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一种方便调节的调石板升降螺丝
本实用新型公开了一种方便调节的调石板升降螺丝,包括升降螺丝本体,所述升降螺丝本体的内部中间位置设置有伸缩槽。本实用新型对升降螺丝进行升降操作时,需要将控制杆用力按下,弹簧被压缩,控制杆顺着凹槽移动一段距离,带动与控制杆铰接的连杆移动,由于连杆中部与支杆铰接,则连杆的另一端反向移动,限位凸起被连杆带动移出卡孔,限位凸起不再与卡孔配合定位,螺杆可以自由在伸缩槽中上升或下降,在调节长度时松开控制杆,控制杆因磁石原因不会动作,当调节高度完成,只需要将拉环向外拉,磁石之间分开,限位凸起受到弹簧的复位弹力而自动
安徽建筑大学 2021-01-12
一种耕深自动调节式微耕机
本实用新型公开了一种耕深自动调节式微耕机,包括支架(8),关键在于:所述支架(8 )上设置有耕 深调节装置,耕深调节装置包括设置在微耕机底部的带有连接杆的限深支撑板(5),耕深调节杆(4 )穿过 限深支撑板(5 )与直流电机(2 )连接,耕深调节杆(4 )上设置有耕深检测装置,根据耕深检测装置的耕 深信号,通过控制器控制直流电机(2 )对耕深调节杆(4 )进行上下调节。本实用新型对耕深实现自动调 节,稳定旋耕深度。控制器通过耕深检测装置实时检测旋耕深度来控制直流电机(2 )的旋转方向,从而使耕 深调节杆(4)相对限深支撑板上下移动,实现耕深的自动调节,增加了微耕机的自动化程度,提高工作效 率,减轻操作人员的劳动强度。
西南大学 2021-04-13
一种耕深自动调节式微耕机
本实用新型公开了一种耕深自动调节式微耕机,包括支架(8),关键在于:所述支架(8 )上设置有耕 深调节装置,耕深调节装置包括设置在微耕机底部的带有连接杆的限深支撑板(5),耕深调节杆(4 )穿过 限深支撑板(5 )与直流电机(2 )连接,耕深调节杆(4 )上设置有耕深检测装置,根据耕深检测装置的耕 深信号,通过控制器控制直流电机(2 )对耕深调节杆(4 )进行上下调节。本实用新型对耕深实现自动调 节,稳定旋耕深度。控制器通过耕深检测装置实时检测旋耕深度来控制直流电机(2 )的旋转方向,从而使耕 深调节杆(4)相对限深支撑板上下移动,实现耕深的自动调节,增加了微耕机的自动化程度,提高工作效 率,减轻操作人员的劳动强度。
西南大学 2021-04-13
揭示Kindlin-2调节脂肪组织发育机制
Kindlin-2是一种具有重要生物学功能的黏着斑蛋白,然而Kindlin-2在脂肪组织中的作用尚不明确。在此次的研究中,团队首次以脂肪组织特异性敲除小鼠为实验动物模型,研究了在生理和高脂肪饮食条件下Kindlin-2在脂肪组织中的作用。
南方科技大学 2021-04-14
一种原子力探针位姿调节装置
本发明公开了一种原子力探针位姿调节装置,包括探针座,调节 机构和连接头。其中探针座用于原子力探针的安装固定;调节机构包 括由下至上的第一调节部件、第二调节部件、第三调节部件、第四调 节部件以及第五调节部件,分别用于原子力探针的里外水平偏摆、左 右水平、上下旋转、上下俯仰以及上下竖直位姿调节;连接头用于与 原子力探针测量系统的显微物镜相连。本发明能够实现原子力探针任 意姿态的细微调节,各个调节动作相互独立,互不影响,提高了探针 姿态的调节精度;且能够对调节后的位姿进行锁定,使其保持稳定, 进一步保证原子力探针测量系统的稳定性和精度。 
华中科技大学 2021-04-11
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体,又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法(CVT 法)。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 (3.4W/cmK),与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学 2021-01-12
有机气敏薄膜生长调控与敏感机理研究
本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究,提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域,为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径,同时建立了传感器微观响应模型,对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇,SCI他引905次,均为正面引用,研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项,授权29项,研制出了灵敏度高、响应快(<
电子科技大学 2021-04-14
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下,大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术,获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像,以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制,通过抑制熔体的热对流和温度波动,降低熔硅与石英坩埚的反应速率,控制氧的浓度和分布,从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点:(1)结合覆盖剂的应用,获得不同磁场下,硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律;(2)在磁场作用
南京航空航天大学 2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延, 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶,而高真空环境减少沉积过程中的能量损失,配合上合适的沉积温度 和退火温度,能够改变 ZnO 的择优生长方向,使得 ZnO 优先于面内生长,改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学 2021-04-14
一种微向下提拉晶体生长炉
本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉,包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13),底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4),观察孔(4)呈管状,其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为 45°~60°;内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为 1:9 的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况;并且,该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小,能够
华中科技大学 2021-04-14
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