本发明提出用于防治假禾谷镰刀菌的病毒粒子及其防治小麦茎基腐病的主要病原菌假禾谷镰刀菌的方法，解决了现有技术中小麦茎基腐病的防治问题。本发明通过提取FpgMBV1病毒粒子，对室内接种假禾谷镰孢菌WZ2‑8A菌株（小麦茎基腐强致病株）的小麦幼苗进行生物防治处理，以确定FpgMBV1病毒粒子的生物防治潜力；通过将FpgMBV1病毒粒子与假禾谷镰孢菌WZ2‑8A菌株共培养，验证FpgMBV1病毒粒子的体外侵染能力。结果表明，FpgMBV1病毒粒子可以使WZ2‑8A菌株侵染的小麦茎基腐病的发病率从88.9%降到63.90%，病情指数从36.73降低到7.10，防治效果为80.67%具有生物防治潜力。

本发明公开了一种采用富氧燃烧技术的热解气化垃圾焚烧炉，包括氧气制备单元、氧气注入单元和焚烧炉主体单元；氧气注入单元，与所述氧气制备单元和焚烧炉主体单元连接，其包括增压风机、关断阀和两氧气流量控制装置，每个氧气流量控制装置均包括流量计、调节阀、截止阀、混合器和供风风机；所述关断阀分别与一流量计连接；焚烧炉主体单元，包括焚烧炉本体和烟气净化装置，所述焚烧炉本体包括第一燃室、第二燃室和隔板。本发明能有效解决由于空气中氧含量低或垃圾热值低所造成的燃烧温度低、燃烧效率，污染物排放不达标等问题。

本发明公开了一种用富氧燃烧锅炉烟气制取生物质高热值气化气的系统及方法，其中系统包括循环流化床气化器、旋风分离器；循环流化床气化器具有进料口；循环流化床气化器还设置有进气口，该进气口用于输入气化介质；循环流化床气化器用于在气化介质的作用下将生物质物料气化得到气化气；气化介质采用温度为 120℃～140℃的富氧燃烧锅炉低温烟气；旋风分离器用于分离颗粒获得洁净气化气。本发明将生物质气化系统与富氧燃烧锅炉系统配合使用，采用富氧燃烧锅炉低温烟气作为生物质气化反应的气化介质，既提高了富氧燃烧锅炉系统的能量利用效率，又提高了生物质气化气的品质，使整体热能的利用效率提高、降低了生产成本，提高了电厂的整体经济性。

在对珠江口的古菌类群进行连续一年的逐月观测后，发现无论是在丰水期，还是在枯水期，均检测到MG-II在珠江口咸淡水混合区的高丰度，比已报道的其他海域的最高值还要高10倍，提示该类群对珠江口环境的适应性。利用宏基因组分离方法成功分离到首个河口环境的MG-II基因组，命名为MGIIa_P。MGIIa_P是第一个含有过氧化氢酶基因的MG-II宏基因组，同时也含有较高比例的糖苷水解酶，提示MG-II既能抵抗光和藻类释放的氧自由基，又可以利用光合藻类产生的多糖，这可能是其对珠江口富营养环境适应性的基因基础。MG-II在珠江口的高丰度及异养代谢特征，提示该类群在河口有机质的转化过程中发挥着重要作用，而这些都是在之前的微生物海洋学研究中忽视的部分。

本发明公开了一种烟气循环式的垃圾热解气化富氧焚烧炉，包括焚烧炉主体、烟气循环送风系统、烟气过滤装置、富氧送风系统、烟气余热换热器、烟气净化装置；其中焚烧炉主体包括一燃室和二燃室，分别用于垃圾热解气化和可燃物质的焚烧；循环的烟气通过烟气循环送风系统注入焚烧炉内，提高炉内湍流度，强化垃圾焚烧，减少未完全燃烧污染物如二噁英前驱体的生成，降低污染物排放。富氧送风系统能提高焚烧温度、减少辅助燃料消耗，烟气过滤装置、烟气净化装置可进一步减少污染物排放，烟气余热换热器可以回收烟气余热。本发明能有效解决垃圾热值低、含水量高、空气中含氧量低所带来的焚烧温度低、燃烧效率差、辅助燃料消耗多，污染物排放不达标等问题。

本发明公开了一种用于燃煤发电富氧燃烧的外置式氧气注入装置，该装置包括沿着圆柱形烟道轴向方向彼此分层间隔设置的氧气注入管路，各层氧气注入管路均包括处于烟道外部的竖管、环形管、喷·688·管和清洁用孔，其中各个竖管一端分别与环形管相连通，所有竖管的另外一端共同连接于氧气输入主管；环形管相对于圆柱形烟道环绕而设置，其内侧经由与圆形烟道的表面以相同锐角倾斜相交的多个喷管与烟道相连通；清洁用孔设置在环形管的最下方

本发明公开了一种带富氧设备的全预混冷凝式壁挂炉，包括：通过管路彼此连接的风机、空气控制阀、富氧设备和空气进气管，通过管路彼此连接的燃气进气管、燃气控制阀和燃气比例阀，以及燃烧室、换热器、混合器和整体控制系统，其中当接收来自控制系统的指令时，风机启动并引入空气，空气流经富氧设备提高其氧气含量后，与所引入的燃气在混合器内混合均匀，最后进入燃烧室点火燃烧；与此同时，供暖用水流经换热器被加热，并经供暖水出口流出以便使用。

项目涉及的产品是钛基合金，具体包括钛铁合金、钛铝合金以及钛铝钒合金等，其广泛用于冶金、国防、军工、航空、航天以及生物医学等领域。目前，现有的钛及钛合金等钛材的利用流程仍全是高钛渣/金红石-高温氯化-真空还原-精制-海绵钛-破碎-真空熔炼-钛材这一高能耗、高污染的高成本生产工艺。东北大学在国家973、国家自然科学基金以及企业重大科技攻关等项目的联合资助下，针对现有金属热还原法直接制备钛基合金存在的钛氧化物还原不彻底等技术难题，发明了基于喷吹金属蒸气深度多级还原直接冶炼钛基合金的新技术，并突破了其喷吹金属蒸气深度还原装备的技术难题，建成了吨级规模的基于喷吹深度多级还原装备。成功制备出氧含量低于0.6%的低氧高钛铁；氧含量低于0.1%，氮含量低于200ppm的钛铝合金及钛铝钒合金，目前已完成20kg规模的放大试验，建成了吨级规模的基于喷吹深度多级还原核心装备，进入产业化和推广应用阶段。核心成果已获得国家发明专利６项，整体技术及装备水平世界领先。 项目研究形成了从方法-产品-装备的原始创新，突破直接热还原法制备钛基合金的技术难题，实现了钛合金的短流程清洁制备，为国家安全建设和社会经济建设提供了战略物质保障社会经济效益显著。未来5年，我国特种钢精炼用高钛铁合金用量可达30万吨，若投资建立一条深度多级还原直接冶炼低氧高钛铁的生产线，可实现年产量5000吨的规模，其总产值可达2.5亿元以上，年均创造效益约5000万元。建设一条1000吨规模的钛铝基钛合金生产，其总产值可达2亿元以上，年均创造效益约5000~8000万元。因此项目建设将极大地拉动地方经济。

依托“湖南大学碳材料研究所”，建成国内沥青基碳纤维生产基地，逐步用碳纤维复合材料取代铝合金、钢筋等，促进建筑行业、汽车行业的“产业革命”，打造百亿、千亿的产业集群，把湖南长沙打造成全球第四家拥有整套高性能沥青基碳纤维制备技术的生产基地，确立长沙中国“碳谷”地位。目前已研发出高性能沥青基连续长丝炭纤维。 相关研究成果已应用于航天、航天、承载一体化、冲击载荷下微结构、兵器材料等，为我国武器装备发展和国防科技工业进步提供了基础支撑。合作单位包括国防科工局、中科院近代物理所、中国兵器工业第二0一研究所、中国工程物理研究院、航天科工集团、航天科技集团、中国兵器集团等国防军工单位。

传统的CCD、CMOS硅基成像器件都不能响应紫外波段的光信号，这是因为紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年来随着紫外探测技术的日趋发展，人们越来越需要对紫外波段进行更深的探测分析与认识。紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是应用最广泛的光电探测器件。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。 在技术发达国家,宽光谱响应范围、高分辨率、高灵敏度探测器CCD已经广泛应用于高档光谱仪器中。上世纪中叶美国Varian公司开发的Varian700 ICP-AES所使用的宽光谱CCD检测器分辨率达0.01nm,光波长在600nm和300nm时QE分别达到了84%和50%；美国热电公司开发的CAP600 系列ICP所用探测器光谱响应范围更是达到165～1000nm，在200nm时的分辨率达到0.005nm.法国Johinyvon的全谱直读ICP，其所用的CCD探测器像素分辨率达0.0035nm,紫外响应拓展到120nm的远紫外波段。德国斯派克分析仪器公司的全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪一维色散和22个CCD检测器设计，其光谱响应范围为120－800nm。德国耶拿JENA 连续光源原子吸收光谱仪contrAA采用高分辨率的中阶梯光栅和紫外高灵敏度的一维CCD探测器，分辨率达0.002nm,光谱响应范围为189—900 nm。总而言之，发达国家在宽光谱响应和高分辨率高灵敏度探测器件的研制领域已取得相当的成就。主要技术指标和创新点（1）  我们在国内首次提出紫外增强的硅基成像器件，并在不改变传统硅基成像探测器件的结构的基础上，利用镀膜的方法增强成像探测器件CCD、CMOS的紫外响应，使其光谱响应范围拓宽到190—1100nm，实现对190nm以上紫外光的探测。（2）  提高成像探测器的紫外波段灵敏度，达到0.1V/lex.s。（3）  增强成像探测器件的紫外响应的同时，尽量不削弱探测器件对可见波段的响应。（4）  选用适合的无机材料，克服有机材料使用寿命短的缺陷。 紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件，该设计与传统CCD、CMOS结合，能满足宽光谱光谱仪器所需的紫外响应探测器的需要。能提高光谱仪器光谱响应范围，在科学实验和物质分析和检测中具有很广的市场前景。 该设计样品能取代传统CCD、CMOS，应用于大型宽光谱光谱仪器上，作为光谱仪的探测器件。将传统光谱仪器的光谱检测范围拓宽到190—1100nm. 实现紫外探测和紫外分析。具有较强的市场推广应用价值。