（1）高强度Cu-Ni-Si系铜合金项目开发的Cu-Ni-Si系铜合金带材最终性能可以达到指标:导电率55-59%IACS，强度σb=551-621MPa，显微硬度153-184HV，延伸率δ≥8%。其强度水平为目前引线框架材料中最高的。 （2）高强高导的Cu-Cr-Zr合金系。在国家自然科学基金的支持下，开展了对Cu-Cr-Zr-Mg和Cu-Cr-Zr合金组织转变规律的研究，首次发现Cu-Cr-Zr-Mg合金在470℃时效形成了具有Fm3m点群的超点阵CrCu2(ZrMg)；同时存在体心的Cr相和面心的Cu4Zr相。高温550℃时效析出相完全转变为Cr和Cu4Zr。Cu-Cr-Zr合金在时效初期形成Cu5Zr相，时效峰值状态析出相为Cu5Zr相和体心立方的Cr，且析出相与基体保持着共格关系。所获带材具有高的硬度、强度及导电率，分别可达190HV、600MPa及84%IACS，而带材的延伸率和软化温度分别可达9.4%及578℃，满足了高强度和高导电引线框架铜合金的性能，为工业化生产提供了重要依据。

非晶合金（又称金属玻璃）是一种结构/功能一体化新型金属材料，被誉为继钢铁、塑料之后的第三次材料工业革命性材料。非晶合金因其特殊的原子结构（长程无序）而拥有一系列独特的性能，如非晶合金是地球上最强和最耐腐蚀的金属材料；非晶合金具有高耐磨性能以及优异催化降解性能等。非晶合金及其衍生产品（粉末、涂层、催化剂）在海洋工业、石油化工、3D打印、水处理等行业具有非常广泛的应用前景。利用所团队研发的非晶合金粉末，可通过堆焊、激光、热喷涂等技术制备不同高性能非晶涂层，能赋予零部件防腐蚀、耐磨损、抗疲劳、抗冲击、防腐蚀等优异性能，极大延长使用寿命。

产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ，核心部件采用 R2000 为核心平台，R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可，可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议：ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取：端口最大输出33dBm，可根据需要设置功率，可应对非常密集的使用环境，多标签识别算法，行业内最强，每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz～960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013（可选配） RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI：可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率（端口） 33dbm±1dbm（MAX） 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离（读EPC码） 0-10米，连续读100次，读取成功率大于95%（无干扰环境）（8dBi圆极化天线@H3） 连续写标签距离（写EPC码） 0〜4米(与标签芯片性能有关)，连续写100次，写成功率大于90%（8dBi圆极化天线@H3） 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 （33dbm）：8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)

1.项目简介：目前，我省的非煤矿山受国家整体生产力水平落后的制约，存在着设备落后、人员素质差、安全投入少等状况，加上其中非国有的中小型矿山占95%以上，非煤矿山企业整体安全生产形势令人堪忧。 国家安全生产监督管理局规定，非煤矿山企业必须做安全评价。通过对非煤矿山企业做安全现状评价，可解决企业在管理、设备、生产工艺方面的安全问题，对提高企业安全管理水平大有帮助。 我院于2004年12月依托湖北华邦安全科技有限公司成立了非煤矿山安全评价部，对省内非国有的非煤矿山企业做安全评价。

力与位移耦合控制的新型动力转向系统属于一种新型电动转向技术，属于汽车零部件设计领域。汽车动力转向是人车路闭环系统的桥梁和纽带，是影响汽车主动安全性和驾驶员转向感觉的关键问题。如何有机融合驾驶员转向感觉与汽车主动安全性，使转向轻便性与转向路感协调统一，已成为当前国内外动力转向系统设计的技术难题和产业化的技术瓶颈。本项目立足前沿，突破一系列关键技术，形成具有自主知识产权的创新成果，创新性地研制出基于力与位移耦合控制的新型动力转向系统，不仅能实现汽车转向轻便性和驾驶员路感的完美融合，而且还能使汽车的安全

本发明公开了一种铣削加工振动位移高带宽补偿装置，属于铣 削技术领域，其包括用于支撑主轴的主轴支撑块，呈方框状的口字型 滑块以及敞口凹槽，该口字型滑块包围在主轴支撑块的周围，敞口凹 槽用于容置口字型滑块和主轴支撑块，主轴支撑块两个侧面分别通过 第一X轴音圈电机和第二X轴音圈电机与口字型滑块的与Y轴平行的 两个边的内壁相连接，敞口凹槽的与 X 轴平行的两个边的内壁分别通 过第一Y轴音圈电机和第二Y轴音圈电机与口字型滑块的与X轴平行 的两个边的外壁相连，敞口凹槽的底部安装有 Z 轴音圈电机和多个柔 性铰链支撑。本发明装置结构简单，布局合理，检测精度高，能同时 检测沿 X 轴、Y 轴以及 Z 轴的振动位移并进行补偿。 

非制冷薄膜型红外焦平面阵列探测器结构，包括含读出电路的第一基片，含热隔离微桥阵列和敏感元阵列的第二基片，所述第一基片与第二基片键合成一体，所述热隔离微桥阵列中的各热隔离微桥单元以刻蚀后的第二基片为桥墩，以与所述桥墩顶面紧密结合的支撑层为桥面；各热隔离微桥单元的桥面上均设置有敏感元阵列，各敏感元阵列通过引线电极与第一基片上对应的读出电路实现电连接。制备方法：第一基片键合面图形的制备；支撑层制备；敏感元阵列的制备；第二基片正面保护；热隔离微桥阵列的制备；第一基片与第二基片的键合；除去第二基片的正面保护层；敏感元电极读出电路电极的连接。

本发明公开了一种基于忆阻器的非易失 D 触发器电路；包括忆阻器 ME、定值电阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了触发器的锁存以及触发功能。本发明所构建 D 触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点

本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路，包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻； 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端，第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端；第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接，第一可控开关元件的第二端接地； 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接，第一电阻的另一端 接地；第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本