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一种双波段薄膜光探测器及其制备方法
本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并公开了一种双波段 薄膜光探测器，包括基底薄片、第一电极层、第一 WSe2 层、石墨烯 层、第一 MoS2 层、第二电极层、介质层、第二 WSe2 层、第三电极 层、第二 MoS2 层和第四电极层,第一电极层设置在基底薄片上;第一 WSe2 层铺设在基底薄片和第一电极层上;石墨烯层设置在第一 WSe2 层上;
华中科技大学
2021-04-14
PT100型号薄膜铂电阻低温温度计PI封装
北京锦正茂科技有限公司
2022-03-26
PT100型号薄膜铂电阻低温温度计低温实验
北京锦正茂科技有限公司
2022-06-13
一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器
一种磷硅镉单晶体的制备方法，以富磷CdSiP2多晶粉末为原料，工艺步骤为：（1）生长容器的清洗与干燥；（2）装料；（3）将装有生长原料并封结的双层坩埚放入三温区管式晶体生长炉，然后将生长炉的高温区和低温区以30~60℃/h的速率分别升温至1150~1180℃、950~1050℃，并保持该温度，继后调节梯度区的温度，使温度梯度为10~20℃/cm，当所述生长原料在高温区保温12~36h后，控制双层坩埚以3~6mm/day匀速下降，当双层坩埚下降到低温区并完成单晶生长后，使其停止下降，在低温区保温24~72h，保温时间届满，将高温区、梯度温区、低温区的温度同时以20~60℃/h降至室温。一种单晶体生长容器，由内层坩埚和外层坩埚组成，内层坩埚与外层坩埚之间的环形腔室内加有调压用CdSiP2多晶粉末。
四川大学
2021-04-11
一种制备基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料的方法
本发明公开了一种制备基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料的方法，采用二氧化硅胶体微球作为模板，并将其置于反应管中，加入预凝胶A反应、聚合后，去除二氧化硅胶体微球，制得反蛋白石骨架，将预凝胶B加入该骨架中反应、聚合20～60s后，即制得混合光子晶体，随后配制叶酸?二甲基亚砜混合溶液，加入1?(3?二甲氨基丙基)?3?乙基碳二亚胺盐酸盐，混合光子晶体和N?羟基琥珀酰亚胺反应后，洗涤，即可制得该复合材料。本发明的显著优点为制法简单容易，对设备要求低，制得的复合材料稳定性强，具有优越的生物兼容性和磁性响应性，能够特异、灵敏、简单、有效地抓捕到髓性白血病耐药细胞，并使得耐要细胞株具有良好的生物活性。
东南大学
2021-04-11
一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉
本发明公开了一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，包括绝热外壳及设置在绝热外壳内的生长室，生长室设置有坩埚，绝热外壳的外部设置有用于对坩埚进行加热的主电磁感应线圈，主电磁感应线圈的下方设置有副电磁感应线圈，主电磁感应线圈和副电磁感应线圈之间存在间距，有多根底部进气管和多根中部进气管平行伸入绝热外壳内，绝热外壳的顶部设置有气流出口，气流出口作为籽晶杆移动通道，绝热外壳内设置有用于削弱辐射传热的可伸缩遮热板和用于调整
华中科技大学
2021-04-14
一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法
本发明公开了一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法，采用 化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的 SnSe2 晶 体；其中，沉积设备为水平管式炉，顺序设有上游低温区、中心温区 以及下游低温区，所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低 温区，所述衬底放置于下游低温区；利用不同温区的温度差，单质硒 蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区；两者反应生成 SnSe2，并通过 沉积载气带入下游温区，在衬底上沉
华中科技大学
2021-04-14
一次性预充式 即配制含特定量肝素封管液 的封管器
小试阶段/n本实用新型设计了一种一次性预冲式即配制含特定量肝素的封管器。。注入病人体内的前段为生理盐水，后段为即时配置好的只够充斥病人留在体内和体外留置管道的（因配置好的肝素液不可长时间存放，所以本实用新型利用其特征，可让充斥管道的肝素液现配现用）的肝素液，这样既不会因为只用生理盐水封管而造成的栓子形成和堵管，也不会因为肝素量过大（因为充斥病人管道的肝素液量非常小，只需要约0.5ml）而导致不必要的使用和病人凝血功能方面的安全隐患.
武汉大学
2021-04-11
不锈钢/碳素钢复合管
本项目采用投资最小和工艺最简单的焊接——拉拔复合工艺生产不锈钢/碳素钢复合管，具有投资小、成本低、产品范围广、质量稳定、成才率高等优点。该产品在研发过程中，攻克了临界变形量、轧头优化等关键技术，实现了碳素钢与不锈钢之间的良好结合，综合了二者的优势，工艺技术处于国内领先水平。由于不锈钢/碳素钢复合管是替代不锈钢管和镀铬钢管的节省镍铬的环保型新材料，市场前景十分广阔。
安徽工业大学
2021-04-30
碳纳米管的结构控制制备方法
由于高温下催化剂的聚集和失活，无法获得高密度碳管水平阵列，就提出了“特洛伊”催化剂的概念，解决了催化剂聚集的难题，实现了密度高达 130 根 / 微米（局部大于 170 ）碳管水平阵列的生长（ Nat. Commun. , 2015, 6, 6099 ）。为了进一步实现碳纳米管的结构控制，他们发展了双金属催化剂（ J. Am. Chem. Soc. , 2015, 137, 1012 ）、半导体氧化物催化剂（ Nano Lett. , 2015, 15, 403 ）和碳化物催化剂（ J. Am. Chem. Soc. , 2015, 137, 8904 ），实现了不同结构碳纳米管的控制生长。通过对生长的过程的调控，实现了密度大于 100 根 / 微米半导体含量大于 90% 的碳管阵列的生长（ J. Am. Chem. Soc. , 2016, 138, 6727 ）和小管径阵列单壁碳纳米管的生长（ J. Am. Chem. Soc. , 2016, 138, 12723 ）。
北京大学
2021-04-11