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大尺寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及器件
本技术涵盖大尺寸铌酸锂晶体生长工艺及装备、晶圆制备、单晶薄膜制备及声表面波器件，实现材料、装备、器件协同发展。主要针对8英寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及声表面波器件进行开发研究，该技术属于我国“卡脖子”技术，目前国际市场空白。在铌酸锂晶体生长方面，开发了大尺寸智能单晶生长设备及工艺，包括大尺寸铌酸锂晶体生长模拟仿真设计、铌酸锂熔体-晶体固液界面特性与控制、大尺寸铌酸锂晶体生长工艺开发、生长-检测-分析-控制人工智能系统。采用离子束切片键合技术制备铌酸锂单晶薄膜，突破传统的薄膜制备方法无法制备单晶铌酸锂薄膜
山东大学
2021-04-14
一种提拉法晶体生长炉
一种提拉法晶体生长炉，属于提拉法单晶生长装置，解决现有提拉法晶体生长炉内由于冷却气的非对称流动引起的不稳定性和熔体内包裹体杂质在晶体中聚集的问题。本发明包括炉体、基座、内隔热层、电磁感应加热器、炉盖、坩埚、坩埚盖和籽晶杆；坩埚内固定有坩埚整流筒，坩埚整流筒下端具有沿圆周均布的矩形孔；籽晶杆下部通过径向呈辐射状均匀分布的肋条与隔热环连接，所述隔热环为圆环形，其外径与内隔热层的内径相适应。本发明设计简单可靠，能够有
华中科技大学
2021-04-14
绝缘栅双极晶体管(IGBT)研究与中试
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有我们和北工大进行。在国内的生产更是空白。国内的器件应用全靠进口。项目承担人袁寿财是国内最早从事IGBT研究的人员和专家之一，所有技术是自己研制和开发，属自有技术。包括平面工艺和目前最先进的Trench(槽)工艺，采用VLSI侧墙自队准和硅化物自对准技术，使工艺极大地简化
西安交通大学
2021-01-12
一种新型电阻加热丝制作方法
本发明公开了一种新型电阻加热丝制作方法，准备好钨金属基板、微米级钨粉和高发射率纳米材料; 将微米级钨粉和高发射率纳米材料加入聚乙烯醇(PVA)水悬浮液中，并利用磁力搅拌器搅拌均匀;使用 浸渍法将微米级钨粉和高发射率纳米材料混合物涂覆在钨金属基板表面形成涂层;然后采用激光烧结技 术处理微米级钨粉和高发射率纳米材料混合物，使钨金属基板表面的涂层和钨金属基板融合，高发射率 纳米材料被集成到钨金属中，形成钨基纳米复合材料;然后利用激光喷丸技术对钨基纳米复合材料进行 处理;最后将上述方法所得的钨基纳米复合材料
武汉大学
2021-04-14
井间并行电阻率阻率CT测试方法
本发明公开了一种井间并行电阻率 CT 测试方法，是对钻孔间地质条件及构造特征进行探查的一种物探技术。通过在两两钻井之间布置测试系统，形成 64 个电极的井间测线，采用并行电法数据采集技术进行单极或偶极供电与测试，获得井间电性采集数据，形成井间不同电极间层析数据体。通过井间电阻率层析成像技术实现对测试区域电阻率及激电参数成像，进一步评价其岩层及构造特征状况，获得地质解释成果及认识。该套测试系统可完成 1200m 深井的数据采集。
安徽理工大学
2021-04-13
绝缘电阻表(ZC25-3)（J01406）
本仪表用于测量各种电机、电览、变压器、电讯元器件、家用电器和其它电气设备的绝缘电阻。
技术性能: 1、额定电压: 220V ; 2、测量范围: 0-500MΩ ; 3、准确度等级: ±10% ; 4、使用条件: 温度-25～+40℃, 相对湿度不大于80%; 5、摇柄额定转速:120f/min ; 6、外磁场影响: 当外界磁场强度为0.4KA/m时, 仪表允许改变量为等级指数的100%; 7、倾斜影响: 当仪表自水平位置向倾斜5度时，仪表允许改变量为等级指数的50%; 8、绝缘电阻: 仪表所有线路与外壳之间的绝缘电阻应不小于2 MΩ; 9、试电压: 仪表能耐受频率为50Hz的正弦波交流电压历时1min试验，电压有效值为1000V; 10、刻度弧长: 约65mm ;
11、外型尺寸:205 mm×120 mm×14 mm ; 12、重量: 2Kg ; 13、标准代号: JB/T9290-1999。
杭州电表厂
2021-08-23
北京JKZC-YDZK03A压电阻抗分析仪
产品详细介绍JKZC-YDZK03A压电阻抗分析仪关键词：压电阻抗，压电陶瓷， 阻抗分析主机 压电陶瓷分析夹具及配备压电陶瓷分析软件 JKZC-YDZK03A压电阻抗分析仪是专门用于压电材料测试，主要是测试压电材料的正反谐振频率，正反谐振阻抗及压电材料的电容等相关系数，是一款压电器件的科学研究重要辅助工具，而且可以配合压陶瓷压电分析夹具和压电分析软件，可以测试压电陶瓷的压电器件的频率响应曲线分析等相关参数。现在是国内压电材料器件科学研究的重要工具。一、产品应用范围：1. 压电材料器件科学研究2. 压电材料的用于评定压电陶瓷片性能优劣3. 压电材料阻抗分析二、主要技术参数：1. 测试频率：10.5HZ-5.5MHZ2. 测试电平:10mV～5V±（10%+10mV）3. 输出阻抗: 10Ω, 30Ω, 50Ω, 100Ω4. 基本准确度: 0.1%5. 显示器: 320×240点阵图形LCD显示6. 可测量22种阻抗参数组合7. 接口方式: RS232C或HANDLER8. 电压:AC-220V9. 体积：高80mm＊宽205mm＊长230mm10.重量:3KG
北京圆通科技地学仪器研究所
2021-08-23
单分子晶体管器件研究取得重要进展
当电子器件基本单元--晶体管的尺寸进入到亚纳米尺度，量子效应将越来越显著。探索极端尺度下的晶体管器件并研究其性能和物理机理，对未来信息技术以及介观物理学的发展具有深刻的意义。
科技部
2021-04-19
光晶体管结构的柔性紫外探测器
本发明涉及提出一种无机钙钛矿光晶体管结构的紫外探测器。基底(1)为玻璃基底，在基底(1)上制备CsPbX3薄膜(2)作为有源层，在CsPbX3薄膜(2)表面制备同物质的CsPbX3量子点(5)掺杂的PMMA有机层(4)作为栅绝缘层，以此为紫外光感应窗口；薄膜晶体管的源极(3.1)、漏Au电极(3.2)分别位于CsPbX3薄膜(2)上的两边，FTO栅极(6)位于CsPbX3薄膜(2)的上的中间，在薄膜晶体管的源极(3.1)、漏Au电极(3.2)和FTO栅极(6)调制下，获得光生载流子分离、转换的电信号读取、放大的集成功能，以实现高响应度的紫外信号探测。光晶体管探测器可采用如图1所示的顶栅结构，也可以采用如图2所示的底栅结构。以上两种结构可制备在玻璃基板上，也可以制备在柔性基板上形成底栅或顶栅结构的柔性光晶体管紫外探测器。
东南大学
2021-04-11
一种混合光子晶体及其制备方法与应用
本发明公开了一种混合光子晶体及其制备方法与应用，该混合光子晶体包括聚乙二醇双丙烯酸酯反蛋白石骨架及填充于该骨架孔隙中的甲基丙烯酸酯明胶和磁性纳米粒子；制法为采用二氧化硅胶体微球作为模板，加入预凝胶A反应、聚合后，去除二氧化硅胶体微球，制得聚乙二醇双丙烯酸酯反蛋白石骨架，随后将预凝胶B加入骨架中反应、聚合后，即可。该混合光子晶体作为载体应用于耐药细胞的检测。本发明的显著优点为该混合光子晶体稳定性强，具有优越的生物兼容性和磁性响应性；制法简单，可操作性强，成本低，环境友好；应用于耐药细胞的检测，其表面负载叶酸，能够特异、灵敏、简单、有效地抓捕到髓性白血病耐药细胞。
东南大学
2021-04-11