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微波诱导等离子体离子迁移谱仪
本实用新型公开一种微波诱导等离子体离子迁移谱仪，包括离子源、进样管、漂移管、气路系统、信号放大采集与数据处理系统，离子源为微波诱导等离子体离子源，微波诱导等离子体离子源包括微波功率发生器、微波耦合腔和放电管，微波功率发生器连接微波耦合腔，微波耦合腔连接放电管，放电管前方设有加速电极，进样管连接漂移管，放电管连接漂移管，气路系统、信号放大采集与数据处理系统均连接漂移管。本实用新型能够提高离子迁移谱仪的灵敏度，拓宽离子迁移谱的应用范围，提高离子迁移谱的稳定性及使用寿命，有效地避免样品离子碎片的生成。
四川大学
2017-12-28
直流绝缘子离子迁移试验测试系统
随着直流输电线路电压等级越来越高，直流绝缘子的绝缘性能对电网安全愈显重要。在高电压作用下直流绝缘子电介质中会发生离子迁移，从而导致直流绝缘子的绝缘性能下降和老化，严重威胁到电网的安全运行。国内外文献表明，通过对直流绝缘子进行离子迁移试验，可以评价其绝缘性能。大连理工大学特种电源及自动化团队以多年从事的高电压及绝缘技术的技术积累和研究成果为基础，借助多学科交叉优势，将高电压及绝缘技术、小信号测量技术和计算机技术有机的结合，研制出直流绝缘子离子迁移试验测试系统，系统具有高压设备自身泄露电流小、输出电压精度高，纳安级泄漏电流测试，系统绝缘性能好，试验环境的温度、湿度控制精准，被测对象数量多、试验时间短等特点。已有二套系统投入使用，分别为大连电瓷集团和浙江金利华电气有限公司的绝缘子绝缘性能测试系统。
大连理工大学
2021-04-13
固相离子迁移的原位可视化研究
近日，中国科学技术大学俞书宏院士团队与上海交通大学邬剑波教授以及中科大工程学院倪勇教授等开展多方合作，提出并设计了一种利用原位ChemTEM方法定量研究共组装纳米线之间的固相离子迁移过程的新策略（图1）。相关成果发表在《美国化学会志》杂志上。
中国科学技术大学
2021-01-12
痕量爆炸物离子迁移谱检测仪
已有样品/n本项目团队经过数年科技攻关， 发明了等离子体源离子迁移谱检测技术， 自主研制的非放射源离子迁移谱检测仪器， 已通过了电磁、 高低温、 高温高湿、 震动冲击、 软件评估、 性能等第三方严格测试。 探测炸药种类、 灵敏度、 检测时间以及准确性等技术指标， 达到或超过欧美同类产品先进水平， 并且设备使用耗材价格低廉。痕量爆炸物离子迁移谱检测仪， 适用于机场、 轨道交通、 地铁、 车站、 码头、 邮政和海关等安检部门使用。
中国科学院大学
2021-01-12
关于原位电子显微学法研究锂电池离子迁移的方法
包括Li离子在SnS2中的迁移(Nano Lett 16， 5582，2016），Na离子在SnS2中的迁移(Nano Energy 32, 302，2017)，Na离子在MoS2中的迁移(ACS Nano 9， 11296，2015)。这些具有van der Waals相互作用的二维材料，不仅仅展现出了优异电学、力学、光学性能，也是重要的能源存储材料。作为电池电极材料，van der Waals相互作用系统的最主要特征就是层间相互作用很弱，碱金属离子能够比较容易地在其中发生迁移。他们的研究发现，在二维材料中离子插入和拔出的反应路径是不对称的，这种不对称的反应路径对应着充放电过程中不对称电压平台。该研究揭示了这些层状锂电池电极材料中低能量效率的一个根源。
北京大学
2021-04-11
移动监控与业务迁移
南京邮电大学
2021-04-14
关于钙钛矿太阳能电池中光增强的离子迁移现象的研究
利用实验室自行搭建的温度，光强，电场三场共同调制的集成测试系统，对CH3NH3PbI3薄膜进行了变温(17-295K)和不同光强(0-20mW/cm2)下的恒电流测试，发展了一整套将钙钛矿材料中的电子电导与离子电导分离开来的方法。通过系统和定量分析，得到了CH3NH3PbI3在不同光强下离子迁移的活化能数据。发现随着光强的增强(从0增大到20mW/cm2)，活化能降低了五倍左右(0.82 to 0.15eV)。这强有力的证明了离子迁移在光照下得到了显著增强，而离子迁移的增强会导致更多的缺陷态产生，从而导致电池效率的下降。
北京大学
2021-04-11
高迁移率沟道MOS 器件
已有样品/nCMOS 研究团队创新性地在high-k/InGaAs 界面插入极薄外延InP 层， 将high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之间。通过采用多硫化氨[(NH4)2Sx]对InP 进行表面钝化处理并结合低温原子层高k 介质沉积技术，有效抑制了在介质沉积以及金属化后退火过程中的表面氧化和磷原子脱附效应，成功将high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中国科学院大学
2021-01-12
工程化迁移体及其制备方法和用途
1.痛点问题
药物递送一直是全球药物研发的热点领域，本项成果开发了一种工程化迁移体平台（E-migrasome），与现有解决方案相比具有独特的技术优势，可解决现有技术存在的靶向递送效率差、成本高昂、诊断和治疗效果不佳等问题。此外，E-migrasome平台可改造性高，大小、膜上靶向物质都可按需要递送的药物和需要靶向的细胞进行调整，实验设计灵活、应用场景广泛。
2.解决方案
本项成果开发了一种工程化迁移体平台（E-migrasome）。该技术主要是将加速迁移体产生的物质转染到特定细胞，构建稳定细胞株，随后采用专利技术处理细胞，诱导其在收缩丝上快速形成大量的微米级囊泡（即工程化迁移体）。荷载物质可以通过转染细胞，伴随着迁移体的产生，会进一步定位到迁移体内部，或被呈递到表面，或通过特定工艺装载到生产出的空迁移体中。最后，通过分离纯化带有载荷的工程化迁移体。根据荷载与受体的结合特性，工程化迁移体可作为递送平台，将荷载物质靶向递送至特定位置发挥功能。
3.合作需求
本项目正在寻求合作伙伴，包括风险资本、制药企业等。
清华大学
2022-10-12
超高迁移率二维半导体BOX
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。
北京大学
2021-04-11