高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
极深紫外光源与纳米器件制造
徐永兵课题组于2014年启动了国家重大仪器研究计划(飞秒级时间分辨并自旋分辨电子能谱探测系统,项目编号61427812)。此项目就是旨在建立国内第一套极深紫外的光源系统。目前已经成功地在实验室中,实现了波长为120~24 nm左右的脉冲光源,脉冲重复频率为1kHz,单个脉冲为30fs。单个光子能量最大到50 eV左右,亮度为1 ´ 1011光子/s。从光
南京大学 2021-04-14
纳米结构光电器件
中试阶段/n该项目是采用纳米级别的加工制造技术制作具备纳米级尺度并且带有一定功能的光电子器件。纳米光电子器件的工作效率更快,能耗更低,具备强大的信息储存量,且体积和重量明显的变小。随着光电器件在通信、照明、传感器等领域上的运用,纳米光电器件的制备技术已经受到越来越重要的关注。该项目实现了一种低成本、大面积、易操作、高效的纳米结构制备工艺方法,可实现在各种材料表面纳米结构(50-500nm 直径纳米孔、纳
华中科技大学 2021-01-12
微纳米光纤及其相关新型器件
微纳米光纤,具有一系列独特的优点:大的消逝场;高的非线性,极低的损耗;容易弯曲成环等不同的几何形状。我校在本应用领域主要研究选择合适的光纤材料和介质棒材料,探讨微纳光纤在生物、通信、传感和激光等领域的应用:优化微纳光纤探针的设计,制备低成本的超短的极低损耗的微纳光纤探针用于低功率粒子捕获;制备基于单环谐振器的传感器;制备基于多环谐振器的应用型器件如高灵敏度微传感器或者可调谐器件等,探讨其它新型的应用。理论上主要研究微纳光纤谐振器的线性和非线性特性,对
南京大学 2021-04-14
一种薄膜型LED器件及其制造方法
本发明公开一种薄膜型LED器件及其制造方法,本发明器件包括:薄片型线路基板,免金线倒装结构LED芯 片以及一层透光保护膜。本器件LED芯片为倒装结构,芯片电极通过共晶焊接方式固定于薄片型基板,实现免金线键合的电气互联,一层透光保护膜覆盖于芯片和 基板表面。本发明公开的LED器件电极位于器件底部,易于实现表面贴装技术。本发明公开器件厚度在0.25-0.6mm之间,具有厚度薄,体积小,发光角 度大,光效高,可靠性高,制造工艺简单,生产效率高,成本低等诸多优点,适合大功率及普通功率LED封装,可广泛应用于照明、显示等领域。截至目前,已累计创造产值超过33.66亿元,新增利润2.60亿元。2017年,以本专利技术为核心的科技成果“半导体发光器件跨尺度光功能结构设计与制造关键技术”获得广东省人民政府颁发的广东省科技进步一等奖,并且本专利获得中国专利优秀奖。
华南理工大学 2021-04-10
新型多门控超导纳米线逻辑器件
为了追求极限性能,越来越多的电子系统需要在低温条件下工作。例如,在量子计算机、高性能传感器、深空观测以及一些经典信息处理系统中,通常使用工作温度为2K甚至是mk温区的低温器件,从而在噪声、速度和灵敏度等方面实现接近量子极限的性能。对于这一类低温系统,信号读取与处理通常采用两种方式:第一种是采用超导数字电路SFQ(单磁通量子技术)来实现高性能计算和处理;第二种是将信号传送至几十K的温区,再采用低温CMOS技术对进行信号处理。然而,不论采用何种技术路径,数字电路的功耗都必须控制在极小范围之内,从而保持极低温的工作环境,维持低温器件的高性能。随着应用需求的提高和低温阵列器件规模的扩大,低温电子系统性能受到信号处理和传输技术的制约,急切需要新的方案进行解决。 图1. (a) 采用超导纳米线结构实现的12门控或逻辑门;(b) 超导纳米线数字编码器芯片照片。针对此问题,南京大学吴培亨院士领导的超导电子学研究所团队,赵清源教授和康琳教授课题组设计出新型多门控超导纳米线逻辑器件(superconducting nanowire cryotron, nTron),并利用此器件搭建经典二进制数字编码器;在1.6K的温度下,成功实现数字信息编码,总功耗小于1微瓦(10-6瓦)。同时,他们还利用此编码器对超导纳米线单光子探测器阵列实现数字化读出,为低温阵列探测器的信号读出和处理提供第三种解决方案。图2. 超导纳米线逻辑芯片实现对单光子探测器阵列的数字化读取。半导体数字电路,经历了从电子管、晶体管、混合集成电路至大规模集成电路的发展过程。每一代技术的升级变革,其核心推力都是基础逻辑器件的更新换代。前沿技术领域对超导电子器件的应用需求,也正将超导电子技术推向数字化的发展时代。南京大学吴培亨院士团队基于超导纳米线技术,开展了新型超导逻辑器件(nTron)的研究工作。nTron为单层平面器件,利用局部超导相变,实现高速低功耗的开关逻辑。
南京大学 2021-04-11
新型硅基环栅纳米线MOS 器件
已有样品/n在主流硅基FinFET集成工艺基础上,通过高级刻蚀技术形成体硅绝缘硅Fin和高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀SiO2相结合,最终形成全隔离硅基环栅纳米线MOS器件的新方法。并在取代栅中绝缘硅Fin释放之后,采用氧化和氢气退火两种工艺分别将隔离的“多边形硅Fin”转化成“倒水滴形”和“圆形”两种纳米线结构。
中国科学院大学 2021-01-12
一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法
本发明属于光电器件制备技术领域,具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括:在铌酸锂表面制备金属钝化层,用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角;沉积硬掩膜,并采用微电子光刻技术进行图形化处理;在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜,以提高刻蚀深度;将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火;然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物,得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控,保形性和重复性好,侧壁倾斜角大于80°,图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单,难度低,可降低大规模生产成本。
复旦大学 2021-01-12
超声纳米烧结快速实现高功率器件的封装互连
针对汽车电子、5G通讯基站、航空航天及电力电子设备等功率电子元器件难以在高温、大电流/电压、潮湿等恶劣工作环境下服役的难题,并且要求芯片封装互连接头尺寸更小、高温稳定性更好、可靠性更高,本团队首次采用超声辅助纳米烧结的新型互连工艺,利用纳米银包铜颗粒作为焊料,成功获得大功率器件高温高可靠服役要求的互连接头,为高功率芯片贴装高导热界面制造提供了新材料和新工艺。
哈尔滨工业大学 2021-04-14
微/纳米纤维制造及其高效真空绝热复合技术
目前我国钢铁、石化、核工业等高温设备和管道保温材料,如玻璃棉、岩/矿棉、陶瓷纤维毡等无机保温材料,导热系数高(0.037~0.05W/(m•K))、保温节能效果差;我国建筑和交通运输领域使用的聚苯乙烯、聚氨酯等有机保温材料(导热系数0.024~0.03W/(m•K)),耐温阻燃性能差,严重火灾频繁发生,安全隐患突出。针对钢铁、石化、核反应堆等高温工业领域对高性能保温绝热材料及其结构功能一体化的迫切需求。已提出微纳米纤维玻璃棉/低气体渗透膜材真空绝热复合材料结构设计及制备工艺方法,研发高速离心喷吹技术制备微纳米纤维玻璃棉芯材,并将芯材和HDPE/PET/Al/PA复合膜材真空封装。
南京工业大学 2021-01-12
高光溢出效果半导体纳米晶器件微结构的构筑
本成果以原有的直写型3D打印技术为基础,通过对于现有3D打印技术的进一步开发,实现简便,高效的微结构构筑技术。实现微结构纳米晶器件的高效构筑,进一步提升器件的光溢出效率。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、技术分析 成果源于国家自然科学基金“异价掺杂量子点的合成、聚合物基复合块体3D打印制造与性能研究”,项目编号51872030。本成果以原有的直写型3D打印技术为基础,通过对于现有3D打印技术的进一步开发,实现简便,高效的微结构构筑技术。实现微结构纳米晶器件的高效构筑,进一步提升器件的光溢出效率。传统发光器件由于器件材料的折射率高于空气,光从器件内部向空气传播时,部分光会在器件的内表面发生全反射,从而无法实现高效的光溢出效果。2017年,Nature Photonics上报道的块体荧光器件内部发出的光大量的在器件边缘聚集(75%),正面与背面光溢出量的总和仅仅为25%(Nature Photonics, 2017,11,177-185.)。本成果以器件内部微结构构筑为基础,通过微结构在器件内部的全反射界面构筑,改变光在材料内部的传输路径,实现器件正面的光溢出效果增强。 本专利的高光溢出效果可以广泛的应用于激光器、LED照明领域,提升能源利用效率。目前本专利可以将块体材料单侧约为~25%的溢出效率提升至~80%,约为3.2倍的提升。保守估计将此技术用于实际器件中,可以实现2倍以上的提升,这就意味着对于能源的消耗可以降低至原有的50%。照明约占全球能源消耗的15%-19%,全球温室气体排放的5%-6%。据统计2021年,全球照明市场总市值达到8089亿元。照明技术是任何一个国家与地区都不可或缺的,高效的照明技术不仅可以为解决全球的能源危机提供有效解决途径,同时为减少碳排放作出巨大贡献,产生巨大的经济效益。
北京理工大学 2022-08-17
1 2 3 4 5 6
  • ...
  • 151 152 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1