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高结晶性银粉及晶硅太阳能电池正面银浆
本项目是通过控制液相还原条件下银纳米晶的成核和生长速度，可以得到单分散的、高结晶性的单晶银纳米粉；通过引入银纳米晶核，控制溶液相中均相成核和晶体的各向异性生长，可以制备单分散的、高结晶性的银微米粉，进而制得太阳能电池正面银浆。
山东大学
2021-04-14
中国科大实现硅基量子芯片中自旋轨道耦合强度的高效调控
郭国平教授、李海欧教授等人与中科院物理所张建军研究员、纽约州立大学布法罗分校胡学东教授以及本源量子计算有限公司合作，在硅基锗空穴量子点中实现了自旋轨道耦合强度的高效调控，为该体系实现自旋轨道开关以及提升自旋量子比特的品质提供了重要的指导意义。
中国科学技术大学
2022-06-02
含硅固废（尾矿）绿色制备纳米孔道 ZSM-5 分子筛技术
本技术提出以无溶剂法合成ZSM-5分子筛，在分子筛合成过程中无溶剂参与，仅将初始原料研磨混匀后，转移到反应釜中进行晶化反应，从而简化了合成工艺，实现ZSM-5分子筛低成本、高效、绿色合成。
北京科技大学
2021-04-13
金属元素分析仪, 锰磷硅分析仪,分析仪器
产品详细介绍 南京金牛高速分析仪器有限公司专业制造各类钢铁成分分析仪器,铸造生铁化验仪,有色金属分析仪，多元素分析仪，高频红外碳硫分析仪，电脑碳硫分析仪，五大元素分析仪等高速分析仪器，产品高、中、低档齐全。一、碳硫主要技术指标：1、测量范围：碳0.02％～6.00％ 硫0.002％～2.00％;2、测量时间：C、 S约45秒;3、测量精度：符合GB/T223.69-97 GB/T223.68-97标准;二、元素分析主要技术指标：1、分析方法：光电比色分析法;2、量程范围：吸光度值0～1.999A、浓度值0～99.99％;3、测量精度：符合GB223.3－5.88标准;4、可测元素：锰、磷、硅、镍、钼、铬、钛、铜、铅、锌、铁、铝、镁、稀土、铌、钒等元素的分析;5、电源电压：220v±10% 50Hz ;三、碳硫主要特点：1、气体容量法差压式定碳、碘量法定硫；2、单片机控制电路，工作过程全自动操作、彻底消除人为误差、性能稳定可靠；3、进口精密传感器检测数据，测量准确，自动打印测量结果。4、启动一次完成碳硫全部测定。操作简单、维修方便。四、元素分析主要特点：1、零点、满度均可自动调整，无需准确调整，直读吸光度或百分比含量，自动打印结果，包括炉号、日期、浓度百分含量；2、采用单片机控制电路，可储存15条曲线；3、采用精密触摸式键盘，32键音响提示，操作简单、适用、稳定性好；4、更换不同的冷光源或滤光片，可扩大测量元素的种类和含量范围；5、采用先进的光电转换技术，适用于各种金属材料化验。
南京金牛高速分析仪器有限公司
2021-08-23
硅二极管温度传感器锦正茂非标定制
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-07-28
胡萝卜收获机用植株夹拔输送与根秧切割分离一体化装置
一种胡萝卜收获机用植株夹拔输送与根秧切割分离一体化装置，涉及胡萝卜收割装置领域，包括机体，设置在机体上秧叶输送组件，设置在机体上且位于秧叶输送组件的下方的根秧分离组件，设置在机体上且位于根秧分离组件的输出端的切割组件，在切割前的输送过程中秧叶输送组件和根秧分离组件的相互配合，实现胡萝卜根秧部拉齐，当输送到切割组件的位置时，在高速旋转的圆盘的作用下完成胡萝卜的齐茬切割。本实用新型的有益效果是，在窄行
青岛农业大学
2021-01-12
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。
传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。
本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。
大连理工大学
2021-05-10
硅基微纳结构调控太阳光谱提升光伏器件效率的研究
拥有人工微结构科学与技术协同创新中心、固体微结构物理国家重点实验室、半导体节能器件及材料国家地方联合工程中心以及江苏省光电信息功能材料重点实验室等科研平台，在硅基纳米结构材料与性能调控，硅基光子学器件和新型能源器件等基础研究领域具有很强的影响力。近年来，在硅基太阳能电池片研发及其新型结构材料在电池片上应用等方面开展了全方位的研究，承担完成了国家重点基础研究发展计划课题和国家自然科学基金重点项目等相关课题的研究。提出了渐变带隙的纳米硅量子点电池结构，利用渐变带隙进一步拓宽电池的响应光谱范围，发展了包
南京大学
2021-04-14
多晶硅生产冷氢化工艺加热合成反应关键技术装备
实现多晶硅生产冷氢化工艺过程工程化的关键加热系统装置；降低成本40%，减少能耗2/3。8000小时以上无故障稳定运行加热合成反应器关键技术。
常州大学
2021-04-14
一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法
本发明公开了一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法， 包括以下步骤：将硝酸银和柠檬酸溶于去离子水配制得到 A 溶液；将 瓜尔豆胶、抗坏血酸以及硝酸溶于去离子水中配制得到 B 溶液；在搅 拌的情况下，将 A 溶液逐渐滴加到 B 溶液，反应一段时间；静置，沉 淀得到银粉。本发明通过引入瓜尔豆胶为反应离子分散剂、柠檬酸为 粒子表面改性剂，在液相化学还原法下制备得到平均粒径 D50 为 1.0-3.0μm 的银粉，并兼顾
华中科技大学
2021-04-14