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难加工材料的高效特种切削加工技术（技术）
成果简介：具有对新型高硬超高强度钢、不锈钢、新型复合材料、钨合金、硅铝合金和灰铸铁的精密高效切削工艺和刀具成套技术。开发了能对FMS的刀具管理和可靠性寿命进行预报，对金刚石涂层刀具薄膜与基体结合强度、新型刀具材料切削性能进行分析的系统软件以及高速孔加工刀具CAD软件系统。切削高硬超高强钢的速度可达150m/min，切削不锈钢的速度可达200m/min，提高生产效率30%。 项目来源：自行开发 技术领域：先进制造 应用范围：以难加工材料为对象的机械加工或刀具
北京理工大学
2021-04-14
电控气动同步换档的行星变速箱技术（技术）
成果简介：单一速比的减速器无法同时满足各种工况下车辆对动力性和经济性的要求。采用多档变速箱的传统车辆需要离合器和换档机构等装置，系统复杂。上述的新型电机及其控制系统具有大转矩起动和高效工作区宽广的优点，为取消换档离合器，简化换档操作提供了前提，也为采用线控行星变速器提供了理论依据。因此，自主设计了大功率无离合器线控变速器，可实现线控自动换档，既操作简便，又满足了电动车辆爬坡和起步加速时对大转矩的需求。 项目来源：自行开发 技术领域：先进制造 应用范围：电动
北京理工大学
2021-04-14
光机热一体化设计技术（技术）
成果简介：在航空航天领域，光电仪器受温度影响会产生像移，成像质量会 变差，影响探测。本技术将光学设计、结构设计、有限元分析、光学表面自由曲面面型拟合结合起来，可以分析在恒温和瞬态温度变化的情况下，成像 质量的变化，进而给温控提供准确的技术方案和技术途径。 项目来源：横向项目 技术领域：信息技术 应用范围：航空航天光电探测领域 现状特点：国内领先 技术创新： 本技术将光学设计、结构设计、有限元分析、光
北京理工大学
2021-04-14
等离子体处理危险废物技术、废气技术
利用大功率等离子体处理危险有害的废弃物和一般的焚烧方式大不一样，等离子体火炬的中心温度可高达摄氏2～3万度，火炬边缘温度也可达到3千度左右。当高温高压的等离子体去冲击被处理的对象时，被处理物的分子、原子将会重新组合而生成新的物质，从而使有害物质变为无害物质，甚至能变为可再利用的资源。
科利尔（青岛）环境技术有限公司
2023-03-03
煤矿井下 煤矿井下 静态 破碎 开挖技术 技术
静态破碎开挖技术是利用装在炮眼中的静态破碎剂的水化反应，使晶体变形，产生体积膨胀，从而缓慢地和静静地将此膨胀压力施加给炮眼壁，由于受到炮眼壁的约束，这种膨胀压力转化为拉伸应力，产生拉应变。当炮眼壁的拉应变超过材料的极限拉应变时，炮眼壁开裂、破碎。
静态破碎剂性能可靠，破裂速度较快，破碎效果好，施工简单方便，安全性好，不影响周边其他工作，在环境复杂不宜采用爆破方法的特殊部位，比如靠近煤层的地点，或是附近有管道、设备等，采用静态破碎技术可以提高施工速度，减低工人劳动强度，做到安全施工，具有显著的社会效益和经济效益。
安徽理工大学
2021-04-13
第六届科技赋能教育系列报告活动——高等教育赋能新能源产业发展论坛在重庆举办
11月15日，第六届科技赋能教育系列报告活动——高等教育赋能新能源产业发展论坛在重庆举办。重庆市教育委员会民办教育处处长陈明政、副处长张淮、一级调研员田静，我校副校长张文礼、杨志刚，道简优行（重庆）科技有限公司总经理金庭安出席会议。论坛由重庆交通职业学院智能制造与汽车学院院长程鹏主持。
重庆交通职业学院
2024-11-21
专家报告荟萃㉒ | 成都理工大学副校长曾英：资源能源领域一流人才培养的思考与探索
教育部对双一流建设八年来的成效进行了总结，包括人才培养能力、高水平科技自立自强、师资队伍建设以及教育国际影响力等方面的显著提升。然而，我们也要清醒地认识到，未来的高等教育发展必须超越极限，打破原有路径与习惯的依赖，坚持创新，构建高等教育发展的新模式、新范式。
中国高等教育博览会
2025-02-11
人才需求: 高分子材料专业人员，对高分子材料改性有工作经验的最好。
1、 高分子材料专业人员，对高分子材料改性有工作经验的最好。2、 设备自动化或智能化面的专业人员，提高传统生产线的自动化和智能化水平，减少对人员的依赖性，提高设备的综合技术水平。
肥城联谊工程塑料有限公司
2021-09-01
人才需求：1、基础研究人才。2、化工工艺人才。3、高端化工设计人才。4、工艺设计人才。
1、基础研究人才。2、化工工艺人才。3、高端化工设计人才。4、工艺设计人才。
山东硅科新材料有限公司
2021-09-01
系列高压集成技术
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。具体包括： 硅基：（1）超低比导通电阻700V单晶型BCD工艺；（2）600V外延型BCD工艺；（3）1200V外延型BCD工艺；（4）48V高功率BCD工艺；（5）40V高压双极型工艺。 SOI基：（1）600V 厚层SOI BCD工艺；（2）650V薄层SOI高压CDMOS工艺；（3）300V薄层SOI高压CDMOS工艺；（4）200V薄层SOI高压CDMOS工艺；（5）100V薄层SOI高压CDMOS工艺；（6）40V薄层SOI高压CDMOS工艺；（7）-200V SOI高压CDMOS工艺；（8）-100V SOI高压CDMOS工艺。
电子科技大学
2021-04-10