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硅基已知频率缝隙耦合式直接式毫米波相位检测器
本发明的硅基已知频率缝隙耦合式直接式毫米波相位检测器是由共面波导传输线、缝隙耦合结构、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式热电式功率传感器所构成，整个结构基于高阻Ｓｉ衬底制作，一共设置有四个缝隙耦合结构，上方的两个缝隙耦合结构连接着两个直接式热电式功率传感器，下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量，在前后缝隙之间设置有一个移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波导传输线、非对称共面带线和一个隔离电阻组成；直接式热电式功率传感器主要由共面波
东南大学
2021-04-14
高结晶性银粉及晶硅太阳能电池正面银浆
本项目是通过控制液相还原条件下银纳米晶的成核和生长速度，可以得到 单分散的、高结晶性的单晶银纳米粉；通过引入银纳米晶核，控制溶液相中均 79 相成核和晶体的各向异性生长，可以制备单分散的、高结晶性的银微米粉，进 而制得太阳能电池正面银浆。
山东大学
2021-04-13
一种耐高温纳米硅薄膜二极管及其制备技术
该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝，对通入生长腔体中的气体进行快速分解，通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数，可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。 该成果主要面向微电子器件制造行业，如集成电路、大功率器件、特种环境探测器和传感器、光伏产业、发光器件等相关领域。 该成果
南京航空航天大学
2021-04-14
高结晶性银粉及晶硅太阳能电池正面银浆
本项目是通过控制液相还原条件下银纳米晶的成核和生长速度，可以得到单分散的、高结晶性的单晶银纳米粉；通过引入银纳米晶核，控制溶液相中均相成核和晶体的各向异性生长，可以制备单分散的、高结晶性的银微米粉，进而制得太阳能电池正面银浆。
山东大学
2021-04-14
中国科大实现硅基量子芯片中自旋轨道耦合强度的高效调控
郭国平教授、李海欧教授等人与中科院物理所张建军研究员、纽约州立大学布法罗分校胡学东教授以及本源量子计算有限公司合作，在硅基锗空穴量子点中实现了自旋轨道耦合强度的高效调控，为该体系实现自旋轨道开关以及提升自旋量子比特的品质提供了重要的指导意义。
中国科学技术大学
2022-06-02
金属元素分析仪, 锰磷硅分析仪,分析仪器
产品详细介绍 南京金牛高速分析仪器有限公司专业制造各类钢铁成分分析仪器,铸造生铁化验仪,有色金属分析仪，多元素分析仪，高频红外碳硫分析仪，电脑碳硫分析仪，五大元素分析仪等高速分析仪器，产品高、中、低档齐全。一、碳硫主要技术指标：1、测量范围：碳0.02％～6.00％ 硫0.002％～2.00％;2、测量时间：C、 S约45秒;3、测量精度：符合GB/T223.69-97 GB/T223.68-97标准;二、元素分析主要技术指标：1、分析方法：光电比色分析法;2、量程范围：吸光度值0～1.999A、浓度值0～99.99％;3、测量精度：符合GB223.3－5.88标准;4、可测元素：锰、磷、硅、镍、钼、铬、钛、铜、铅、锌、铁、铝、镁、稀土、铌、钒等元素的分析;5、电源电压：220v±10% 50Hz ;三、碳硫主要特点：1、气体容量法差压式定碳、碘量法定硫；2、单片机控制电路，工作过程全自动操作、彻底消除人为误差、性能稳定可靠；3、进口精密传感器检测数据，测量准确，自动打印测量结果。4、启动一次完成碳硫全部测定。操作简单、维修方便。四、元素分析主要特点：1、零点、满度均可自动调整，无需准确调整，直读吸光度或百分比含量，自动打印结果，包括炉号、日期、浓度百分含量；2、采用单片机控制电路，可储存15条曲线；3、采用精密触摸式键盘，32键音响提示，操作简单、适用、稳定性好；4、更换不同的冷光源或滤光片，可扩大测量元素的种类和含量范围；5、采用先进的光电转换技术，适用于各种金属材料化验。
南京金牛高速分析仪器有限公司
2021-08-23
硅二极管温度传感器锦正茂非标定制
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-07-28
季铵盐-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物抗菌涂层材料
成果简介：本发明涉及一种季铵盐-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物抗菌涂层材料。通 过可逆加成-断裂链转移自由基或大分子引发剂自由基聚合的方法，制备聚二甲 基硅氧烷-b-[聚甲基丙烯酸 N,N-二甲氨基乙酯-b-聚甲基丙烯酸六氟丁酯-b-聚 (甲基丙烯酸六氟丁酯-co-甲基丙烯酸羟乙酯)]2 多嵌段共聚物。然后加入 1-碘 辛烷进行季铵化反应，制得季铵盐-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物。该方法的优点是 反应操作简便，反应条件温和，反应过程具有较好的可控性。制备的多嵌段共聚 物具有良好的成膜性和抗菌性能。这种多嵌段共聚物可以广泛应用于抗菌涂层材 料。 成果水平： 国内领先 应用范围：广泛应用于织物、室内装饰、建筑物的内、外墙、顶棚或地面、以及 家具表面。 市场分析及前景：微生物广泛存在于自然界，通常细菌适宜繁殖生长的自然条件 为温度 23℃～38℃，相对湿度为 85%～100%，因此在温湿地区的建筑物内外墙 面，以及家具表面等适合细菌生长的表面，它们繁衍迅速．并由此生出各种酶、 酸和毒素的代谢产物，从而影响物品的外观与质量，污染环境，危害动植物的生 长和人类的健康，我国南方地区多雨潮湿，很容易滋生细菌，抗菌涂料具有筑装 饰和防霉作用的双重效果，具有广阔的应用前景。目前抗菌涂料的研发处于初始 阶段，具有良好的发展前景。 主要技术指标：抗菌性能： 测试方法：琼脂平板法。 测试结果：在 37℃下，对大肠杆菌、枯草杆菌等进行 24 小时培养，具有显著的 抗菌效果。 合作方式：技术转让，100 万元。
天津大学
2021-04-11
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。
传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。
本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。
大连理工大学
2021-05-10
硅基微纳结构调控太阳光谱提升光伏器件效率的研究
拥有人工微结构科学与技术协同创新中心、固体微结构物理国家重点实验室、半导体节能器件及材料国家地方联合工程中心以及江苏省光电信息功能材料重点实验室等科研平台，在硅基纳米结构材料与性能调控，硅基光子学器件和新型能源器件等基础研究领域具有很强的影响力。近年来，在硅基太阳能电池片研发及其新型结构材料在电池片上应用等方面开展了全方位的研究，承担完成了国家重点基础研究发展计划课题和国家自然科学基金重点项目等相关课题的研究。提出了渐变带隙的纳米硅量子点电池结构，利用渐变带隙进一步拓宽电池的响应光谱范围，发展了包
南京大学
2021-04-14