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一种相变存储器数据写入方法
一种相变存储器数据写入方法，属于存储器的数据存储方法，解决现有相变存储器数据写入方法存在的未最大化地利用能耗预算问题，以提升相变存储器(PCM)的写性能和寿命。本发明包括读出数据步骤、分析数据步骤、写入数据步骤。本发明针对 PCM 写“0”和写“1”的延时及能耗的不对称性，充分利用 PCM 的能耗预算(power-budget)，通过分别记录每一个数据单元待修改的“0”和“1”的个数，对每一个数据单元写入顺序重新调度
华中科技大学
2021-04-14
一种相变存储器热串扰测试方法
本发明公开了一种相变存储器的热串扰测试方法，该方法利用 相变存储单元中的相变材料本身作为温度探测器，通过在一个相变存 储单元上施加激励信号，在另一个相邻的相变存储单元上施加测试信 号，采集相邻的相变存储单元上的响应信号，利用相变材料在不同温 度下电学性能及性质的差异来测量相变存储单元编程过程中相邻的单 元所受到的热串扰影响大小，从而对相变存储器热串扰稳定性进行评 估。本发明适用于一般的相变存储单元结构，不需要集成其他
华中科技大学
2021-04-14
阻变存储器集成
已有样品/n垂直结构的高密度三维交叉阵列，结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势，具有制备工艺简单，成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上（IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4）实现了8层结构的设计，进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。
中国科学院大学
2021-01-12
考虑热量积累效应的相变存储器单元 SPICE 模型系统及应用
本发明公开了一种相变存储器单元 SPICE 模型系统，包括：单 元电阻模拟模块，用于模拟相变存储器单元电阻；温度计算模块，用 于针对施加的连续脉冲序列，计算每个脉冲信号结束时刻考虑脉冲信 号下热量积累效应的存储器单元相变层温度；晶化速率计算模块，用 于计算单位时间内发生晶化的相变层体积；非晶化速率计算模块，用 于计算单位时间内发生非晶化的相变层体积以及相变模块，用于选择 晶化速率或非晶化速率计算非晶化率。本发明还公开
华中科技大学
2021-04-14
一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路
本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路，包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻； 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端，第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端；第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接，第一可控开关元件的第二端接地； 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接，第一电阻的另一端 接地；第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本
华中科技大学
2021-04-14
三维信息存储材料及其存储器
南开大学三维信息存储材料及其存储器的研究获天津市2001年度自然科学一等奖，采用三维全息存储介质的光存储系统—固定式三维光子存储装置，其存储量的容量可达到10Tbits/cm2以上，比二维盘片存储介质上的存储容量高一千倍；采用光学的方法符合并行输入与输出的要求，可同时一次性写入多幅和读出整幅图象信息，信息转移率高达1Gbits/sec，比光盘的逐点写入与输出方式所能达到的信息转移率高几千倍。故称之为海量存储。此外，它还有成本低、体积小、可重复读写的特点。利用光折变晶体的三维体全息光存储是国际上目前
南开大学
2021-04-14
3D NAND 存储器研发
已有样品/n3D NAND 是革新性的半导体存储技术，通过增加存储叠层而非缩小器件二维尺寸实现存储密度增长，从而拓宽了存储技术的发展空间，但其结构的高度复杂性给工艺制造带来全新的挑战。经过不懈努力，工艺团队攻克了高深宽比刻蚀、高选择比刻蚀、叠层薄膜沉积、存储层形成、金属栅形成以及双曝光金属线等关键技术难点，为实现多层堆叠结构的3D NAND 阵列打下坚实基础。
中国科学院大学
2021-01-12
新型高速低功耗铁电存储器
我国每年将进口200多亿美元的存储器芯片，而大的技术带动力发挥着关键作用,其产业中心的不断转移也深地出响了世界范围内的产业格局，存储器产业工艺技术先进,产品量大，替代性强,美欧日韩等集成电路强国无不是从半导体存储器产业切入并逐渐发展壮大的。建立完全自主的存储器产业可以推动我国整个半导体工业的完善和优化,并我国巨大的产品需求,就可以形成包括市场在内的完整产业体系。相比于其他新型存储器，铁电存储器更轻易实现深亚微米设计,与CMOS工艺的匹配性更出色,在设计上相对FDRAM变动最小，因而产业化成熟度最高,美国Cypress.TI公司和日本Fujtsu.Rohm公司等已有4K~8Mbit系列产品,正逐步占领全球消费类电子、新能源汽车等领域数百亿美元的市场份额,进军物联网、云计算等新兴领域铁电存储器具有非易失(即掉电后数据不丢失)、超低功耗高速读写、高可靠、长寿命和抗辐照等优点,被称为“终极存储器”。从全球存储器技术发展来看,铁电存储器作为新代存储器，能够在快速高耐久写入、超低功耗以及高可靠性的应用领域全面替代传统的NVRAM。
电子科技大学
2021-04-10
阻变存储器与铁电FinFET
已有样品/n基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。该器件在电荷俘获模式下，表现出高耐
久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的数据保持特性（104@85oC），与DRAM
的性能相近，为在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。当器件工作在
电筹翻转模式下的时候，器件表现出非常好的数据保持特性（>10年）以及对读取
信号串扰的免疫能力，使该器件同时具有优越的不挥发存储特性。
中国科学院大学
2021-01-12
一种非易失存储器和动态随机存取存储器的融合内存系统
本发明公开了一种非易失存储器和动态随机存取存储器的融合 内存系统，将非易失存储器和动态随机存取存储器融合在一起，共同 作为计算机系统的内存统一管理，其中动态随机存取存储器既可以与 非易失存储器统一编址，亦可以以部分容量充当非易失存储器的高速 缓冲存储器(cache)，其 cache 空间的容量大小自适应数据负载特点而动 态可配，以便加快非易失存储器的访问速度，并能降低 I/O 访问磁盘 频率，提高计算机系统整体性能。
华中科技大学
2021-04-14