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一种密闭标记室内置可控CO2发生装置
本实用新型提供了一种密闭标记室内置可控CO2发生装置，该装置包括酸液储罐、碱液储罐和反应皿，所述反应皿的侧壁固定连接安装耳，所述安装耳上插接有紧固螺栓，所述安装耳通过紧固螺栓紧固安装在标记室的内腔顶部，所述反应皿的外壁靠近其开口处开设有多个气孔，所述酸液储罐、碱液储罐的底部均固定连接有支架，所述支架远离酸液储罐、碱液储罐的一端于标记室固定连接，所述酸液储罐、碱液储罐的底部分别插接有酸液管和碱液管，
青岛农业大学
2021-01-12
益生优良芽孢杆菌发酵关键技术研究开发与应用
成果简介： 益生芽孢杆菌因其独特的优势可用来制成新型、高效、低残留的微生态制剂，广泛应用于工业、农业、医学等科学研究领域。目前，国内外益生芽孢杆菌产业化关键技术存在诸多问题。如：活菌数低、出芽率低、货架期短、生产工艺研究不够深入、产品稳定性差等。 项目组在完成系列国家及省部级项目
南京工业大学
2021-01-12
益生优良芽孢杆菌发酵关键技术研究开发与应用
益生优良芽孢杆菌是一类能对热、紫外线、电磁辐射等有强抗性的微生物。其独特优势可用来制成新型、高效、低残留的微生态制剂，广泛应用于工业、农业、医学等研究领域。目前，国内外益生芽孢杆菌产业化关键技术存在诸多问题。如：产品中活菌数低；有效期内活菌含量低造成货架期短；研发与生产脱节，研发单位工程技术应用相对滞后。针对当前问题，本技术攻克了芽孢杆菌发酵集成技术，包括： （1）N+离子诱变结合荧光探针追踪：利用低能离子注入技术对芽孢杆菌进行改良，筛选出性状优良的菌种。通过荧光探针追踪芽孢杆菌培养
南京工业大学
2021-04-14
人才需求：高分子材料专业，硕士研究生学历
高分子材料专业，硕士研究生学历
山东顺凯复合材料有限公司
2021-08-31
张春生一行到中国高等教育学会调研
12月5日上午，民政部党组成员、副部长张春生一行6人到中国高等教育学会调研，走访学会各部门及直属单位，参观了学会文化墙和读书厅，与工作人员亲切交谈，了解工作情况。
中国高等教育学会
2023-12-07
12V50W迈瑞L9389生化仪灯泡
产品详细介绍12V50W迈瑞L9389生化仪灯泡category: Specialty volt: 12 amp: 4.17 watt: 50 base: GY9.5 - Prefocus, 2-pin; round 3.2mm & 2.4mm9.53mm centered, Ceramic Base(found on high voltage bulbs) glass: T12mm filament: C6 fil.res.: 2.88 ohm m.o.l.: 2.36 inch (59MM) l.c.l.: 1.31 inch (33MM) burn pos: burn lamp in ANY position i.lumens: 900 cp: 72 cri: 99 color temp: 3000 d.hours: 2000 notes: clear glassPartNo. Volts Amps Lumens CCT Burning Position Filament Type D MOL LCL Base Type L9389 12.00 4.17 900 3000 Any C-6 12 60.00 33.30 GY9.5 L9404 12.00 1.67 300 2900 Any C-6 11 55.00 30.30 GY9.5
东莞市毅迈光源照明有限公司
2021-08-23
纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的制备
氧化铟锡（indium-tin-oxide）简称ITO，ITO靶材是一种功能陶瓷材料，主要用于制造ITO透明导电膜玻璃。以金属铟、锡为原料采用共沉淀法制备出纳米级ITO复合粉体。粉体造粒成型后分别采用加压和常压烧结法制备出相对理论密度大于99.5%、氧化铟单一相的ITO靶材。 粉体纯度大于99.99%、颗粒分散性好，粒径10nm—80nm之间可控，BET比表面积30~60m2/g ，In2O3:90.0±0.5%，SnO2: 10.0±0.5%；ITO靶材相对理论密度99.5%。 威海市蓝狐特种材料有限公司已采用该技术建设年产20吨纳米级氧化铟锡复合粉体生产线，采用该粉体烧制的ITO靶材相对理论密度达到99%以上。国内相对理论密度大于99%的ITO靶材主采用进口产品。 金属铟、锡是我国的优势资源，生产设备都是定型通用设备，年产20吨纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的生产厂需要人员50名。纳米级氧化铟锡粉体制备已建设年产20吨生产线。高密度ITO靶材的制备已完成实验室小试。
北京化工大学
2021-02-01
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。
传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。
本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。
大连理工大学
2021-05-10
单畴超导块材Gd-Ba-Cu-O 的制备与其超导性能的研究
直径为25 mm的YBa2Cu3O7-δ(Y123)单畴超导块材在温度为77K时，捕捉磁场高达4 T；而在29 K时，捕捉磁场甚至达17 T，优越的性能促进了该类超导材料在电机、发电机、工业污水处理、医学核磁共振等方面的应用研究。
本课题以通过熔融织构方法生长高性能的单畴超导块材作为研究对象，选择合适的单相氧化物作为第二相生长GdBa2Cu3O7-δ超导块材。在制备的高质量系列样品的基础上，通过低温磁性测量分析临界电流密度随温度及掺杂量的变化曲线；分析微观结构，揭示第二相、缺陷等对超导性能影响的原因。以期找出提高超导块材性能的合理生长方法，对其微观机制给出尽量圆满的解释。这也为澄清与当前超导材料前沿课题紧密相关的一些基本问题的理解提供基础研究资料。
该项目已获国家自然基金项目立项支持。
上海电力大学
2021-04-29
一种基于陶瓷材料的增材制造成形装置及方法
本发明公开了一种基于陶瓷材料的增材制造成形装置，其特征 在于，该装置包括：光固化机构、传动机构以及挤出回抽机构，所述 光固化机构设于所述挤出回抽机构的一端，所述传动机构设于所述挤 出回抽机构的另一端；其中，所述光固化机构包括调光器(15)、紫外线 灯固定盘(16)和紫外固化灯(17)；所述挤出回抽机构包括喷嘴(1)、喷嘴 连接件(2)、螺杆(3)、料筒(4)及料斗(6)；所述传动机构包括电机(12)和 联轴器(11)
华中科技大学
2021-04-14