技术是自己研制和开发，属自有技术。包括平面工艺和目前最先进的Trench(槽)工艺，采用VLSI侧墙自队准和硅化物自对准技术，使工艺极大地简化
西安交通大学
2021-01-12
一种新型电阻加热丝制作方法
本发明公开了一种新型电阻加热丝制作方法，准备好钨金属基板、微米级钨粉和高发射率纳米材料; 将微米级钨粉和高发射率纳米材料加入聚乙烯醇(PVA)水悬浮液中，并利用磁力搅拌器搅拌均匀;使用 浸渍法将微米级钨粉和高发射率纳米材料混合物涂覆在钨金属基板表面形成涂层;然后采用激光烧结技 术处理微米级钨粉和高发射率纳米材料混合物，使钨金属基板表面的涂层和钨金属基板融合，高发射率 纳米材料被集成到钨金属中，形成钨基纳米复合材料;然后利用激光喷丸技术对钨基纳米复合材料进行 处理;最后将上述方法所得的钨基纳米复合材料
武汉大学
2021-04-14
井间并行电阻率阻率CT测试方法
本发明公开了一种井间并行电阻率 CT 测试方法，是对钻孔间地质条件及构造特征进行探查的一种物探技术。通过在两两钻井之间布置测试系统，形成 64 个电极的井间测线，采用并行电法数据采集技术进行单极或偶极供电与测试，获得井间电性采集数据，形成井间不同电极间层析数据体。通过井间电阻率层析成像技术实现对测试区域电阻率及激电参数成像，进一步评价其岩层及构造特征状况，获得地质解释成果及认识。该套测试系统可完成 1200m 深井的数据采集。
安徽理工大学
2021-04-13
绝缘电阻表(ZC25-3)（J01406）
本仪表用于测量各种电机、电览、变压器、电讯元器件、家用电器和其它电气设备的绝缘电阻。
技术性能: 1、额定电压: 220V ; 2、测量范围: 0-500MΩ ; 3、准确度等级: ±10% ; 4、使用条件: 温度-25～+40℃, 相对湿度不大于80%; 5、摇柄额定转速:120f/min ; 6、外磁场影响: 当外界磁场强度为0.4KA/m时, 仪表允许改变量为等级指数的100%; 7、倾斜影响: 当仪表自水平位置向倾斜5度时，仪表允许改变量为等级指数的50%; 8、绝缘电阻: 仪表所有线路与外壳之间的绝缘电阻应不小于2 MΩ; 9、试电压: 仪表能耐受频率为50Hz的正弦波交流电压历时1min试验，电压有效值为1000V; 10、刻度弧长: 约65mm ;
11、外型尺寸:205 mm×120 mm×14 mm ; 12、重量: 2Kg ; 13、标准代号: JB/T9290-1999。
杭州电表厂
2021-08-23
北京JKZC-YDZK03A压电阻抗分析仪
产品详细介绍JKZC-YDZK03A压电阻抗分析仪关键词：压电阻抗，压电陶瓷， 阻抗分析主机 压电陶瓷分析夹具及配备压电陶瓷分析软件 JKZC-YDZK03A压电阻抗分析仪是专门用于压电材料测试，主要是测试压电材料的正反谐振频率，正反谐振阻抗及压电材料的电容等相关系数，是一款压电器件的科学研究重要辅助工具，而且可以配合压陶瓷压电分析夹具和压电分析软件，可以测试压电陶瓷的压电器件的频率响应曲线分析等相关参数。现在是国内压电材料器件科学研究的重要工具。一、产品应用范围：1. 压电材料器件科学研究2. 压电材料的用于评定压电陶瓷片性能优劣3. 压电材料阻抗分析二、主要技术参数：1. 测试频率：10.5HZ-5.5MHZ2. 测试电平:10mV～5V±（10%+10mV）3. 输出阻抗: 10Ω, 30Ω, 50Ω, 100Ω4. 基本准确度: 0.1%5. 显示器: 320×240点阵图形LCD显示6. 可测量22种阻抗参数组合7. 接口方式: RS232C或HANDLER8. 电压:AC-220V9. 体积：高80mm＊宽205mm＊长230mm10.重量:3KG
北京圆通科技地学仪器研究所
2021-08-23